一種簡(jiǎn)單的可控硅好壞判斷方法
2009-07-28 08:17:03
6506 硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對(duì)晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依賴性，可以以高度可控和可重復(fù)的方式制備多種硅
2022-03-08 14:07:252479 
的使用量，同時(shí)在PR去除效果方面被評(píng)價(jià)為與現(xiàn)有SPM溶液（硫酸/過氧化氫混合液）工藝相當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)。但是臭氧水工藝是臭氧氣體對(duì)水的溶解度低、水中擴(kuò)散阻力大的根本制約因素，以目前國(guó)內(nèi)外技術(shù)水平的低PR去除性能
2022-03-16 11:53:151635 
的蝕刻溶液內(nèi)進(jìn)行蝕刻。（圖3、圖4） 在連接到陽兢的半導(dǎo)體硅基板上，將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對(duì)向，在夾子中放入氮?dú)馀菖荩ㄟ^該泡泡注入地素的半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，一種半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，使氮?dú)馀菽髋c
2022-03-24 16:47:484409 
在本研究中，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì)，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:493096 
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區(qū)域，同時(shí)以低于第一速率蝕刻掩模層。
2022-03-29 14:55:272151 
大縮短了晶體硅的少數(shù)載流子壽命，通過沉積二氧化硅薄膜使黑硅表面鈍化，可以有效地調(diào)節(jié)和控制。最后，以黑硅為基礎(chǔ)制造了一種PIN光探測(cè)器，與無蝕刻工藝的PIN硅光探測(cè)器相比，在1060nm處獲得了更高的責(zé)任，為0.57A/W。
2022-04-06 14:31:353609 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測(cè)量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率
2022-04-07 13:18:161509 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法，描述了一種通過將氮?dú)馔ㄟ^高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。
2022-04-11 16:41:191960 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600∶1
2022-05-05 10:59:151463 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴?b class="flag-6" style="color: red">硅微米和納米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因?yàn)椴煌娴腟i原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:162584 
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
設(shè)備的工業(yè)生產(chǎn)中。但是在許多情況下，這兩者之間的區(qū)別已經(jīng)減少。一種新的刻蝕技術(shù)，即深反應(yīng)離子刻蝕，使結(jié)合體微加工和梳狀結(jié)構(gòu)的典型性能以及表面微加工的典型面內(nèi)操作相結(jié)合成為可能。盡管在表面微機(jī)械加工中通常
2021-01-05 10:33:12
有效期--一年（15-25 °C）鉻蝕刻劑Chromium Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC鉻蝕刻劑是一種高純度可精確清潔蝕刻鉻或氧化鉻薄膜的硝酸銨
2008-12-30 18:44:48
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝?yán)昧嗽?b class="flag-6" style="color: red">氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
顆粒4、去除原生氧化物。其中，單獨(dú)使用 DI-O3 水無法去除原生氧化物，但臭氧技術(shù)可以在裸硅上重新生成干凈的氧化物以滿足某些工藝要求，如上一節(jié)所述。對(duì)于其他過程，DI-O3 水可以單獨(dú)工作，也可以與其
2021-07-06 09:36:27
的寬帶隙使其可以用于藍(lán)色/紫外線發(fā)光二極管和激光二極管，并且由于其固有載流子濃度低，可以在非常高的溫度下工作。 氧化鋅是一種具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的直接寬帶隙材料，可用于氣體傳感器、透明電極、液晶顯示
2021-10-14 11:48:31
鏡面硅結(jié)構(gòu)時(shí)，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
本文介紹一種基于虛擬串口的GPS／GSM遠(yuǎn)程定位技術(shù)。
2021-05-25 07:14:20
IPSec協(xié)議是什么？一種基于SoC的IPSec協(xié)議實(shí)現(xiàn)技術(shù)
2021-05-26 07:05:43
介紹一種無線電測(cè)向技術(shù)
2021-05-26 06:40:24
本文介紹了一種汽車無線接入技術(shù)的解決方案。
2021-05-12 06:40:56
分享一種Bluetooth 2.1+EDR版本的藍(lán)牙技術(shù)
2021-05-26 06:45:04
分享一種CameraCube新型圖像傳感技術(shù)
2021-06-08 09:29:49
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術(shù)，它只需一個(gè)裝滿蝕刻洛液的槽，把板子整個(gè)浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間，且蝕刻速度非常緩慢?？梢酝ㄟ^加熱蝕刻溶液的方法來
2018-09-11 15:27:47
如何利用51單片機(jī)去實(shí)現(xiàn)一種可控硅調(diào)光的設(shè)計(jì)？其源代碼該怎樣去實(shí)現(xiàn)呢？
2022-01-17 09:34:33
如何去實(shí)現(xiàn)一種智能天線技術(shù)？求過程
2021-05-25 06:03:02
什么是硅基CMOS技術(shù)？如何去實(shí)現(xiàn)一種石墨烯CMOS技術(shù)？
2021-06-17 07:05:17
本文將介紹和比較在硅光電子領(lǐng)域中使用的多種激光器技術(shù)，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術(shù)。我們還會(huì)深入探討用于各種技術(shù)的測(cè)試方法，研究測(cè)試如何在推動(dòng)成本下降和促進(jìn)硅光子技術(shù)廣泛普及的過程中發(fā)揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
晶片與工作臺(tái)面間的空間小，氣體噴出凹槽噴出的氣體對(duì)蝕刻液會(huì)形成阻力，造成蝕刻液回滲太少，去除晶片邊緣上的硅針效果不佳?！ 榱丝朔F(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是為了解決上述問題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
2018-03-16 11:53:10
如何去區(qū)分燃?xì)鈭?bào)警器和煤氣報(bào)警器呢？燃?xì)鈭?bào)警器和煤氣報(bào)警器的區(qū)別再哪？有沒有一種可同時(shí)監(jiān)測(cè)燃?xì)夂?b class="flag-6" style="color: red">一氧化碳的傳感器呢？
2021-07-19 08:12:28
Jini的基本原理是什么？其結(jié)構(gòu)是怎樣的？藍(lán)牙技術(shù)的基本原理是什么？其結(jié)構(gòu)是怎樣的？求一種Jini與藍(lán)牙技術(shù)的結(jié)合應(yīng)用方案
2021-06-04 06:05:46
一種基于DSP的移動(dòng)平臺(tái)ATP技術(shù)的應(yīng)用設(shè)計(jì)
2021-05-25 07:03:21
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
我對(duì)工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應(yīng)該怎么做？（有個(gè)思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
一種新型陽極氧化多孔硅技術(shù):在適當(dāng)條件下氧化多孔硅是提高多孔硅發(fā)光強(qiáng)度的良好途徑,提出了一種新型陽極氧化方法,并探討了該方法所涉及的陽極氧化條件。采用含CH3CSNH2 的HF
2009-12-29 23:38:47
13 介紹了小功率臭氧發(fā)生器電源的整體設(shè)計(jì)思路。電源為半橋逆變拓?fù)?采用功率MOSFET作為開關(guān)管器件,針對(duì)小功率使用領(lǐng)域使用電流互感器電路驅(qū)動(dòng)MOSFET。提出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的控制電
2010-07-14 16:09:08149 一種改良過的適用于生產(chǎn)超精密板的蝕刻技術(shù) Vacuum Etching T
2006-04-16 21:23:152955 一種新型的可拉伸硅集成電路
諾斯大學(xué)的研究人員開發(fā)了一種新型的可拉伸硅集成電路,這種電路可以緊貼球體、人體表面和
2008-07-29 14:00:541482 臭氧是常溫下一種有特殊臭味的淡藍(lán)色氣體，化學(xué)式為O3，具有極強(qiáng)的氧化性。臭氧在常溫常壓下穩(wěn)定性較差，可自行分解成氧氣。吸入少量的該氣體對(duì)人體有益，過量則會(huì)損害人體健康。因此，在使用臭氧對(duì)自來水消毒時(shí)，需要臭氧傳感器對(duì)消毒處理后的尾氣進(jìn)行檢測(cè)，以臭氧濃度含量過高的尾氣危害到空氣環(huán)境和人員健康。
2018-06-07 11:28:001650 RS-158蝕刻添加劑可直接添加于蝕刻母液中使用，操作簡(jiǎn)單。為了開缸和后續(xù)添加時(shí)控制方便，將RS-158蝕刻添加劑分為RS-158A與RS-158B。RS-158A：主要作用加速垂直咬蝕力（即加快正蝕速度），開缸后如出現(xiàn)下降速度超過25%，可單獨(dú)添加RS-158A；
2018-08-08 16:25:349815 深度反應(yīng)離子刻蝕或DRIE是一種相對(duì)較新的制造技術(shù)，已被MEMS社區(qū)廣泛采用。這項(xiàng)技術(shù)可以在硅基板上執(zhí)行非常高的縱橫比蝕刻。蝕刻的孔的側(cè)壁幾乎是垂直的，并且蝕刻深度可以是進(jìn)入硅襯底的數(shù)百甚至數(shù)千微米。
2020-04-12 17:24:003426 
由于現(xiàn)在環(huán)境污染比較嚴(yán)重，大家在日常生活中都開始重視消毒殺菌了。消毒殺菌的方法有很多，比如臭氧消毒，這種是許多人選擇的方法之一。臭氧是一種強(qiáng)消毒劑和氧化劑，臭氧在生活中的殺菌和利用可以更好地保護(hù)人體健康。
2020-04-24 17:02:123636 隨著全球電子產(chǎn)品市場(chǎng)的需求升級(jí)和快速擴(kuò)張，電子產(chǎn)品的小型化、高精密、超細(xì)線路印制電路板技術(shù)正進(jìn)入一個(gè)突飛猛進(jìn)的發(fā)展時(shí)期。為了能滿足市場(chǎng)不斷提升的需求，特別是在超細(xì)線路技術(shù)領(lǐng)域，傳統(tǒng)落后的蝕刻技術(shù)正被
2022-12-26 10:10:333695 臭氧作為一種在常溫常壓下具有魚腥味的淡藍(lán)色氣體，氧化性很強(qiáng)，能殺死細(xì)菌、病毒等微生物，還能氧化多種無機(jī)和有機(jī)物，起到脫色、去味的作用，在污水處理中得到了廣泛的應(yīng)用。由于臭氧是一種有毒的強(qiáng)氧化劑，一
2020-11-03 16:43:471185 臭氧發(fā)生器是一種用來制取臭氧的裝置。臭氧容易分解，不能儲(chǔ)存，需要現(xiàn)場(chǎng)準(zhǔn)備和使用（特殊情況下可以短時(shí)間儲(chǔ)存）。因此，在所有可以使用臭氧的地方都應(yīng)該使用臭氧發(fā)生器。臭氧發(fā)生器廣泛應(yīng)用于飲用水、工業(yè)氧化、食品保鮮、空間殺菌等領(lǐng)域。臭氧發(fā)生器產(chǎn)生的臭氧氣體可以直接利用，也可以通過混合裝置與液體混合參與反應(yīng)。
2020-12-15 14:14:442131 眾所周知，臭氧檢測(cè)儀是一種專門應(yīng)用于臭氧分水器、臭氧發(fā)生器，臭氧制備間，臭氧消毒機(jī)等場(chǎng)所和設(shè)備中，會(huì)存在高、低不同濃度的臭氧氣體等場(chǎng)合所使用的一種氣體檢測(cè)義。
2020-12-17 15:57:433504 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:351043 
引言 在使用濕化學(xué)硅體微機(jī)械加工制造微機(jī)電系統(tǒng)時(shí)，使用堿性溶液，如氫氧化鉀、氫氧化四甲銨和氫氧化銨。除了微機(jī)械加工之外，堿性溶液還用于單晶硅的表面紋理化，以降低反射率并改善高效硅太陽能電池的光捕獲
2021-12-28 16:36:402146 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說，它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:333264 
介紹 在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究
2022-01-20 16:46:481197 
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對(duì)蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測(cè)量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60 時(shí) 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
各向異性蝕刻劑通過掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上產(chǎn)生由（ 100）和（111）平面組成的孔。在這種情況下，孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異性蝕刻工藝蝕刻整個(gè)表面，則上部拐角變圓。例如
2022-03-07 15:26:14966 
在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:421074 
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風(fēng)險(xiǎn)，建議用戶使用在執(zhí)行工藝之前，請(qǐng)仔細(xì)閱讀材料安全數(shù)據(jù)表。
2022-03-10 16:43:352248 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43852 
我們開發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺(tái)面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:421371 
本文報(bào)告了證明硅的預(yù)氧化清洗對(duì)5種不同清洗程序的氧化動(dòng)力學(xué)的影響的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。這些清洗處理包括簡(jiǎn)單地沖洗以及nh4OH-HHCI-H202和HF溶液的組合。在低厚度下計(jì)算的不同速率表明了界面效應(yīng)對(duì)初始
2022-03-17 16:06:32734 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
使用酸性或氟化物溶液對(duì)硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對(duì)浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:111211 
在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測(cè)量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn)，測(cè)量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個(gè)涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00966 
利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個(gè)涉及硅的局部陽極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過程來實(shí)現(xiàn)的。利用這一方法，可以通過改變蝕刻條件來制造負(fù)圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54840 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201 
和水熱蝕刻制備黑硅具有更大的優(yōu)勢(shì)。它為制備黑硅可見光和近紅外光電子器件提供了一種合適而經(jīng)濟(jì)的方法。本文采用濕式蝕刻法制備了微結(jié)構(gòu)硅，并對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，并對(duì)其光學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試。
2022-03-29 16:02:591360 
本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測(cè)發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高可
2022-04-06 13:32:13880 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
本發(fā)明涉及一種感光膜去除方法，通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡(jiǎn)化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。
2022-04-12 16:30:26856 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對(duì)所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測(cè)發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高可
2022-04-15 10:18:45764 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測(cè)量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05729 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑
2022-05-05 16:37:364132 
摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制反應(yīng)，代替脫蠟器
2022-05-07 15:49:261611 
在本文中，結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗(yàn)和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項(xiàng)研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)系，并提出了一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型
2022-05-09 14:27:58778 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:202627 我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量。數(shù)據(jù)表明，當(dāng)使用貨車輪圖案時(shí)，存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng)，這掩蓋了真實(shí)的表面反應(yīng)速率限制的蝕刻速率。與以前的報(bào)道相反，從受反應(yīng)物傳輸
2022-05-11 16:30:56659 
介紹 硅或二氧化硅已被用作犧牲層來制造獨(dú)立式結(jié)構(gòu)，例如微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)中的梁、懸臂和隔膜。傳統(tǒng)的含水HF已經(jīng)廣泛用于蝕刻二氧化硅犧牲層，因?yàn)樗杀镜土?。然而，?dāng)具有高縱橫比的結(jié)構(gòu)在含水蝕刻
2022-05-23 17:01:431891 
引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測(cè)量它們的蝕刻速率。然后，基于測(cè)量數(shù)據(jù)，檢驗(yàn)了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:482252 
通過使用多級(jí)等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動(dòng)蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對(duì)于等離子體蝕刻部分，使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57985 
臭氧是目前空氣污染源中最常見的一種。臭氧雖然來去無蹤，但對(duì)健康的危害不容忽視。臭氧濃度達(dá)到50%ppb(十億分率，1ppb也就是十億分之一)，人就會(huì)開始出現(xiàn)鼻粘膜和咽喉粘膜的影響，隨著濃度的增加
2022-11-21 15:20:594646 金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:438844 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:122602 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:403202 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:051666 
。由于臭氧具有的強(qiáng)氧化性，近地面的臭氧則是一種有害氣體，甚至?xí)蔀椤敖】禋⑹帧?。如果空氣中?b class="flag-6" style="color: red">臭氧濃度過高，很容易引起上呼吸道的炎癥病變，出現(xiàn)咳嗽、頭疼等癥狀，還會(huì)對(duì)皮膚、眼睛、鼻黏膜產(chǎn)生刺激。所以并不見
2022-01-21 10:20:11833 
。由于臭氧具有的強(qiáng)氧化性，近地面的臭氧則是一種有害氣體，甚至?xí)蔀椤敖】禋⑹帧薄Ｈ绻諝庵械?b class="flag-6" style="color: red">臭氧濃度過高，很容易引起上呼吸道的炎癥病變，出現(xiàn)咳嗽、頭疼等癥狀，還會(huì)對(duì)皮膚、眼睛、鼻黏膜產(chǎn)生刺激。所以并不見
2021-12-14 10:45:45709 
是最常用的一種原理，它利用臭氧在紫外波段具有特定吸收特性的原理，通過光譜技術(shù)來測(cè)量臭氧濃度。 二、臭氧檢測(cè)儀的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 環(huán)境監(jiān)測(cè) 環(huán)境監(jiān)測(cè)部門使用臭氧檢測(cè)儀對(duì)大氣中的臭氧濃度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，以評(píng)估空氣質(zhì)量。通過長(zhǎng)
2023-06-26 16:48:242225 臭氧-去離子水 (O3 -DI) 工藝可以集成到臭氧 (O3) 具有工藝優(yōu)勢(shì)的各種水性應(yīng)用中。 溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 過氧化物混合物中過氧化氫的替代品，從而降低所用化學(xué)品的成本，同時(shí)將
2023-07-07 17:25:07798 蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系?b class="flag-6" style="color: red">一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03922 
臭氧老化試驗(yàn)箱是一種專門用于模擬和測(cè)試材料在臭氧環(huán)境下的老化性能的設(shè)備。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于橡膠、塑料、涂料等高分子材料的研究、生產(chǎn)和質(zhì)量控制等領(lǐng)域。本文將介紹臭氧老化試驗(yàn)箱的基本原理、技術(shù)
2023-08-22 10:16:311830 
過程中起著重要的作用。這種制造過程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區(qū)域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實(shí)現(xiàn)精確的圖案轉(zhuǎn)移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對(duì)SiGe選擇性的RIE技術(shù)尚未被發(fā)現(xiàn)。幸運(yùn)的是
2023-12-28 10:39:511694 
蝕刻時(shí)間和過氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:451302 
計(jì)算領(lǐng)域的潛在基礎(chǔ)材料。超薄二極管器件的制造需要去除用于同質(zhì)外延生長(zhǎng)的襯底。對(duì)于硅來說，這一任務(wù)通常通過選擇性蝕刻來實(shí)現(xiàn)。然而，對(duì)于鍺來說，由于與硅相比在化學(xué)和氧化行為上的根本差異，需要新的蝕刻技術(shù)。蝕刻由
2024-04-25 12:51:461182 
（什么是蝕刻？）蝕刻是一種利用化學(xué)強(qiáng)酸腐蝕、機(jī)械拋光或電化學(xué)電解對(duì)物體表面進(jìn)行處理的技術(shù)。從傳統(tǒng)的金屬加工到高科技半導(dǎo)體制造，都在蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍之內(nèi)。在印刷電路板(PCB)打樣中，蝕刻工藝一
2024-05-29 14:39:43642 
在材料科學(xué)領(lǐng)域，臭氧老化試驗(yàn)箱是一種至關(guān)重要的設(shè)備，用于評(píng)估材料在臭氧環(huán)境下的老化性能。臭氧作為一種強(qiáng)氧化劑，能與許多材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，加速其老化過程，而該試驗(yàn)箱正是模擬這一過程的專業(yè)工具。?上海
2025-03-10 15:04:34719 
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