2020年下半年，納芯微如何前瞻數(shù)字隔離芯片在中國工業(yè)市場的前景和技術(shù)走向？慕尼黑華南電子展上納芯微帶來了哪些重磅產(chǎn)品？納芯微在安防、電力電子和服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域有哪些成功案例？11月4日，在電子發(fā)燒友的視頻直播間，納芯微隔離與接口產(chǎn)品線市場總監(jiān)張方文帶來了精彩的市場分析以及對產(chǎn)品和方案的最新解讀。
2020-11-09 11:30:26
15624 結(jié)構(gòu)。因此，<100>硅的各向異性蝕刻是普通基于MEMS的技術(shù)中實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵過程。這些結(jié)構(gòu)包括晶體管的v形凹槽、噴墨的小孔和MEMS壓力傳感器的隔膜。實(shí)際的反應(yīng)機(jī)理尚不清楚，該過程
2022-03-08 14:07:252479 
的蝕刻溶液內(nèi)進(jìn)行蝕刻。（圖3、圖4） 在連接到陽兢的半導(dǎo)體硅基板上，將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對向，在夾子中放入氮?dú)馀菖?，通過該泡泡注入地素的半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，一種半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，使氮?dú)馀菽髋c
2022-03-24 16:47:484410 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011909 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600∶1
2022-05-05 10:59:151464 
項(xiàng)工作中，使用光刻和蝕刻技術(shù)將晶體硅(c- Si)晶片深度蝕刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻膠，使用四甲基氫氧化銨(TMAH)濕法各向異性蝕刻和基于等離子體的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蝕刻的制造層。4英寸c-Si晶片的TMAH蝕刻在80℃的溫度
2022-06-10 17:22:589764 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴?b class="flag-6" style="color: red">硅微米和納米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因?yàn)椴煌娴腟i原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
來源：易百納技術(shù)社區(qū) 隨著人工智能技術(shù)的不斷進(jìn)步，深度學(xué)習(xí)成為計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域的重要技術(shù)。微表情識別作為人類情感分析的一種重要手段，受到了越來越多的關(guān)注。本文將介紹基于深度學(xué)習(xí)的微表情識別技術(shù)，并提
2023-08-14 17:27:053846 
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
硅技術(shù)引領(lǐng)汽車設(shè)計(jì)時(shí)代現(xiàn)代汽車中的半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品正在迅猛增加，消費(fèi)者對附加功能的需求正將汽車從一個(gè)以電氣系統(tǒng)為輔的機(jī)械系統(tǒng)，變成一個(gè)沒有電子系統(tǒng)就無法正常運(yùn)行的機(jī)電系統(tǒng)。這一發(fā)展趨勢刺激了市場對優(yōu)質(zhì)、強(qiáng)大并具有成本效益的硅解決方案的需求。
2009-12-11 16:07:32
光子集成電路(PIC)是一項(xiàng)新興技術(shù)，它基于晶態(tài)半導(dǎo)體晶圓集成有源和無源光子電路與單個(gè)微芯片上的電子元件。硅光子是實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展性、低成本優(yōu)勢和功能集成性的首選平臺(tái)。采用該技術(shù)，輔以必要的專業(yè)知識，可
2017-11-02 10:25:07
利用準(zhǔn)分子納秒激光誘導(dǎo)的細(xì)長須狀結(jié)構(gòu)和飛秒激光輻照下產(chǎn)生的具有表面枝蔓狀納米結(jié)構(gòu)的錐形微結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,這種尖峰微結(jié)構(gòu)的形成與輻照激光的波長和脈沖持續(xù)時(shí)間有關(guān)。對空氣中微構(gòu)造硅的輻射反射的初步研究
2010-04-22 11:41:53
、氫氟酸系、硫酸鹽系、硫酸系、堿性氯化銅和酸性氯化銅系。蝕刻開始時(shí)，金屬板表面被圖形保護(hù)，其余金屬面均和蝕刻液接觸，此時(shí)蝕刻垂直向深度進(jìn)行。當(dāng)金屬表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側(cè)出現(xiàn)新的金屬面，這時(shí)蝕刻液
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
概覽高端設(shè)計(jì)工具為少有甚是沒有硬件設(shè)計(jì)技術(shù)的工程師和科學(xué)家提供現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。無論你使用圖形化設(shè)計(jì)程序，ANSI C語言還是VHDL語言，如此復(fù)雜的合成工藝會(huì)不禁讓人去想FPGA真實(shí)
2019-07-29 08:12:26
批量微加工主條目：批量微加工批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整個(gè)厚度用于構(gòu)建微機(jī)械結(jié)構(gòu)。[18]使用各種蝕刻工藝來加工硅。玻璃板或其他硅片的陽極鍵合可用于添加三維尺寸的特征并進(jìn)
2021-01-05 10:33:12
的RFID標(biāo)簽?zāi)陀媚晗逓槭暌陨稀?按照美國護(hù)照案（e-passport）要求，其tag之耐用年限基本要求為十年以上，必須采用蝕刻技術(shù)制造。以下簡單介紹繞線、印刷二種技術(shù)的特點(diǎn)和差異。
2019-06-26 06:17:24
鏡面硅結(jié)構(gòu)時(shí)，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
適用范圍 印制線路板制造業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū)集中開展含銅蝕刻廢液綜合利用。 主要技術(shù)內(nèi)容 一、基本原理 將印制線路板堿性蝕刻廢液與酸性氯化銅蝕刻廢液進(jìn)行中和沉淀，生成的堿式氯化銅沉淀用于生產(chǎn)工業(yè)級硫酸銅；沉淀
2018-11-26 16:49:52
當(dāng)前MEMS技術(shù)在傳感器領(lǐng)域已得到廣泛應(yīng)用并取得了巨大成功。使用硅基微機(jī)械加工方法制作的微傳感器不僅體積小，成本低，機(jī)械牲好，并且能方便地與IC集成。形成復(fù)雜的微系統(tǒng)。
2011-03-22 17:44:34
。 體微加工采用各向異性蝕刻技術(shù)，切割硅晶圓或石英晶圓，從而創(chuàng)造出結(jié)構(gòu)。 結(jié)構(gòu)的特性尺寸由晶圓厚度以及蝕刻角度確定。 諸如晶圓鍵合等工藝可用來削減晶圓厚度，但哪怕采用了這項(xiàng)先進(jìn)的工藝，加速度計(jì)傳感器尺寸
2018-10-15 10:33:54
本文將介紹和比較在硅光電子領(lǐng)域中使用的多種激光器技術(shù)，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術(shù)。我們還會(huì)深入探討用于各種技術(shù)的測試方法，研究測試如何在推動(dòng)成本下降和促進(jìn)硅光子技術(shù)廣泛普及的過程中發(fā)揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
晶片與工作臺(tái)面間的空間小，氣體噴出凹槽噴出的氣體對蝕刻液會(huì)形成阻力，造成蝕刻液回滲太少，去除晶片邊緣上的硅針效果不佳?！ 榱丝朔F(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是為了解決上述問題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
2018-03-16 11:53:10
隨著汽車電子
技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的車用機(jī)械儀表盤已呈現(xiàn)出向數(shù)字儀表過度的趨勢，與
之對應(yīng)的全部功能顯示也將被渲染后的高清畫面所取代。而引起這一巨大變革的根源，卻是一個(gè)只有一元硬幣大小的集成電子芯片--圖形儀表盤MCU（圖形儀表盤
微控制單元），今天我們就以之為題為您講述汽車儀表變革背后的故事?！ ?/div>
2019-07-09 06:03:04
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡介微互連技術(shù)簡介定義：將芯片凸點(diǎn)電極與載帶的引線連接，經(jīng)過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶：即帶狀載體，是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經(jīng)蝕刻而形成的引線框架，而且芯片
2012-01-13 14:58:34
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
納電子技術(shù)涉及許多專門領(lǐng)域，是一門高度交叉的學(xué)科。物半導(dǎo)體納電子技術(shù)，碳納管電子技術(shù)和分子電子技術(shù)上，對這些領(lǐng)域的新進(jìn)展也作簡要評論。關(guān)鍵詞：納電子學(xué)，碳納
2009-08-03 08:20:03
16 一種改良過的適用于生產(chǎn)超精密板的蝕刻技術(shù) Vacuum Etching T
2006-04-16 21:23:152955
印制線路板的蝕刻技術(shù)
2009-09-08 14:53:52618 
印制電路板的蝕刻設(shè)備和技術(shù)
印制電路板的蝕刻可采用以下方法:
1 )浸入蝕刻;
2) 滋泡蝕刻;
3)
2009-11-18 08:54:212815 微晶硅技術(shù)
2009-12-28 09:43:54890 編者按：英特爾近日舉辦了一場架構(gòu)日活動(dòng)，公布了未來多年的產(chǎn)品技術(shù)路線圖、戰(zhàn)略規(guī)劃，范圍之廣、之深堪稱前所未有。 《福布斯》隨即發(fā)布了資深分析師Patrick Moorhead的深度分析文章，他關(guān)注
2018-12-17 15:02:51319 24張PPT解讀半導(dǎo)體單晶硅生長及硅片制備技術(shù)
2019-07-26 18:03:448751 解讀物聯(lián)網(wǎng)系列之RFID。
2019-08-20 10:22:305049 
側(cè)蝕問題是蝕刻參數(shù)中經(jīng)常被提出來討論的一項(xiàng)，它被定義為側(cè)蝕寬度與蝕刻深度之比， 稱為蝕刻因子。
2019-09-02 10:17:392276 深度反應(yīng)離子刻蝕或DRIE是一種相對較新的制造技術(shù)，已被MEMS社區(qū)廣泛采用。這項(xiàng)技術(shù)可以在硅基板上執(zhí)行非常高的縱橫比蝕刻。蝕刻的孔的側(cè)壁幾乎是垂直的，并且蝕刻深度可以是進(jìn)入硅襯底的數(shù)百甚至數(shù)千微米。
2020-04-12 17:24:003426 
據(jù)陳之昀博士介紹，紐迪瑞具有獨(dú)立知識產(chǎn)、獨(dú)立開發(fā)的、成套的技術(shù)體系，擁有62項(xiàng)國內(nèi)外專利，此外還有一支90余人的高素質(zhì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)支持其壓感觸控技術(shù)的研發(fā)和迭代，其中包含11名博士、28名碩士。
2020-04-28 15:35:225646 mask），然后將未被覆蓋之UBM金屬層作蝕刻去除，以隔離個(gè)別凸塊。它是覆晶技術(shù)中的一個(gè)關(guān)鍵制程，因?yàn)閁BM蝕刻不完全，將會(huì)引起電性短路（Short）；反之如果UBM過度蝕刻，則會(huì)造成底切（Undercut）問題，甚至蝕刻到凸塊本身，最后影響電子組件之可靠度。
2020-09-29 08:00:0064 隨著全球電子產(chǎn)品市場的需求升級和快速擴(kuò)張，電子產(chǎn)品的小型化、高精密、超細(xì)線路印制電路板技術(shù)正進(jìn)入一個(gè)突飛猛進(jìn)的發(fā)展時(shí)期。為了能滿足市場不斷提升的需求，特別是在超細(xì)線路技術(shù)領(lǐng)域，傳統(tǒng)落后的蝕刻技術(shù)正被
2022-12-26 10:10:333695 硅基AMOLED微顯示技術(shù)介紹 ?? 以單晶硅半導(dǎo)體為襯底，在半導(dǎo)體中集成了由千萬個(gè)晶體管構(gòu)成CMOS驅(qū)動(dòng)電路，CMOS驅(qū)動(dòng)電路頂層制作OLED有機(jī)發(fā)光二極管，是同時(shí)實(shí)現(xiàn)高分辨率和微小尺寸的微型
2021-03-29 15:59:016562 
單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔，它們在器件中有很大的應(yīng)用。
2021-12-17 15:26:071452 
低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術(shù)，我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:211405 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:351043 
本文描述了我們?nèi)A林科納制造微系統(tǒng)的新LTCC技術(shù)，簡要概述了各種LTCC傳感器、執(zhí)行器、加熱和冷卻裝置，簡要介紹了LTCC技術(shù)的最新應(yīng)用(燃料電池、微反應(yīng)器、光子學(xué)和MOEMS封裝)。本文介紹了典型
2022-02-07 15:13:091003 
我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面，同時(shí)通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:551186 
：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁本工作采用光刻和刻蝕技術(shù)對晶圓進(jìn)行深度刻蝕，使晶圓厚度小于20μm。 關(guān)鍵詞:IBC太陽能電池，掩模蝕刻，光刻，反應(yīng)離子蝕刻，TMAH蝕刻 介紹 太陽能顯示出供應(yīng)潛力，這個(gè)因素取決于對高效率光伏器件和降低制造成本的需求
2022-02-23 17:43:371229 
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60 時(shí) 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
摘要 微機(jī)電系統(tǒng)中任意三維硅結(jié)構(gòu)的微加工可以用灰度光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)以及干各向異性蝕刻。 在本研究中，我們研究了深反應(yīng)離子蝕刻（DRIE）的使用和蝕刻的裁剪精密制造的選擇性。 對硅負(fù)載、O2階躍的引入、晶
2022-03-08 14:42:571476 
在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:421074 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43852 
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護(hù)晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581827 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
質(zhì)的影響。蝕刻率由深度蝕刻隨時(shí)間的變化來確定。結(jié)果表明，隨著蝕刻時(shí)間的延長，硅的厚度減重增加。在高分辨率光學(xué)顯微鏡下，可以觀察到蝕刻的硅片表面的粗糙表面。XRD分析表明，蝕刻后硅的晶體峰強(qiáng)度變?nèi)?，說明在硅襯底上
2022-03-18 16:43:111211 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201 
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術(shù)制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:591360 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461416 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05729 
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護(hù)晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-04-20 16:11:573346 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑
2022-05-05 16:37:364132 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過
2022-05-06 15:50:39939 
在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進(jìn)，并且新的結(jié)果顯示，在5 μm
2022-05-11 15:46:191455 
本文講述了我們?nèi)A林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機(jī)制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結(jié)處的成核的影響，以這種方式影響蝕刻或生長速率的結(jié)可以被
2022-05-20 17:12:591881 
晶圓的處理—微影成像與蝕刻資料分享。
2022-05-31 16:04:213 引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速率。然后，基于測量數(shù)據(jù)，檢驗(yàn)了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:482253 
高效交錯(cuò)背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，以提供足夠的家庭消費(fèi)能源。我們認(rèn)為，即使在20μm的厚度下，借助光捕獲方案，適當(dāng)鈍化的IBC電池也能保持20%的效率。在這項(xiàng)工作中，光刻和蝕刻技術(shù)被用于對厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蝕刻。
2022-06-28 11:20:261 微納馬達(dá)作為以微納技術(shù)為理論發(fā)展起來的新產(chǎn)物，是一種可以將外界環(huán)境中的能量例如化學(xué)能、光能、電能以及其他形式的能量轉(zhuǎn)化為自身機(jī)械能且尺寸介于微納米之間的動(dòng)力機(jī)器。近年來，由于微/納馬達(dá)巨大的科學(xué)價(jià)值和廣泛的應(yīng)用前景，科研工作者對微/納馬達(dá)的研究日益增多，漸漸的成為了研究熱點(diǎn)之一。
2022-10-27 15:59:55843 硅光(SiliconPhotonics)技術(shù)是指用成熟的硅基工藝，在硅基底上直接蝕刻或集成電芯片、調(diào)制器、探測器、光柵耦合器、光波導(dǎo)、合分波器、環(huán)形器等器件。
2022-12-13 11:20:261887 近些年來，微納制造技術(shù)不斷發(fā)展和突破，在新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，尤其在MEMS、微納光學(xué)、微流體等領(lǐng)域顯示出越來越大的潛力，越來越多的企業(yè)和人才投入其中，開啟了技術(shù)產(chǎn)品化、工程化、產(chǎn)業(yè)化的歷程。
2023-01-10 10:21:331044 隨著微納科技的迅猛發(fā)展，具有微米運(yùn)動(dòng)范圍及微／納米級定位精度的精密定位平臺(tái)及相關(guān)技術(shù)己被廣泛應(yīng)用于微系統(tǒng)工程、生物工程、醫(yī)學(xué)工程、光學(xué)制造、航空航天等重要科學(xué)工程領(lǐng)域。但目前具有亞微米級以上
2023-01-12 11:04:453972 芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布與廣東希荻微電子股份有限公司（以下簡稱希荻微）達(dá)成協(xié)議： 納微半導(dǎo)體以2,000萬美元等值的股票獲取希荻微控股的硅控制器合資企業(yè)的剩余少數(shù)股權(quán)。 2021年，納微半導(dǎo)體與希荻微成立合資
2023-02-02 16:17:44813 
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:122603 
關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:169531 
微納加工技術(shù)是先進(jìn)制造的前沿技術(shù)，但是受到基礎(chǔ)裝備、工藝技術(shù)、行業(yè)基礎(chǔ)等多方面影響，中國的超精密加工技術(shù)與應(yīng)用與世界先進(jìn)水平之間仍有巨大差距。為解決微型零件加工需求，速科德創(chuàng)新研發(fā)了超高精密設(shè)備KASITE-SKD系列微納加工中心，加工余量范圍20nm-100μm。
2023-07-18 14:11:052375 
方式收購昆騰微30名股東合計(jì)持有昆騰微67.60%股權(quán)。 昆騰微主要是從事模擬集成電路的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，昆騰微的主要產(chǎn)品包括音頻SoC芯片和信號鏈芯片。 納芯微看中的估計(jì)是昆騰微的技術(shù)IP、高性能模數(shù)/數(shù)模轉(zhuǎn)換技術(shù)。 納芯微電子 納芯微電子
2023-08-14 17:18:502096 激光微納加工技術(shù)利用激光脈沖與材料的非線性作用，可以<100nm精度實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方法難以實(shí)現(xiàn)的復(fù)雜功能結(jié)構(gòu)和器件的增材制造。而激光直寫（DLW）光刻是一項(xiàng)具有空間三維加工能力的微納加工技術(shù)，在微納集成器件制造中發(fā)揮著重要作用。
2023-12-22 10:34:203391 
近年來，隨著科技的不斷發(fā)展，微納加工技術(shù)逐漸成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要工具。
2024-01-23 10:43:283855 
（什么是蝕刻？）蝕刻是一種利用化學(xué)強(qiáng)酸腐蝕、機(jī)械拋光或電化學(xué)電解對物體表面進(jìn)行處理的技術(shù)。從傳統(tǒng)的金屬加工到高科技半導(dǎo)體制造，都在蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍之內(nèi)。在印刷電路板(PCB)打樣中，蝕刻工藝一旦
2024-05-29 14:39:43642 
在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展，并在“納微芯球”展臺(tái)上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171 7月3日上午，長沙麓邦光電科技有限公司（簡稱麓邦光電）與湖南師范大學(xué)聯(lián)合共建的微納光電子技術(shù)校企聯(lián)合研發(fā)中心揭牌儀式正式舉行。湖南師范大學(xué)副校長潘安練教授、麓邦光電總經(jīng)理李曉春先生出席致辭，湖南
2024-07-05 14:01:58825 
玻璃表面蝕刻紋路由于5G時(shí)代玻璃手機(jī)后蓋流行成為趨勢，預(yù)測大部分中高端機(jī)型將采用玻璃作為手機(jī)的后蓋板。因此，基于玻璃材質(zhì)的微加工工藝也就成為CMF研究中不可回避的一個(gè)技術(shù)問題。而且，由玻璃材質(zhì)
2024-07-17 14:50:012128 
深度解讀 VCXO VG7050CDN：可變晶體振蕩器的卓越之選
2024-07-24 10:58:071000 激光微納制造技術(shù)是一種基于激光技術(shù)的微納米級制造方法，它在現(xiàn)代科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。本文將從激光微納制造技術(shù)的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及發(fā)展前景三個(gè)方面進(jìn)行介紹。 一、激光微納制造技術(shù)的基本原理 激光
2024-09-13 06:22:121274 GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案，預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867 近日，威睿電動(dòng)汽車技術(shù)（寧波）有限公司（簡稱“威睿公司”）2024年度供應(yīng)商伙伴大會(huì)于浙江寧波順利召開。納微達(dá)斯（無錫）半導(dǎo)體有限公司（簡稱“納微半導(dǎo)體”）憑借在第三代功率半導(dǎo)體中的技術(shù)創(chuàng)新和協(xié)同成果，喜獲“優(yōu)秀技術(shù)合作獎(jiǎng)”。
2025-03-04 09:38:23970 聚焦離子束（FocusedIonBeam,FIB）
技術(shù)是
微納加工領(lǐng)域中不可或缺的關(guān)鍵
技術(shù)。它憑借高精度、高靈活性和多功能性，成為眾多
微納加工
技術(shù)中的佼佼者。通過精確控制電場和磁場，F(xiàn)IB
技術(shù)能夠?qū)?/div>
2025-03-05 12:48:11895 
2025年5月10日-11日，由中國微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)主辦，南京大學(xué)、蘇州市集成電路創(chuàng)新中心聯(lián)合承辦的第三屆微納器件與系統(tǒng)創(chuàng)新論壇（2025）暨中國微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)微納技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新大會(huì)系列會(huì)議將于
2025-05-06 18:44:061269 
會(huì)議回顧2025年5月10日-11日，由中國微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)主辦的第三屆微納器件與系統(tǒng)創(chuàng)新論壇在蘇州獅山國際會(huì)議中心順利召開。本次會(huì)議將以“凝聚優(yōu)勢力量引領(lǐng)微納創(chuàng)新”為主題，聚焦微納器件與系統(tǒng)
2025-05-15 18:31:191000 
上回我們講到了微加工激光切割技術(shù)在陶瓷電路基板的應(yīng)用，這次我們來聊聊激光蝕刻技術(shù)的前景。陶瓷電路基板(Ceramic Circuit Substrate)是一種以高性能陶瓷材料為絕緣基體，表面通過
2025-06-20 09:09:451531 微納傳感技術(shù)是傳感器前沿發(fā)展方向。10月18日~19日，數(shù)百位國內(nèi)頂尖高校、科研院所、知名傳感器企業(yè)的學(xué)者、專家，齊聚微納傳感技術(shù)與檢測創(chuàng)新論壇（2025），共話微納傳感新未來！
2025-10-23 17:28:131124 科技作為華潤微官方授權(quán)代理商，深度整合原廠資源與行業(yè)服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，從技術(shù)特性、場景適配、合作支撐等維度，為客戶提供全鏈路賦能解讀，助力項(xiàng)目高效落地。 一、雙芯布局：精準(zhǔn)匹配車載音頻全場景需求 車載音頻系統(tǒng)呈現(xiàn)明顯的層級化需求，從
2025-12-26 16:14:38186 已全部加載完成
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