硅和二氧化硅的濕化學(xué)蝕刻工藝

硅和二氧化硅的濕化學(xué)蝕刻

硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底，也可用作電子或機械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過濕化學(xué)蝕刻方法來實現(xiàn)。

腐蝕率

各向異性、絕對蝕刻速率和蝕刻的均勻性取決于兩種缺陷

硅和二氧化硅的濕化學(xué)蝕刻工藝

晶體硅在KOH(左圖)和TMAH(右圖)中的(100)和(110)平面的濃度和溫度依賴性刻蝕速率。硅的堿性蝕刻除了需要OH離子外，還需要游離水分子。因此，當(dāng)堿性溶液較強時，蝕刻速率降低，而且蝕刻硅表面的表面粗糙度降低。

硅和二氧化硅的濕化學(xué)蝕刻工藝

(100)- Si和sio2在TMAH(左圖)和KOH(右圖)中的刻蝕速率的濃度和溫度依賴性選擇性。在TMAH中，Si和sio2的腐蝕速率在不同的TMAH濃度下都有最大值，這就是為什么它們的比值呈現(xiàn)局部最小值的原因。

Si: sio2的刻蝕選擇性

硅和二氧化硅的濕化學(xué)蝕刻工藝

圖2:硅的蝕刻速率與室溫下蝕刻混合物的HNO濃度的關(guān)系

　　審核編輯：湯梓紅

閱讀全文

元件(38532) 元件(38532)
材料(28575) 材料(28575)
蝕刻(16534) 蝕刻(16534)

集成電路制造中Bosch工藝的關(guān)鍵作用和流程步驟

Bosch工藝，又稱交替?zhèn)缺阝g化深層硅蝕刻工藝，是一種在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕硅片上特定材料層的先進(jìn)技術(shù)，由Robert Bosch于1993年提出，屬于等離子體增強化學(xué)刻蝕（反應(yīng)離子刻蝕）的一種。該

2025-12-26 14:59:47

218

晶圓去膠后清洗干燥一般用什么工藝

?O?+H?O）：去除有機污染物和顆粒，通過堿性環(huán)境氧化分解有機物。稀氫氟酸（DHF）處理：選擇性蝕刻殘留氧化物，暴露新鮮硅表面，改善后續(xù)薄膜附著性。SC-2溶液（

2025-12-23 10:22:11

134

探索XENSIV? PAS CO2 1.5傳感器：高精度二氧化碳檢測的新選擇

探索XENSIV? PAS CO2 1.5傳感器：高精度二氧化碳檢測的新選擇作為電子工程師，我們一直在尋找性能卓越、功能強大的傳感器來滿足各種設(shè)計需求。今天，我要為大家介紹一款來自英飛凌的二氧化

2025-12-19 14:30:24

195

艾邁斯歐司朗與合作伙伴聯(lián)合推出可大幅降低二氧化碳排放的紙質(zhì)卷盤LED運輸解決方案

減重33%以上，二氧化碳減排降低75%以上。該新型卷盤方案不會產(chǎn)生額外成本，標(biāo)志著電子行業(yè)構(gòu)建可持續(xù)供應(yīng)鏈的重要里程碑。紙質(zhì)卷盤相較塑料卷盤而言，具備多項技術(shù)優(yōu)勢：塑料卷盤重量為217克，紙質(zhì)卷盤僅140克，實現(xiàn)減重約35%。塑料卷盤在原材料開采、生產(chǎn)制

2025-12-11 10:11:18

273

TGA-601S熱重分析儀基于水蒸氣平臺的碳酸鈣熱重分析

在煤氣化制取氫氣、吸收爭強式甲烷重整、吸收增強式水汽變換過程中二氧化碳（CO?）與煅燒后的石灰石的碳酸化反應(yīng)是重要的步驟。因反應(yīng)的特性，該方法也在煙塵中的CO?捕獲中也被廣泛應(yīng)用。具體的反應(yīng)為碳酸鈣

2025-12-04 14:59:44

不止于“收縮”：全方位解讀ULTEA?如何成為提升電子材料綜合性能的“戰(zhàn)略級添加劑”

在電子材料的配方設(shè)計中，填料的選擇至關(guān)重要。傳統(tǒng)填料如二氧化硅、氧化鋁等，主要扮演著降低成本、調(diào)節(jié)流變、或提高導(dǎo)熱/絕緣的角色。然而，隨著應(yīng)用終端對電子產(chǎn)品的要求日趨多元化——既要耐高溫、又要阻燃

2025-12-03 11:22:09

1482

高精度恒溫晶振制造工藝深度解析

諧振單元精密加工基材篩選與預(yù)處理選用天然或人造石英晶體作為基礎(chǔ)材料，通過X射線衍射技術(shù)進(jìn)行晶向標(biāo)定，確保晶體軸向精度優(yōu)于0.01度。采用超聲波清洗和化學(xué)蝕刻工藝去除表面雜質(zhì)，為后續(xù)加

2025-11-28 14:04:52

147

存儲芯片制造全流程大揭秘！原來小小芯片背后藏著這么多門道

你以為手機里的存儲芯片只是簡單的硅片？從一粒沙子到能存下你所有照片的芯片，中間經(jīng)歷了怎樣驚心動魄的旅程？從沙子到硅晶圓沙子中的二氧化硅經(jīng)過高溫還原變成高純度硅，再拉制成單晶硅棒。這些硅棒會被

2025-11-25 08:41:18

247

無源晶振不起振的原因有哪些？

一般情況下，晶振不起振的原因歸納如下：一、晶片斷裂分析：晶片的化學(xué)成分為二氧化硅，與玻璃相同，屬于清脆易碎品，在承受較大沖撞、跌落、強震動、溫度環(huán)境極速變化等外力作用的情況下有可能產(chǎn)生破裂、破碎等

2025-11-21 15:37:54

6389

AMC1204/AMC1204B 隔離式 ΔΣ 調(diào)制器產(chǎn)品總結(jié)

AMC1204和AMC1204B為1位數(shù)字輸出，隔離δσ（ΔΣ）調(diào)制器，時鐘頻率最高可達(dá)20 MHz。調(diào)制器輸出的數(shù)字隔離由二氧化硅（SiO）提供 ~2~ ）屏障，具有高度的磁干擾能力。該屏障已經(jīng)

2025-11-19 11:22:28

1176

MOS管應(yīng)用中，常見的各種‘擊穿’現(xiàn)象

? ? ? ?mos管也稱場效應(yīng)管，這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是

2025-11-17 16:19:03

692

12寸晶圓的制造工藝是什么

為沙子提取的高純度二氧化硅，經(jīng)化學(xué)氣相沉積（CVD）等工藝提純至“11個9”（99.999999999%）。挑戰(zhàn)：雜質(zhì)控制要求極高，微小顆粒即可導(dǎo)致芯片失效。單晶硅錠生長直拉法（CZ法）：將多晶硅熔化后，通過旋轉(zhuǎn)提拉單晶籽晶形成圓柱形硅錠（直徑

2025-11-17 11:50:20

329

?AMC1204-Q1 汽車級隔離式Δ-Σ調(diào)制器技術(shù)文檔總結(jié)

AMC1204-Q1 是一款 1 位數(shù)字輸出、隔離式 Δ-Σ 調(diào)制器，時鐘頻率高達(dá) 20 MHz。調(diào)制器輸出的數(shù)字隔離由二氧化硅（SiO ~2~ ）屏障，具有很強的抗磁干擾能力。該屏障經(jīng)認(rèn)證可提供

2025-11-17 10:59:50

444

化學(xué)氣相淀積工藝的核心特性和系統(tǒng)分類

化學(xué)氣相淀積（CVD）是借助混合氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面沉積一層固體薄膜的核心工藝。在集成電路制造流程中，CVD 工藝除了可用于沉積金屬阻擋層、種子層等結(jié)構(gòu)外，其核心應(yīng)用場景集中在沉積二氧化硅、氮化硅等介質(zhì)薄膜。

2025-11-11 13:50:36

1410

濕法蝕刻的最佳刻蝕條件是什么

之間，可實現(xiàn)氧化硅與基底材料的高選擇性刻蝕。例如，BOE溶液通過氟化銨穩(wěn)定HF濃度，避免反應(yīng)速率波動過大。熱磷酸體系：85%以上的濃磷酸在150–180℃下對氮化硅的刻蝕速率可達(dá)50?/min，且對氧化硅和硅基底的選擇比優(yōu)異。硝酸體系：主要用于硅材料的快速粗加工，

2025-11-11 10:28:48

269

光纖——讓光速穿越時空的信息“高速公路”

基礎(chǔ)設(shè)施。光纖的“光速魔法”：全反射原理光纖的核心結(jié)構(gòu)由纖芯(高純度二氧化硅或塑料)和包層(折射率更低的材料)組成。當(dāng)光以特定角度(大于臨界角)射入纖芯時，會在纖芯與包層的界面發(fā)生全反射，形成“光波導(dǎo)”效應(yīng)。這種結(jié)構(gòu)使

2025-10-30 10:51:33

264

晶圓濕法刻蝕技術(shù)有哪些優(yōu)點

覆蓋部分）的影響。這種高選擇性源于不同材料在腐蝕液中的溶解速率差異，例如使用緩沖氧化物刻蝕液（BOE）時，二氧化硅的刻蝕速度遠(yuǎn)高于硅基底，從而確保精確的圖案轉(zhuǎn)移。

2025-10-27 11:20:38

369

雙光路紅外二氧化碳?xì)怏w傳感器：精準(zhǔn)監(jiān)測背后的技術(shù)革新

#二氧化碳?xì)怏w傳感器現(xiàn)狀二氧化碳（CO?）作為一種常見氣體，在自然環(huán)境中維持著一定基準(zhǔn)濃度，但其含量異常升高或波動時，會對人體健康、生產(chǎn)安全、環(huán)境質(zhì)量及工藝穩(wěn)定性等多方面產(chǎn)生顯著影響。如化工制藥

2025-10-24 17:53:20

397

創(chuàng)新驅(qū)動與產(chǎn)業(yè)變革：超臨界二氧化碳發(fā)電技術(shù)的差異化發(fā)展路徑與前景展望

超臨界二氧化碳（S-CO?）發(fā)電技術(shù)是近年來熱力發(fā)電領(lǐng)域一項重要的技術(shù)變革，其以處于超臨界狀態(tài)的二氧化碳作為工作介質(zhì)，采用閉式布雷頓循環(huán)模式，將熱能轉(zhuǎn)化為機械能進(jìn)而發(fā)電。

2025-10-23 15:20:42

2048

硅片酸洗過程的化學(xué)原理是什么

二氧化硅（SiO?）的試劑，生成揮發(fā)性的四氟化硅和水。若HF過量，則進(jìn)一步形成六氟合硅酸（H?SiF?）：SiO?+4HF→SiF?↑+2H?OSiO?+6HF→H?S

2025-10-21 14:39:28

438

高純度鋁箔車規(guī)電解電容：容量密度提升 40% 的核心秘密

≥99.99%的電子級高純鋁箔，通過特殊退火工藝處理，使晶粒尺寸控制在50-80μm范圍內(nèi)。這種微觀結(jié)構(gòu)有利于形成均勻的蝕刻通道，為后續(xù)工藝提供穩(wěn)定基礎(chǔ)。復(fù)合蝕刻技術(shù) ：突破傳統(tǒng)單一蝕刻工藝，通過多階段化學(xué)蝕刻與電化學(xué)蝕刻的協(xié)同作用，在鋁箔

2025-10-14 15:27:00

315

復(fù)合光纜和光纖的區(qū)別差異大嗎

復(fù)合光纜(通常指光電復(fù)合纜)與光纖在結(jié)構(gòu)、功能、應(yīng)用場景、成本及安裝維護(hù)方面存在顯著差異，具體如下：一、結(jié)構(gòu)差異光纖：由纖芯(高純度二氧化硅或塑料)、包層(折射率略低)和涂覆層(聚合物保護(hù))構(gòu)成

2025-10-13 10:57:02

627

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═TV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度

2025-10-09 16:29:24

576

半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝

半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點及其實現(xiàn)方式：一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過程。常用酸性溶液

2025-09-25 13:59:25

951

什么是頂級的硅晶圓蝕刻工藝？# 硅晶圓# 蝕刻

芯片

華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造發(fā)布于 2025-09-23 11:35:34

再生晶圓和普通晶圓的區(qū)別

、切片、拋光等工序制成，未經(jīng)任何使用歷史。其原材料通常來自二氧化硅礦石提煉的高純硅料，經(jīng)過嚴(yán)格控溫的長晶過程形成圓柱形單晶硅棒，再切割成薄片后成為集成電路制造的基礎(chǔ)

2025-09-23 11:14:55

774

超臨界二氧化碳（sCO?）動力循環(huán)技術(shù)原理及其在航空發(fā)動機領(lǐng)域的應(yīng)用價值

超臨界二氧化碳動力循環(huán)是一種以超臨界狀態(tài)的CO?作為工質(zhì)的熱力循環(huán)系統(tǒng)。

2025-09-22 10:26:51

1472

【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

作用。深入研究碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性，有助于優(yōu)化生長工藝，提升外延片質(zhì)量，推動碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。二、碳化硅外延片生長工藝參數(shù)分析

2025-09-18 14:44:40

645

一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對純度要求極高，需達(dá)到99.9999999%（即9個9）以上，且硅原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時，就能形成單晶硅；若晶面取向不同，則會形成多晶硅（Polysilicon）。

2025-09-17 16:13:57

993

精準(zhǔn)捕捉環(huán)境信號：二氧化碳 / 溫濕度 / 光照度四合一傳感器解析

當(dāng)農(nóng)業(yè)大棚需要同時調(diào)控 CO?濃度、溫度、濕度和光照以促進(jìn)作物生長，當(dāng)辦公樓宇希望通過環(huán)境參數(shù)聯(lián)動實現(xiàn)節(jié)能與舒適的平衡，單一傳感器的分散部署往往帶來布線雜亂、數(shù)據(jù)不同步等問題。 二氧化碳 / 溫濕度

2025-09-15 17:03:23

593

碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機制研究

一、引言 化學(xué)機械拋光（CMP）工藝是實現(xiàn)碳化硅（SiC）襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，對提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要?？偤穸绕睿═TV）作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的核心指標(biāo)之一，其精確控制

2025-09-11 11:56:41

619

AMC1400EVM評估模塊技術(shù)解析：高精度隔離放大器的設(shè)計與應(yīng)用

的二氧化硅 (SiO ~2~ ) 勢壘隔開。TI AMC1400具有10600V~PK~增強型隔離，用于雙極電流測量應(yīng)用。

2025-09-09 11:39:07

680

如何優(yōu)化碳化硅清洗工藝

優(yōu)化碳化硅（SiC）清洗工藝需要綜合考慮材料特性、污染物類型及設(shè)備兼容性，以下是系統(tǒng)性的技術(shù)路徑和實施策略：1.精準(zhǔn)匹配化學(xué)配方與反應(yīng)動力學(xué)選擇性蝕刻控制：針對SiC表面常見的氧化層（SiO

2025-09-08 13:14:28

621

鈣鈦礦電池組件P1-P2-P3激光劃刻工藝實現(xiàn)高效互聯(lián)與死區(qū)最小化

在鈣鈦礦太陽能電池串聯(lián)結(jié)構(gòu)的制備過程中，需對不同功能膜層進(jìn)行精確定位劃線。目前，劃刻工藝主要包括掩模板法、化學(xué)蝕刻、機械劃片與激光劃片等方式，其中激光劃片因能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的劃區(qū)逐漸成為主流技術(shù)

2025-09-05 09:04:36

881

無線通信模塊為油田CO?注入提供可靠無線監(jiān)測方案

項目背景與技術(shù)優(yōu)勢傳統(tǒng)石油開采僅能采收儲層中30%至40%的原油，而二氧化碳強化石油開采技術(shù)可將采收率提升至50%以上。該技術(shù)通過捕集工業(yè)尾氣中的二氧化碳，注入油田地下油層驅(qū)替原油，同時實現(xiàn)

2025-09-04 17:52:12

521

無線數(shù)傳模塊在CO?驅(qū)油中的高效無線通訊應(yīng)用案例

2025-09-04 15:56:54

318

工作場所空氣中二氧化錫的電感耦合等離子體發(fā)射光譜測定法

空氣中二氧化錫的方法主要是火焰原子吸收光譜法、氫化物－原子熒光法、分光光度法和碟酸鉀滴定法等幾種化學(xué)方法(1,2) 0但是這幾種方法易受到干擾，重現(xiàn)性、靈敏度都比較差且操作繁瑣，在實際檢測工作中難以滿足需求。

2025-09-04 10:20:11

320

尺寸雖小，內(nèi)有乾坤： Sensirion突破性微型二氧化碳傳感器發(fā)售

STCC4 現(xiàn) 已通過盛思銳（ Sensirion ）全球授權(quán) 渠道合作伙伴正式開售。這款微型傳感器體積小巧、性價比高、功耗低，滿足各類大規(guī)模應(yīng)用場景中的二氧化碳監(jiān)測需求

2025-08-28 18:17:30

35555

半導(dǎo)體清洗選型原則是什么

氧化層）選擇對應(yīng)的清洗方式。例如，RCA法中的SC-1溶液擅長去除顆粒和有機殘留，而稀HF則用于精確蝕刻二氧化硅層。對于頑固碳沉積物，可能需要采用高溫Piranha

2025-08-25 16:43:38

449

金屬鉻在微機電系統(tǒng)中的應(yīng)用

–230GPa 之間，優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性，尤其在空氣中能形成致密的氧化鉻鈍化層而抗腐蝕，以及對多種襯底，如硅、二氧化硅、玻璃襯底，展現(xiàn)出極佳的黏附力。這些特性使其成為MEMS中重要的功能材料和工藝輔助材料。

2025-08-25 11:32:48

1148

濕法蝕刻工藝與顯示檢測技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新

制造工藝的深刻理解，將濕法蝕刻這一關(guān)鍵技術(shù)與我們自主研發(fā)的高精度檢測系統(tǒng)相結(jié)合，為行業(yè)提供從工藝開發(fā)到量產(chǎn)管控的完整解決方案。濕法蝕刻工藝：高精度制造的核心技術(shù)M

2025-08-11 14:27:12

1257

晶振生產(chǎn)工藝：從石英晶體到高精度振蕩器

石英晶體：晶振的核心基石晶振的核心是石英晶體，其主要成分是二氧化硅（SiO?），這種在自然界廣泛存在于巖漿巖、變質(zhì)巖、沉積巖和熱液脈體中的氧化物礦物，是重要造巖礦物和巖石圈的重要組成部分。石英晶體

2025-07-16 09:45:54

550

二氧化碳溫濕度光照度傳感器：四合一，在線監(jiān)測氣體

二氧化碳溫濕度光照度傳感器是一種多功能環(huán)境監(jiān)測設(shè)備，集成了測量二氧化碳濃度(CO?)、空氣溫度及光照強度(照度)四種關(guān)鍵環(huán)境參數(shù)的功能于一體。通過內(nèi)置的多類型傳感器元件，實現(xiàn)對環(huán)境條件的實時、同步

2025-07-15 17:21:28

601

晶圓蝕刻擴散工藝流程

晶圓蝕刻與擴散是半導(dǎo)體制造中兩個關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面

2025-07-15 15:00:22

1224

為什么LED芯片正電極要插入二氧化硅電流阻擋層，而負(fù)極沒有？

為什么LED正電極需要二氧化硅阻擋層？回答：LED芯片正極如果沒有二氧化硅阻擋層，芯片會出現(xiàn)電流分布不均，電流擁擠效應(yīng)，電極燒毀等現(xiàn)象。由于藍(lán)寶石的絕緣性，傳統(tǒng)LED的N和P電極都做在芯片出光面

2025-07-14 17:37:33

941

晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因

在集成電路生產(chǎn)過程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個常見但復(fù)雜的問題。每個環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因，因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個工藝參數(shù)，尤其是對邊緣區(qū)域的處理，以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。

2025-07-09 09:43:08

762

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。

2025-06-24 09:15:23

1750

煙氣檢測儀是如何工作的？工作原理大揭秘

、二氧化硫(SO?)、一氧化氮(NO)等。紅外吸收技術(shù)則是利用不同氣體對特定波長的紅外光具有吸收特性的原理。儀器發(fā)射特定波長的紅外光，當(dāng)煙氣通過測量氣室時，其中的目標(biāo)氣體吸收特定波長的紅外光，導(dǎo)致光強減弱

2025-06-16 16:10:00

芯片制造中解耦等離子體氮化工藝流程

在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下（約5個原子層）。此時，傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可占總功耗的40%。

2025-06-12 14:11:58

2388

主流氧化工藝方法詳解

在集成電路制造工藝中，氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜，不僅可以實現(xiàn)對硅表面的保護(hù)和鈍化，還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、隔離等工藝提供基礎(chǔ)支撐。本文將對氧化工藝進(jìn)行簡單的闡述。

2025-06-12 10:23:22

2138

VirtualLab Fusion應(yīng)用：多反射系統(tǒng)的非序列建模

具對鈉D線的研究在VirtualLab Fusion中，建立了一個帶有二氧化硅間隔標(biāo)準(zhǔn)具的光學(xué)計量系統(tǒng)來測量鈉D線。此外，還研究了實際涂層反射率的影響。

2025-06-12 08:49:47

光刻工藝中的顯影技術(shù)

一、光刻工藝概述光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)

2025-06-09 15:51:16

2127

半導(dǎo)體制造中的高溫氧化工藝介紹

ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在反應(yīng)腔內(nèi)直接合成高活性水蒸氣，并解離生成原子氧(O*)，實現(xiàn)對硅表面的精準(zhǔn)氧化。

2025-06-07 09:23:29

4592

VirtualLab Fusion應(yīng)用：利用Fabry-Pérot標(biāo)準(zhǔn)具檢測鈉D線

了具有二氧化硅間隔標(biāo)準(zhǔn)具的光學(xué)測量系統(tǒng)，并測量鈉的D線。利用非序列場追跡技術(shù)，充分考慮了標(biāo)準(zhǔn)具中多次反射引起的相干現(xiàn)象，并研究了涂層反射率對條紋對比度的影響。建模任務(wù) 所有譜線的可視化銳度與涂層反射率銳度與涂層反射率

2025-06-05 08:47:54

VirtualLab Fusion應(yīng)用：氧化硅膜層的可變角橢圓偏振光譜（VASE）分析

VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅（SiO2）涂層上的使用。對于系統(tǒng)的參數(shù)，我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）概述。I.

2025-06-05 08:46:36

二氧化硅敞口粉末包裝機#二氧化硅包裝機 #敞口包裝機 #粉料包裝機

包裝機

jf_17886177發(fā)布于 2025-06-03 16:47:58

樹莓派的可持續(xù)解決方案：年二氧化碳排放量減少了43噸！

通過改變將連接器焊接到計算機上的方式，我們將產(chǎn)品退貨率降低了一半，制造時間縮短了15%，并且每年減少了43噸的二氧化碳排放。在產(chǎn)品設(shè)計和制造過程中，微小的改變往往能對環(huán)境影響產(chǎn)生重大差異。在樹莓派

2025-05-30 16:32:50

822

半導(dǎo)體硅表面氧化處理：必要性、原理與應(yīng)用

半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理

2025-05-30 11:09:30

1781

晶圓表面清洗靜電力產(chǎn)生原因

表面與清洗設(shè)備（如夾具、刷子、兆聲波噴嘴）或化學(xué)液膜接觸時，因材料電子親和力差異（如半導(dǎo)體硅與金屬夾具的功函數(shù)不同），發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移。例如，晶圓表面的二氧化硅（SiO?）與聚丙烯（PP）材質(zhì)的夾具摩擦后，可能因電子轉(zhuǎn)移產(chǎn)生凈電荷。液體介質(zhì)影響：清洗

2025-05-28 13:38:40

743

煙氣檢測儀是什么？這里為你精準(zhǔn)揭秘！

檢測儀是一種用于檢測煙氣中各種成分和參數(shù)的設(shè)備。它就像是環(huán)境和工業(yè)生產(chǎn)的“健康衛(wèi)士”，能夠?qū)崟r、準(zhǔn)確地測量煙氣中的多種物質(zhì)，如一氧化碳、二氧化碳、二氧化硫、氮氧化物等有害氣體的濃度，以及煙氣的溫度、壓力

2025-05-26 13:59:06

Low-κ介電材料，突破半導(dǎo)體封裝瓶頸的“隱形核心”

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 Low-κ 介電材料作為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的核心材料，其技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用正深刻影響著集成電路的性能突破與成本優(yōu)化。這類介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（κ≈4.0）的絕緣材料，通過

2025-05-25 01:56:00

1731

氧化鋯傳感器工作原理

氧化鋯氧傳感器并不測量氧濃度的%，而是測量氣體或氣體混合物中氧氣的分壓。氧化鋯氧傳感器傳感器的核心采用了一種經(jīng)過充分驗證的小型二氧化鋯基元素，由于其創(chuàng)新的設(shè)計，不需要參考?xì)怏w。這消除了傳感器可以在

2025-05-19 13:24:05

979

呼氣末二氧化碳監(jiān)測中的傳感器應(yīng)用

01呼氣末二氧化碳呼氣末二氧化碳（ETCO2）是指呼氣終末期呼出的混合肺泡氣體中含有的二氧化碳壓（PETCO2）或二氧化碳濃度(CETCO2），已經(jīng)被認(rèn)為是除體溫、脈搏、呼吸、血壓、動脈血氧飽和度

2025-05-19 13:20:27

920

二氧化碳光聲傳感技術(shù)

室內(nèi)CO2濃度高通常是人類存在的結(jié)果。我們的身體吸入氧氣并排放二氧化碳，如果環(huán)境通風(fēng)不暢，二氧化碳會在室內(nèi)積聚。而且，現(xiàn)代建筑密集的隔熱層間接導(dǎo)致二氧化碳的增加。例如，減少消耗和加熱或冷卻成本的密集

2025-05-19 13:19:35

742

AMC1200 ±250mV輸入、精密電流檢測基本隔離式放大器技術(shù)手冊

AMC1200 和 AMC1200B 是高精度隔離放大器，通過磁場抗擾度較高的二氧化硅 (SiO ~2~ ) 隔離層隔離輸出和輸入電路。該隔離層經(jīng) UL1577 與 VDE V 0884-10 標(biāo)準(zhǔn)

2025-05-09 14:22:53

1688

AMC1100 ±250mV輸入、精密電流檢測低成本基本隔離式放大器技術(shù)手冊

AMC1100 是一款高精度隔離放大器，通過具有高磁場抗擾度的二氧化硅 (SiO ~2~ ) 隔柵隔離輸出與輸入電路。根據(jù) DIN VDE V 0884-11: 2017-01 和 UL1577

2025-05-07 10:43:39

834

AMC1200-Q1 汽車級、±250mV輸入、精密電流檢測基本隔離式放大器技術(shù)手冊

AMC1200-Q1 是一款高精度隔離放大器，此放大器的輸出與輸入電路由抗電磁干擾性能極強的二氧化硅 (SiO ~2~ ) 隔離層隔開。該隔離層經(jīng) UL1577 與 IEC60747-5-2 標(biāo)準(zhǔn)

2025-05-06 10:24:13

942

半導(dǎo)體清洗SC1工藝

半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水（H?O）的化學(xué)清洗工藝，主要用于去除硅片表面的有機物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點

2025-04-28 17:22:33

4239

半導(dǎo)體boe刻蝕技術(shù)介紹

半導(dǎo)體BOE（Buffered Oxide Etchant，緩沖氧化物蝕刻液）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝，尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣

2025-04-28 17:17:25

5516

晶圓高溫清洗蝕刻工藝介紹

晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對于確保芯片的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。為此，在目前市場需求的增長情況下，我們來給大家介紹一下詳情。一、工藝原理清洗原理高溫清洗利用物理和化學(xué)的作用

2025-04-15 10:01:33

1097

芯片制造中的二氧化硅介紹

二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應(yīng)用場景，解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。

2025-04-10 14:36:41

4406

從芯片制造流程，探尋國產(chǎn)芯片突圍之路

。從沙子到芯片，需歷經(jīng)數(shù)百道工序。下面，讓我們深入了解芯片的制造流程。一、從沙子到硅片（原材料階段）沙子由氧和硅組成，主要成分是二氧化硅。芯片制造的首要步驟就是將沙子中的二氧化硅還原成硅錠，之后經(jīng)過提純，得到

2025-04-07 16:41:59

1257

貼片電阻的厚膜與薄膜工藝之別

印刷工藝，通過在陶瓷基底上貼一層鈀化銀電極，再于電極之間印刷一層二氧化釕作為電阻體，其電阻膜厚度通常在100微米左右。而薄膜電阻則運用真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法，在氧化鋁陶瓷基底上通過真空沉積形成鎳化鉻薄膜，

2025-04-07 15:08:00

1060

耐高溫光纖的制造及性能研究

摘要：耐高溫光纖可以在高溫等惡劣環(huán)境中保持良好的光學(xué)穩(wěn)定性和機械可靠性。光纖本身的材質(zhì)為二氧化硅，能夠耐受高溫，因而耐高溫光纖的耐溫性能取決于其涂層材料。本文介紹了4種耐高溫涂料及其對應(yīng)的耐高溫

2025-04-02 13:37:15

1345

【「芯片通識課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗】了解芯片怎樣制造

:光刻膠除膠，蝕刻未被保護(hù)的SiO2，顯影，除膠。材料:晶圓，研磨拋光材料，光按模板材料。光刻膠，電子化學(xué)品。工業(yè)氣體，靶材，封裝材料硅片制造:單晶硅棒拉制，硅棒切片，硅片研磨拋光，硅片氧化

2025-03-27 16:38:20

Low-K材料在芯片中的作用

Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)（ILD）。其核心目標(biāo)是通過降低金屬互連線間的寄生電容，解決RC延遲（電阻-電容延遲）和信號串?dāng)_問題，從而提升芯片性能和集成度。

2025-03-27 10:12:23

3937

光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計。

2025-03-27 09:21:33

3276

礦井下的“隱形守護(hù)者”：解碼礦用二氧化碳傳感器

在數(shù)百米深的地層之下，煤炭開采的轟鳴與礦工們的汗水交織成獨特的工業(yè)交響曲。而在這幽暗的巷道中，一種看不見的氣體——二氧化碳，正悄然威脅著礦工們的生命安全。據(jù)統(tǒng)計，我國煤礦每年因有害氣體導(dǎo)致的安全事故

2025-03-24 18:22:19

728

什么是高選擇性蝕刻

不同材料的刻蝕速率比，達(dá)到?>5:1?甚至更高的選擇比標(biāo)準(zhǔn)?。一、核心價值與定義 l?精準(zhǔn)材料去除? 高選擇性蝕刻通過調(diào)整反應(yīng)條件，使目標(biāo)材料（如多晶硅、氮化硅）的刻蝕速率遠(yuǎn)高于掩膜或底層材料（如氧化硅、光刻膠），實現(xiàn)

2025-03-12 17:02:49

809

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅

2025-03-12 11:31:09

897

測量前準(zhǔn)備檢查探頭：查看探頭外觀布或合適的溶劑清潔。同時檢查測試線是否完好，連接是否牢固，有無斷路、短路等問題。浸泡探頭：將極化探頭底部的密封膠片去掉，并放在清水中浸泡12 小時以上。準(zhǔn)備輔助設(shè)備：準(zhǔn)備好萬用表或電位測試儀等測量儀器，并確保儀器能正常工作，電量充足或連接好電源，量程選擇合適。現(xiàn)場測量操作插入探頭：將探頭插入被測體附近的土壤中，若土壤干燥，應(yīng)在探頭周圍的土壤中澆入純凈水濕潤，以保證良

2025-03-11 19:55:27

453

芯片制造的畫布：晶圓的奧秘與使命

圓不僅是芯片制造的基礎(chǔ)材料，更是連接設(shè)計與現(xiàn)實的橋梁。在這張畫布上，光刻、刻蝕、沉積等工藝如同精妙的畫筆，將虛擬的電路圖案轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實的功能芯片。晶圓：從砂礫到硅片晶圓的起點是普通的砂礫，其主要成分是二氧化硅（SiO?

2025-03-10 17:04:25

1544

VirtualLab Fusion應(yīng)用：利用Fabry-Pérot標(biāo)準(zhǔn)具檢測鈉D線

2025-03-03 09:29:25

等離子體蝕刻工藝對集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化層、負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性、等離子體誘發(fā)損傷、應(yīng)力遷移等問題的影響，從而影響集成電路可靠性。

2025-03-01 15:58:15

1548

TOPCon太陽能電池接觸電阻優(yōu)化：美能TLM測試儀助力LECO工藝實現(xiàn)25.97%效率突破

n-TOPCon太陽能電池因其獨特的超薄二氧化硅（SiOx）層和n+多晶硅（poly-Si）層而受到關(guān)注，這種設(shè)計有助于實現(xiàn)低復(fù)合電流密度（J0）和降低接觸電阻（ρc）。激光增強接觸優(yōu)化（LECO

2025-02-26 09:02:58

1965

光纜是什么材質(zhì)做成

光纜主要是由光導(dǎo)纖維(細(xì)如頭發(fā)的玻璃絲)、塑料保護(hù)套管以及塑料外皮構(gòu)成。以下是關(guān)于光纜材質(zhì)的詳細(xì)解析：一、光導(dǎo)纖維材質(zhì)：光導(dǎo)纖維主要由高純度的二氧化硅(即石英)拉制而成，這種材料具有優(yōu)異的透光性

2025-02-25 10:28:13

2941

8芯光纜拆開什么樣

二氧化硅(石英玻璃)制成，具有高速、寬帶、低損耗等優(yōu)良性能。松套管：光纖通常被包裹在松套管中，松套管對光纖起到保護(hù)和支撐作用，防止光纖在光纜中受到損傷。加強件：光纜內(nèi)部通常包含加強件，如鋼絲或纖維增強材料，以提高光

2025-02-24 10:16:39

693

上海光機所在二氧化釩連續(xù)激光相變研究方面取得進(jìn)展

氧化釩連續(xù)激光相變模擬近期，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部王胭脂研究員團(tuán)隊在二氧化釩連續(xù)激光相變研究方面取得進(jìn)展，相關(guān)成果以“Damage mechanism

2025-02-13 08:56:04

579

儀表機房和配電室應(yīng)配備什么類型的滅火器？

》GB50140-2005，配電室屬于E類火災(zāi)場所，推薦使用二氧化碳滅火器和磷酸銨鹽干粉滅火器。 二氧化碳滅火器： 二氧化碳滅火器因其良好的電絕緣性能，可以有效地?fù)錅?00伏以下電壓的帶電電器設(shè)備引起的火災(zāi)。二氧化碳在滅火時通過降低氧氣

2025-02-11 11:01:57

5839

單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積

2025-02-11 09:19:05

1132

碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法

引言碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過程中，硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟，用于保護(hù)外延層免受機械損傷和污染。然而

2025-02-07 09:55:37

317

VirtualLab Fusion應(yīng)用：氧化硅膜層的可變角橢圓偏振光譜（VASE）分析

2025-02-05 09:35:38

深入探討 PCB 制造技術(shù)：化學(xué)蝕刻

作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻以其精度和可擴展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細(xì)電路圖案的可靠方法。在本博客中，我們將詳細(xì)探討化學(xué)蝕刻工藝及其

2025-01-25 15:09:00

1517

碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。硅（Si）作為最常用的半導(dǎo)體材料，已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而，隨著電子器件對性能要求的不斷提高，碳化硅（SiC）作為一種新型半導(dǎo)體材料

2025-01-23 17:13:03

2590

干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，本文將介紹干法刻蝕的概念、碳硅

2025-01-22 10:59:23

2668

洞察每一絲變化：壁掛式二氧化碳傳感器，工業(yè)環(huán)境的 “透視眼”

引言：工業(yè)環(huán)境監(jiān)測需求與挑戰(zhàn) 在工業(yè)生產(chǎn)的廣袤版圖中，環(huán)境參數(shù)的微妙變化如同隱藏在幕后的操盤手，深刻影響著生產(chǎn)的安全、效率與質(zhì)量。尤其是二氧化碳濃度，作為一個關(guān)鍵的環(huán)境指標(biāo)，其每一絲變化都可

2025-01-13 14:23:02

952

JCMsuite—單模光纖傳播模式

在本教程項目中，我們計算了帶有摻雜二氧化硅芯的圓柱形光纖的基本傳播模式。磁芯具有相對介電常數(shù)?core=2.113和直徑dcore=8.2μm。包層具有相對介電常數(shù)?cladding

2025-01-09 08:57:35

OptiFDTD應(yīng)用：用于光纖入波導(dǎo)耦合的硅納米錐仿真

模擬的關(guān)鍵部件是來自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導(dǎo)中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5

2025-01-08 08:51:53

紅外 CO2（二氧化碳）氣體傳感器和分析模組

隨著科技的進(jìn)步，人們對于生活以及身體健康關(guān)注越來越高。CO2(二氧化碳)是地球大氣的重要組成部分，與人類生活息息相關(guān)。關(guān)注CO2（二氧化碳）氣體，監(jiān)測CO2（二氧化碳）氣體至關(guān)重要。CO2（二氧化碳）傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域和選擇方案值得我們關(guān)注。

2025-01-07 17:01:09

1187