提供了一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產(chǎn)生第一流體的彎液面?；逶诮咏^下方線性移動。還提供了單晶片清潔系統(tǒng)。
2022-03-22 14:11:04
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的蝕刻溶液內(nèi)進行蝕刻。（圖3、圖4） 在連接到陽兢的半導(dǎo)體硅基板上，將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對向，在夾子中放入氮氣泡泡，通過該泡泡注入地素的半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，一種半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，使氮氣泡沫器與
2022-03-24 16:47:484409 
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區(qū)域，同時以低于第一速率蝕刻掩模層。
2022-03-29 14:55:272151 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率
2022-04-07 13:18:161509 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
本文描述了我們?nèi)A林科納研究去除金屬硬掩模蝕刻后光致抗蝕劑去除和低k蝕刻后殘留物去除的關(guān)鍵挑戰(zhàn)并概述了一些新的非等離子體為基礎(chǔ)的方法。 隨著圖案尺寸的不斷減小，金屬硬掩模(MHM)蝕刻后留下的光刻抗蝕
2022-05-31 16:51:514269 
(BEOL)蝕刻中，在不去除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性是非常具有挑戰(zhàn)性的。概述了現(xiàn)狀、問題和一些新的方法。
2022-07-04 17:04:0811456 
針對密集波分復(fù)用(DWDM)技術(shù)中所使用的梳狀濾波器,對固體腔研磨厚度指標要求極高Δν=200GHz,Δd≤13.37nm,本文提出運用法布里-珀羅干涉理論(Fabry-Perot),研究設(shè)計了一種
2010-05-13 09:04:51
達到這個要求。而基片集成波導(dǎo)(SIW)技術(shù)為設(shè)計這種濾波器提供了一種很好的選擇。SIW的雙膜諧振器具有一對簡并模式，可以通過對諧振器加入微擾單元來使這兩個簡并模式分離，因此，經(jīng)過擾動后的諧振器可以看作一
2019-07-03 07:08:15
我試過很多方法制作pcb覺得感光油墨法制作pcb是最好的方法，成功率高，做出來的板子和工廠的沒什么區(qū)別！
2012-02-11 22:20:15
感光干膜和濕膜的優(yōu)缺點.濕膜刷不平也不影響么?誰有經(jīng)驗講講吧?到底哪個好,工廠是用哪個?
2012-11-05 19:40:37
層需要全部蝕刻，而留下的另一層就是電路。蝕刻的方法，我們主要討論化學(xué)方法，主要分為浸漬蝕刻、攪拌蝕刻以及噴射蝕刻。浸漬蝕刻就是把線路板進入容器中，容器中盛有蝕刻藥液。這種蝕刻方法比較慢，而且會存在凹陷
2017-02-21 17:44:26
用作基板，因為它是一種非常堅硬的材料
在片式厚膜工藝中，通常一個基板包括許多單元，激光可以蝕刻、成型和鉆孔。蝕刻是一種激光方法，其中激光脈沖被發(fā)射到氧化鋁材料中。一旦材料被點燃，就可以去除30% 到
2024-03-26 07:47:20
，通過光化學(xué)法，網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層，然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機械加工方法除去不需要的銅箔，在單
2018-09-21 16:45:08
導(dǎo)線線寬十分精細時將會產(chǎn)生一系列的問題。同時,側(cè)腐蝕（見圖4）會嚴重影響線條的均勻性。 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻
2018-11-26 16:58:50
的。經(jīng)過線路制程曝光后，透明部份因干膜阻劑受光照而起化學(xué)作用硬化。顯影制程會把沒有硬化的干膜沖掉，然后在銅面上鍍錫鉛，然后去膜，接著用堿性藥水蝕刻去除透明的那部分銅箔，剩下的黑色或棕色底片便是我們需要的線路
2016-12-19 17:39:24
等。【2】干膜（壓干膜/貼膜/貼干膜）通過壓膜機，在銅面上，貼附感光材料（干膜）。【3】曝光利用感光照相原理，使感光材料（干膜）受到紫外光照射（即曝光）后，發(fā)生聚合反應(yīng)，完成圖形轉(zhuǎn)移。注：曝光又為圖形
2023-02-17 11:46:54
?！ ?5)要根據(jù)電路圖形的密度情況及導(dǎo)線精度，確保銅層厚度的一致性，可采用刷磨削平工藝方法。 (6)經(jīng)修補的油墨必須進行固化處理，并檢查和清洗已受到沾污的滾輪?！ ?.問題：印制電路板中蝕刻后發(fā)現(xiàn)
2018-09-19 16:00:15
還提出了另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻?！ ∧壳?，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層，用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中。氨性蝕刻劑是普遍
2018-09-13 15:46:18
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
十分精細時將會產(chǎn)生一系列的問題。同時,側(cè)腐蝕會嚴重影響線條的均勻性。在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作
2018-04-05 19:27:39
三防漆固化后的線路板還有可能會返修，這就需要把漆膜去除掉，然后才能更換元件。這里敏通給大家列舉幾種比較常見的去除方法。一，加熱法，不到萬不得已不建議采用此方法。加熱法的具體操作是，一般采用
2017-05-28 10:44:47
本文介紹了一種基于FPGA利用VHDL硬件描述語言的數(shù)字秒表設(shè)計方法，
2021-05-11 06:37:32
分享一種在車身控制模塊（BCM）設(shè)計中新的失效保護方法。
2021-05-14 06:15:48
漏印 絲網(wǎng)漏?。ê喎Q絲?。┦?b class="flag-6" style="color: red">一種古老的印制工藝，與油印機類似。絲網(wǎng)漏印就是在絲網(wǎng)（真絲、滌綸絲等）上通過貼感光膜（制膜、曝光、顯影、去膜）等感光化學(xué)處理，將圖形轉(zhuǎn)移到絲網(wǎng)上，或在絲網(wǎng)上黏附一層漆膜或
2023-04-20 15:25:28
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 16:49 編輯
印制電路板用干膜防焊膜干膜阻焊劑不為液態(tài)或糊劑狀，它是以一種光敏聚合物膜的形態(tài)出現(xiàn)的，這層光敏聚合物膜夾在兩層保護層之間
2013-09-11 10:56:17
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術(shù)，它只需一個裝滿蝕刻洛液的槽，把板子整個浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長的蝕刻時間，且蝕刻速度非常緩慢?？梢酝ㄟ^加熱蝕刻溶液的方法
2018-09-11 15:27:47
癥狀。這一故障現(xiàn)象可通過活性炭吸附處理后進行過濾，并重新調(diào)整其他成分予以解決?！ D2鍍錫前后對比 2、褪錫 脫膜工藝中的褪錫是將已完成線路蝕刻后的線路抗蝕層（即：經(jīng)鍍錫工藝形成的錫層）去除，露出
2018-09-20 10:24:11
邊待用。取出一包蝕刻劑（190克），配800毫升水。注意不要誤差太大。配好后放在一邊待用。注意！蝕刻劑和顯影劑不接觸金屬物品?。?！曝光完成后，去掉白紙，把感光板放在一個合適的孰料盆里，倒入適量的顯影劑
2012-10-06 20:47:05
→曝光→顯影（貼干膜→曝光→顯影）→形成負相圖象→圖形鍍銅→圖形電鍍金屬抗蝕層→去膜→蝕刻→進入下工序 圖像轉(zhuǎn)移有兩種方法，一種是網(wǎng)印圖像轉(zhuǎn)移
2010-03-09 16:22:39
本文介紹了一種去除傳輸線的方法。
2021-05-21 07:10:45
等?！?】干膜（壓干膜/貼膜/貼干膜）通過壓膜機，在銅面上，貼附感光材料（干膜）?！?】曝光利用感光照相原理，使感光材料（干膜）受到紫外光照射（即曝光）后，發(fā)生聚合反應(yīng)，完成圖形轉(zhuǎn)移。注：曝光又為圖形
2023-02-17 11:54:22
晶片邊緣的蝕刻機臺，特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機，在動態(tài)隨機存取存儲單元(dynamic random access memory，DRAM)的制造過程中，為了提高產(chǎn)率，便采用
2018-03-16 11:53:10
來講不太適合?，F(xiàn)在介紹一種高精度低成本快速制版的方法——感光法~感光法分為干膜和濕膜，干膜是利用成品感光干膜貼在覆銅板上，熱壓后，再進行感光。濕膜是將感光油膜涂抹在覆銅板上，待干透后即可進行感光~下面將
2012-09-30 22:31:23
求推薦一種高響應(yīng)和高靈敏度的感光芯片。要求芯片可對瞬間的微弱的閃光做成響應(yīng)。
2016-06-11 11:58:05
加水補滿，但請不要超過650c.c.因為這會導(dǎo)致濃度不足，蝕刻時間上也會增加。 補充一點，目前市面上的蝕刻液分為兩種，一種為傳統(tǒng)使用的氯化鐵，另一種則為本范例使用的環(huán)保蝕刻液，但由於氯化鐵回收不易，噴
2012-12-06 09:41:20
感光性樹脂合成，添加了感光劑、色料、填料及溶劑的一種藍色粘稠狀液體?；纳系陌伎?、劃傷部分與濕膜的接觸良好，且濕膜主要是通過化學(xué)鍵的作用與基材來粘合的，從而濕膜與基材銅箔間有優(yōu)良好的附著力，使用絲網(wǎng)
2018-08-29 10:20:48
芯片開蓋去除封膠Decap芯片失效分析時需分析內(nèi)部的芯片、打線、組件時，因封裝膠體阻擋觀察，利用「laser蝕刻」及「濕式蝕刻」兩種搭配使用，開蓋(Decap)、去膠(去除封膠，Compound
2018-08-29 15:21:39
一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。 另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種
2018-09-19 15:39:21
表文介紹去除各種規(guī)格電磁線絕肇膜的技術(shù)和方法， 及其刺弊和適用范困電磁線的絕緣材料一般是聚亞膣， 醴胺、尼龍聚酯、聚酯酸 I 幕乙烯脯 『i1薛漆等 它們的特性不同， 擊
2009-06-17 16:40:04
13 為了去除單幀圖像小波去噪后殘留的噪聲和去噪時引入的類似脈沖噪聲的偽細節(jié)，提出一種基于運動補償?shù)娜SKNN (K-Nearest Neighbors)幀間濾波視頻序列去噪方法。該方法首先對含噪
2009-07-16 08:42:1834 圖解感光干膜制作高精度電路板全過程
2010-03-31 10:33:42370 一種改進的各向異性高斯濾波算法摘 要：為了抑制更好的抑制噪聲保留邊緣信息, 提出了一種各向異性高斯濾波的改進方法, 該方法先用中值濾波去除椒鹽噪聲, 再
2010-04-23 14:59:5119 中圖儀器NS系列軟膜材料臺階高度蝕刻速率測定儀利用光學(xué)干涉原理，通過測量膜層表面的臺階高度來計算出膜層的厚度，具有測量精度高、測量速度快、適用范圍廣等優(yōu)點。它可以測量各種材料的膜層厚度，包括金屬
2024-10-25 16:50:54
用“易力高”感光劑曬制印制線路保護膜
2009-09-08 14:39:34859 
液態(tài)感光防焊與干膜防焊制程
1、Curtain Coating 濂涂法是一種電路板面感光綠漆涂裝的自動施工法，涂料為
2010-01-11 23:29:292040 液態(tài)感光防焊與干膜防焊制程術(shù)語手冊
1、Curtain Coating 濂涂法是一種電路板面感光綠漆涂裝的自動施工法，涂料為已調(diào)稀的非水溶性綠漆油墨，
2010-02-21 10:15:081645 顯影、蝕刻、去膜（DES）工藝指導(dǎo)書/說明書
一.目的：本指導(dǎo)書規(guī)定顯影、蝕刻、去膜（DES）工位的工作內(nèi)容和步驟。
2010-03-08 09:21:4211204 基于DCT域的圖像處理方法具有廣泛的應(yīng)用，但是由于需要對圖像的DCT塊單獨進行處理，導(dǎo)致塊效應(yīng)的產(chǎn)生。本文提出了一種通過曲線擬合去除彩色圖像中塊效應(yīng)的算法。首先獲得原始圖
2013-08-20 16:58:020 消除按鍵瞬間的抖動是設(shè)計者必須要考慮的問題。本文介紹一種很實用的軟件去抖動方法，它惜助于單片機內(nèi)的定時中斷資源，只要運算一下邏輯表達式就完成了去抖動。這十方法效率高，不耗機時 且易實現(xiàn)。文中使用的邏輯表達式由簡單的卡話圖和真值表推出，使該方法的機理容易理解。
2016-03-30 17:02:1414 一種新型的電刷調(diào)整方法_周國玉
2017-01-02 16:09:050 PCB蝕刻技術(shù)通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻，指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學(xué)溶液，達到溶解腐蝕的作用。
2017-04-21 17:08:276666 針對現(xiàn)有算法在求解大規(guī)模0-1背包問題時存在的不足，提出一種改進膜蜂群算法（IABCPS）。IABCPS將膜計算（MC）的思想引入人工蜂群（ABC）算法，基于極坐標編碼的方式，采用細胞型單層膜結(jié)構(gòu)
2018-01-08 15:48:460 RS-158蝕刻添加劑可直接添加于蝕刻母液中使用，操作簡單。為了開缸和后續(xù)添加時控制方便，將RS-158蝕刻添加劑分為RS-158A與RS-158B。RS-158A：主要作用加速垂直咬蝕力（即加快正蝕速度），開缸后如出現(xiàn)下降速度超過25%，可單獨添加RS-158A；
2018-08-08 16:25:349815 今天為大家介紹一項國家發(fā)明授權(quán)專利——一種單感光型水表傳感器。該專利由濟南析訊信息技術(shù)有限公司申請，并于2017年12月29日獲得授權(quán)公告。
2018-08-10 11:26:00980 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻
2019-07-10 15:11:353996 
蝕刻（etching）是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻（wet etching）和干蝕刻（dry etching）兩類。它可通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學(xué)溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5732937 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學(xué)溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3617776 PCB干膜和濕膜都是指的是用于做線路的原材料，干膜是一種高分子的化合物，它通過紫外線的照射后能夠產(chǎn)和一種聚合反應(yīng)形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)附著于板面，從而達到阻擋電鍍和蝕刻的功能。濕膜（Wetfilm）就是一種感光油墨，是指對紫化線敏感，并且能通過紫外線固化的一種油墨。
2019-05-07 18:03:5738490 PCB干膜是一種高分子的化合物，它通過紫外線的照射后能夠產(chǎn)和一種聚合反應(yīng)形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)附著于板面，從而達到阻擋電鍍和蝕刻的功能。濕膜（Wetfilm）就是一種感光油墨，是指對紫化線敏感，并且能通過紫外線固化的一種油墨。
2019-05-16 14:48:5715643 蝕刻法是用蝕刻液將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法，雕刻法是用雕刻機將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法，前者是化學(xué)方法，較常見，后者是物理方法。
2019-05-17 11:13:2124835 有幾個因素對于決定采用何種方式來去除涂層是很有幫助的。是什么類型的阻焊膜？阻焊膜在電路板表面的什么位置？需去除的阻焊膜面積有多大？電路板是組裝好的還是裸板？在確定最適合的去除方法之前，必須對這些因素和其它一些因素進行評估。
2019-06-05 11:12:356772 干膜是一種高分子的化合物，它通過紫外線的照射后能夠產(chǎn)和一種聚合反應(yīng)形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)附著于板面，從而達到阻擋電鍍和蝕刻的功能。精確的厚度測量可控制產(chǎn)品質(zhì)量并節(jié)省材料消耗。干膜測量可實現(xiàn)無損傷測量和多層次的損傷測量。
2019-06-12 14:52:0114958 PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻過程腐蝕未被保護的區(qū)域。有點像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過程中也分正片工藝和負片工藝之分，正片工藝使用固定的錫保護線路，負片工藝則是使用干膜或者濕膜來保護線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:565377 戈埃爾科技：防水透氣膜原理之防水與透氣原理解釋 防水透氣膜中起作用的一層材料采用的是一種新型的高分子防水透氣膜原材料。從制作工藝角度講，防水透氣膜加工技術(shù)要求要比一般的防水材料高的多；同時從品質(zhì)角度
2020-09-03 10:04:221775 仁川國立大學(xué)的科學(xué)家們開發(fā)了一種既薄又結(jié)實的新型膜，可以解決任何弊端。使用新方法制造的新型聚合物離子交換膜可以實現(xiàn)比現(xiàn)有燃料電池更便宜，性能更高的燃料電池，朝著實現(xiàn)氫經(jīng)濟邁進了一步。
2021-03-05 18:05:002530 電子產(chǎn)品用疏水泄壓膜其實是防水透氣膜的一種，疏水就是水不能附著在這個疏水泄壓膜材料上，泄壓是通過疏水泄壓膜材料的良好的透氣性來達到的。 所以疏水泄壓膜說是防水透氣膜其實是可以的，大多都采用
2021-06-05 16:20:071247 刻蝕電介質(zhì)(二氧化硅、氮化硅)和晶體硅。論文的第二部分致力于蝕刻ⅲ-ⅴ族化合物半導(dǎo)體，其中基于氮化鎵材料的反應(yīng)離子刻蝕結(jié)果，揭示了一種簡單實用的熱力學(xué)方法，解釋了選擇蝕刻特定材料的最佳化學(xué)物質(zhì)的標準，并解釋了氮化鎵蝕刻
2022-02-07 14:39:362711 
的氧化鎳未完全去除造成的。這項研究對這些多余金屬缺陷的成分進行了分類和確定，評估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法，最后提出了一種濕蝕刻工藝，該工藝將快速去除缺陷，同時繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓，這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:352353 
控制。執(zhí)行蝕刻機制的成功之處在于，多層結(jié)構(gòu)的頂層應(yīng)該被完全去除，而在下層或掩模層中沒有任何種類的損傷。這完全取決于兩種材料的蝕刻速率之比，稱為選擇性。在一些蝕刻情況下，蝕刻會削弱掩模層，并產(chǎn)生形成空腔的傾斜側(cè)壁。底切的距離稱為偏差。
2022-03-16 16:31:581827 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:431567 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細地說，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:421658 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05729 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過
2022-05-06 15:50:39939 
在本文中，結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)系，并提出了一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型
2022-05-09 14:27:58778 
在本研究中，通過對目標區(qū)域的低破壞性掃描和在KOH溶液中的后蝕刻，發(fā)展了一種在石英表面產(chǎn)生三維納米結(jié)構(gòu)的新型納米加工方法。這種納米制造方法的能力通過各種納米結(jié)構(gòu)來展示，包括斜坡、分級階段和棋盤狀圖案。在不同溫度下測試掃描區(qū)域的蝕刻速率。為了制造更深層次的結(jié)構(gòu)，人們嘗試在現(xiàn)有的納米結(jié)構(gòu)上重新制作。
2022-05-13 13:51:35849 
在本文中，使用電感耦合等離子體(ICP)蝕刻方法進行了陣列制作鐵氧化物納米點的生物納米過程，ICP法是一種很有前途的方法，用于半導(dǎo)體圖案化的干蝕刻方法，這種方法的特點是通過安裝在反應(yīng)室頂部的天線線圈
2022-05-19 16:05:212806 
我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強度、溫度和持續(xù)時間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā)，蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致，這種簡單、干凈、可控且可擴展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:463260 
(BCB)。蝕刻工藝的固有副產(chǎn)物是形成蝕刻后殘留物，該殘留物包含來自等離子體離子、抗蝕劑圖案、蝕刻區(qū)域的物質(zhì)混合物，以及最后來自浸漬和涂覆殘留物的蝕刻停止層(Au)的材料。普通剝離劑對浸金的蝕刻后殘留物無效，需要在去除殘留物之
2022-06-09 17:24:134162 
我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體開發(fā)了一種新的濕法清洗配方方法，其錫蝕刻速率在室溫下超過30/min，在50°c下超過100/min。該化學(xué)品與銅和低k材料兼容，適用于銅雙鑲嵌互連28 nm和更小的技術(shù)節(jié)點
2022-06-14 10:06:243989 
)開口的低k圖案化中，觀察到兩個主要問題。首先，MHM開口后的干剝離等離子體對暴露的低k材料以及MHM下面的低k材料造成一些損傷。受損低k是非常易碎的材料，不應(yīng)該被去除，否則將獲得一些不良的輪廓結(jié)構(gòu)。其次，連續(xù)的含氟低k蝕刻等離子體導(dǎo)致聚合物
2022-06-14 16:56:372495 
通過使用多級等離子體蝕刻實驗設(shè)計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對于等離子體蝕刻部分，使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57985 
引言 介紹了一種蝕刻后殘留物清洗配方，該配方基于平衡氫氟酸的腐蝕性及其眾所周知的殘留物去除特性。在最初由基于高k電介質(zhì)的殘留物提供的清潔挑戰(zhàn)所激發(fā)的一系列研究中，開發(fā)了一種配方平臺，其成功地清潔了由
2022-06-23 15:56:541948 
金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:438844 器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:051666 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03922 
PE保護膜是一種非常實用和功能強大的材料 PE保護膜是一種非常實用的材料，被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和日常生活領(lǐng)域。PE代表聚乙烯，是一種非常堅韌、耐用并且具有優(yōu)異機械性能的材料。PE保護膜通常被用作各種
2023-07-27 10:08:142408 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:572642 
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:452207 一種鋰電池內(nèi)水去除工藝方法
2024-01-04 10:23:47917 
蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終沖洗和旋轉(zhuǎn)干燥步驟。濕法蝕刻用于特征尺寸大于3微米的器件。在該水平以下，需要控制和精度，需要干法蝕刻技術(shù)。
2024-10-24 15:58:43945 
本文介紹開源鴻蒙OpenHarmony 4.0系統(tǒng)下，去除鎖屏開機后直接進入界面的方法，觸覺智能Purple Pi OH鴻蒙開發(fā)板演示，已適配全新OpenHarmony5.0 Release系統(tǒng)！
2024-11-13 10:37:40945 
在電子元器件中，貼片電阻是一種常見而關(guān)鍵的元件。本文將介紹一種常用的貼片電阻型號——0402后膜貼片電阻，其參數(shù)和應(yīng)用場景，并特別提到深圳容樂電子作為一家專業(yè)的元器件供應(yīng)商，在提供0402后膜貼片
2024-11-15 15:17:323916 芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導(dǎo)體制造中使用的關(guān)鍵技術(shù)，主要用于通過化學(xué)溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 濕法蝕刻是一種將硅片浸入特定的化學(xué)溶液中以去除不需要材料的工藝，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件如芯片
2024-12-27 11:12:401538 晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011622 
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