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具體來說，當NMOS管柵極加正電壓時，半導體表面的P型硅反型成N型而成為反型層，其導電類型與P型硅相反，故又稱為N溝道;反之，當PMOS管柵極加負電壓時
半導體表面的N型硅反型成P型而成為反型層，其導電
2025-12-30 11:19:00
在現(xiàn)代家居家用電器中，可控硅光耦(Thyristooptocoupler)憑借著其獨特的交流輸出控制、電器隔離、無觸點的特點，成為了實現(xiàn)安全、高效、高功率控制的關(guān)鍵元件?？煽?b class="flag-6" style="color: red">硅光耦利用光信號在電路間
2025-12-09 16:58:44
660 
非硅型導熱吸波片
2025-12-05 17:38:29269 
驟，Nanoscope Systems都可以為三維形貌檢測技術(shù)提供快速精確可靠的測試方案。 一、【Si?晶圓的制造工程】 :從圓柱形的硅錠切出圓盤狀的晶圓，并將其表面拋光，如同鏡面一樣。 第一步、從硅單結(jié)晶晶柱切出品圓狀的品圓(切成薄片:Slicing) 將圓柱狀的 Si?單結(jié)晶晶柱貼
2025-12-05 13:11:00161 
在數(shù)據(jù)中心速率向800G甚至1.6T邁進的時代，一種名為“硅光”的技術(shù)正以前所未有的勢頭改變著光模塊的產(chǎn)業(yè)格局。那么，硅光模塊和我們熟悉的傳統(tǒng)光模塊究竟有何不同？
2025-11-21 18:17:51490 
格羅方德（GlobalFoundries，納斯達克代碼：GFS）宣布收購總部位于新加坡的硅光晶圓代工廠Advanced Micro Foundry（AMF），此舉標志著格羅方德在推進硅光技術(shù)創(chuàng)新
2025-11-19 10:54:53430 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 在鋰離子電池能量密度迭代的核心賽道中，納米硅碳復合負極憑借硅材料的高儲鋰潛力與碳材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，成為突破傳統(tǒng)石墨負極性能瓶頸的關(guān)鍵方向。這種通過納米尺度復合技術(shù)構(gòu)建的新型材料
2025-11-19 09:11:172274 一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢對比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573101 在點對點對地電阻測試中，測試點的氧化、生銹或附著油污、灰塵等污濁物，會在接觸表面形成額外電阻層，導致測試數(shù)據(jù)虛高或波動頻繁，難以反映真實的接地電阻狀態(tài)。面對這類突發(fā)情況，無需依賴專業(yè)清潔設(shè)備，通過
2025-10-30 09:33:36127 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 在最近，海思光電發(fā)布了其全新的HI-ONE硅光引擎，這是基于其III-V光芯片、硅基半導體芯片技術(shù)和先進光電封裝平臺能力，面向AI時代的高密度光電互連推出的新一代硅光引擎平臺
2025-10-27 06:50:005272 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.9-4.0 GHz、100 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.9-4.0 GHz、100 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT
2025-10-22 18:32:48
在工業(yè)自動化領(lǐng)域，可控硅光耦憑借其電氣隔離與信號精準傳遞特性，成為電機調(diào)速系統(tǒng)的核心元件。晶臺光電推出的可控硅光耦，通過光耦合技術(shù)實現(xiàn)控制電路與高壓主回路的完全隔離，有效避免電磁干擾對微處理器
2025-10-17 08:56:371800 
高電阻率硅因其低損耗和高性能特點，在電信系統(tǒng)中的射頻（RF）器件應用中備受關(guān)注。尤其是作為絕緣硅（SOI）技術(shù)的理想基板，高電阻率硅的需求日益增加。然而，確定高電阻率硅的導電類型（n型或p型）一直是
2025-09-29 13:04:56746 
有機硅三防漆的核心價值，從來不是 “刷得厚”，而是 “分子改得對”。
2025-09-27 14:57:35801 
SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)的核心設(shè)計，是在頂層硅與硅襯底之間引入一層氧化層，這層氧化層可將襯底硅與表面的硅器件層有效分隔（見圖 1）。
2025-09-22 16:17:006146 
盡管市場越來越看好氮化鎵（GaN），硅仍然在許多電源模塊應用中表現(xiàn)強勁，包括專門處理高算力AI工作負載的數(shù)據(jù)中心。
2025-09-19 11:03:303188 電池雖低成本且光管理優(yōu)，卻受困于鈣鈦礦/C??界面鈍化難題。本研究用兼容工業(yè)紋理硅的混合兩步鈣鈦礦沉積法，引入PDAI處理鈣鈦礦表面，解決全紋理電池關(guān)鍵瓶頸（金字塔高度>
2025-09-12 09:03:511419 
1導熱系數(shù)在導熱硅脂的諸多參數(shù)中，導熱系數(shù)無疑是最為關(guān)鍵的，堪稱散熱性能的“核心引擎”，其單位為W/(m?K)。這個參數(shù)直觀地反映了硅脂傳導熱量的能力，數(shù)值越高，就表明熱量能夠以越快的速度通過硅脂
2025-09-04 20:30:393859 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）在人工智能算力需求爆發(fā)式增長、數(shù)據(jù)中心規(guī)模持續(xù)擴張的背景下，傳統(tǒng)電互連技術(shù)面臨帶寬瓶頸與能耗危機。硅光芯片憑借其高集成度、低功耗、超高速率的優(yōu)勢，正成為重構(gòu)光通信
2025-08-31 06:49:0020222 目前，在太赫茲（遠紅外）頻段最透明的絕緣材料就是高阻的浮區(qū)（FZ）單晶硅。這是科研人員不斷的經(jīng)過實驗并分析得出的結(jié)果。
2025-08-12 10:45:461184 
體系中，導熱硅脂扮演著不可替代的角色：- 微觀橋梁作用：即使肉眼觀察光滑平整的芯片表面，在微觀尺度上仍存在大量凹凸不平的間隙（可達數(shù)十微米）。這些空隙中的空氣是熱的不良導體，而導熱硅脂通過完全填充界面空隙
2025-08-04 09:12:14
絕緣體上硅（SOI）技術(shù)作為硅基集成電路領(lǐng)域的重要分支，其核心特征在于通過埋氧層（BOX）實現(xiàn)有源層與襯底的電學隔離，從而賦予場效應晶體管獨特的電學特性。
2025-07-28 15:27:552022 
有機硅三防漆是以有機硅聚合物為核心基礎(chǔ)材料，輔以填料、交聯(lián)劑、催化劑及溶劑配制而成的特種防護涂層。其設(shè)計目標明確：為印刷電路板及其他電子元器件提供抵御濕氣、鹽霧、霉菌、灰塵、化學腐蝕及極端溫度等環(huán)境
2025-07-24 16:04:34698 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()100 W 高功率硅 PIN 二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有100 W 高功率硅 PIN 二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，100 W 高功率硅 PIN 二極管真值表，100 W 高功率硅 PIN 二極管管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-23 18:30:26
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0201 表面貼裝低勢壘硅肖特基二極管反并聯(lián)對相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0201 表面貼裝低勢壘硅肖特基二極管反并聯(lián)對的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-18 18:34:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()極低電容塑料封裝硅 PIN 二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有極低電容塑料封裝硅 PIN 二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，極低電容塑料封裝硅 PIN 二極管真值表，極低電容塑料封裝硅 PIN 二極管管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-18 18:32:36
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()表面貼裝， 0201 零偏置硅肖特基探測器二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有表面貼裝， 0201 零偏置硅肖特基探測器二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-17 18:32:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()表面貼裝， 0201 低勢壘硅肖特基二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有表面貼裝， 0201 低勢壘硅肖特基二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，表面貼裝
2025-07-17 18:30:54
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2025-07-16 18:34:34
要了解可控硅光耦，首先我們需要認識可控硅器件?？煽?b class="flag-6" style="color: red">硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在
2025-07-15 10:12:52963 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅無光束肖特基二極管 - 成對和四成對相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有硅無光束肖特基二極管 - 成對和四成對的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，硅無光束肖特基二極管
2025-07-14 18:33:30
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2025-07-14 18:33:02
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2025-07-14 18:32:51
對比：不同的化學基礎(chǔ)決定不同應用邊界
含硅油導熱片的優(yōu)勢領(lǐng)域含硅油導熱片以有機硅聚合物為基材，通過添加導熱填料（如氧化鋁、氮化硼）實現(xiàn)熱傳導功能。這類材料具有：l優(yōu)異的表面潤濕性：硅油成分使其能更好
2025-07-14 17:04:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()表面貼裝 0402 硅超突變調(diào)諧變?nèi)荻O管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有表面貼裝 0402 硅超突變調(diào)諧變?nèi)荻O管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，表面貼裝
2025-07-11 18:33:16
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2025-07-11 18:32:21
盛夏姑蘇，群賢薈萃。2025年7月7日至10日，由度亙核芯光電技術(shù)（蘇州）股份有限公司主辦，西交利物浦大學協(xié)辦，愛杰光電科技有限公司承辦的“硅基光電子技術(shù)及應用”暑期學校，在蘇州西交利物浦大學北校區(qū)
2025-07-11 17:01:271014 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片真值表，硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-09 18:32:29
在芯片的納米世界中，多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly-Si） 。這種由無數(shù)微小硅晶粒組成的材料，憑借其可調(diào)的電學性能與卓越的工藝兼容性，成為半導體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:112968 
雙面TOPCon電池（DS-TOPCon）雖具有高開路電壓（>728mV），但前表面全區(qū)域多晶硅poly-Si層導致嚴重光寄生吸收——200nm厚度即可損失>1mA/cm2電流。傳統(tǒng)方案
2025-07-07 11:00:121982 很多人接觸過，或者是存在好奇與疑問，很想知道的是單晶硅清洗廢液處理方法有哪些？那今天就來給大家解密一下，主流的單晶硅清洗廢液處理方法詳情。物理法過濾：可去除廢液中的大顆粒懸浮物、固體雜質(zhì)等，常采用砂
2025-06-30 13:45:47494 
硅與其他半導體材料在集成電路應用中的比較可從以下維度展開分析。
2025-06-28 09:09:091479 隧穿氧化層鈍化接觸（TOPCon）技術(shù)作為當前太陽能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能，在工業(yè)生產(chǎn)中實現(xiàn)了廣泛應用。然而，多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性，導致其在
2025-06-23 09:03:08946 折射率介質(zhì)亞微米量級的二氧化鈦(TiO2)圓盤作為標準異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的抗反射惠更斯超表面在試驗中進行開發(fā)。無序陣列使用基于膠體自組裝的可伸縮自下而上的技術(shù)制造，該技術(shù)幾乎不考慮設(shè)備的材料或表面形態(tài)
2025-06-17 08:58:17
在集成電路制造工藝中，氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜，不僅可以實現(xiàn)對硅表面的保護和鈍化，還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、隔離等工藝提供基礎(chǔ)支撐。本文將對氧化工藝進行簡單的闡述。
2025-06-12 10:23:222138 
和-3.3V雙電源電壓運行，并支持單電源運行。 ADRF5716硅衰減器兼容互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 和低壓晶體管-晶體管邏輯 (LVTTL)。
2025-06-09 13:59:09771 
ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在反應腔內(nèi)直接合成高活性水蒸氣，并解離生成原子氧(O*)，實現(xiàn)對硅表面的精準氧化。
2025-06-07 09:23:294592 
半導體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學、化學和物理
2025-05-30 11:09:301781 
表面與清洗設(shè)備（如夾具、刷子、兆聲波噴嘴）或化學液膜接觸時，因材料電子親和力差異（如半導體硅與金屬夾具的功函數(shù)不同），發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移。例如，晶圓表面的二氧化硅（SiO?）與聚丙烯（PP）材質(zhì)的夾具摩擦后，可能因電子轉(zhuǎn)移產(chǎn)生凈電荷。 液體介質(zhì)影響：清洗
2025-05-28 13:38:40743 圖1.多晶硅太陽能電池的顯微鏡光學圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的硅。 可再生能源，例如太陽能，預計將在不久的將來發(fā)揮重要作用。為了將太陽光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能，硅太陽能電池(晶體或多晶
2025-05-26 08:28:41602 
透明導電氧化物（TCOs）是半透明及疊層光伏電池的核心組件。傳統(tǒng)ITO電極在近紅外（NIR）波段存在寄生吸收問題，限制了鈣鈦礦/硅疊層電池的效率。對于半透明鈣鈦礦頂電池，近紅外（NIR）區(qū)域的高透過
2025-05-23 09:02:01875 從早期的平面 CMOS 工藝到先進的 FinFET，p 型襯底在集成電路設(shè)計中持續(xù)被廣泛采用。為什么集成電路的制造更偏向于P型硅？
2025-05-16 14:58:301012 
鈣鈦礦/硅疊層太陽能電池因其理論效率超40%而成為光伏領(lǐng)域的研究熱點。然而，透明電極的光學損失（如反射與寄生吸收）嚴重限制了短路電流密度JSC的提升。傳統(tǒng)單層透明導電氧化物（TCO）如IZO（鋅摻雜
2025-05-07 09:03:422795 鈣鈦礦/硅串聯(lián)電池是突破硅單結(jié)效率極限（29.5%）的理想方案，但工業(yè)硅片表面粗糙性導致的漏電問題亟待解決。本研究提出一種新型復合結(jié)設(shè)計，利用n摻雜C??與p摻雜TaTm的有機異質(zhì)結(jié)，通過低橫向
2025-04-25 09:02:18860 EL3041 DIP-6 EVERLIGHT/億光雙向可控硅-EL3041光耦詳細參數(shù)
2025-04-24 11:14:15
IBC太陽能電池因其背面全電極設(shè)計，可消除前表面金屬遮擋損失，成為硅基光伏技術(shù)的效率標桿。然而，傳統(tǒng)圖案化技術(shù)（如光刻、激光燒蝕）存在工藝復雜或硅基損傷等問題。本研究創(chuàng)新性地結(jié)合激光摻雜與濕法氧化
2025-04-23 09:03:43722 在我的這個電路圖里，可控硅一直處于開啟狀態(tài)，沒有給單片機信號，試著換一下可控硅的方向，也沒有效果。請各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問題了。
2025-04-21 15:46:54
本文介紹了在芯片制造中的應變硅技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。
2025-04-15 15:21:342738 
本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:431314 
氧化物、陶瓷顆粒或銀粉），通過減少接觸面的空氣間隙，顯著提升熱量傳遞效率。
二、導熱硅脂的核心作用 1. 填補微觀不平整：金屬表面看似光滑，但在顯微鏡下仍有凹凸，硅脂可填充這些空隙，減少熱阻
2025-04-14 14:58:20
半導體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進步的縮影，更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導體，每一代材料的迭代都推動了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562601 本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對材料性能的影響，幫助讀者深入理解硅材料在先進微納制造中的應用與工藝演進路徑。
2025-04-09 16:19:531996 
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間，晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453615 
在制造業(yè)中，一家企業(yè)的競爭力往往與其工件的出廠速度直接掛鉤，而其中金屬加工領(lǐng)域更是如此。再這樣的大市場環(huán)境當中，工業(yè)超聲波清洗機憑借其高效、精準的特性，成為去除金屬表面油污、氧化層和雜質(zhì)的核心設(shè)備
2025-04-07 16:55:21831 
可控硅的控制奧秘：依賴直流還是交流？可控硅，也稱為硅控整流器（SiliconControlledRectifier，簡稱SCR），是一種重要的半導體器件，廣泛應用于電力電子、電機控制、照明調(diào)節(jié)等領(lǐng)域
2025-04-03 11:59:521681 
本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242365 
目前都處于產(chǎn)品轉(zhuǎn)化階段，計劃將在ST位于法國克羅爾 300 毫米晶圓廠投產(chǎn)。 ? 硅光技術(shù)是一種基于硅材料和硅基襯底（如SiGe/Si、SOI等）的光電集成技術(shù)，通過互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝制造光子器件和光電器件，將光信號與電信號集成在同一芯片上
2025-03-22 00:02:002892 在信息技術(shù)日新月異的今天，硅基光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點。作為“21世紀的微電子技術(shù)”，硅基光子集成技術(shù)不僅融合了電子芯片與光子芯片的優(yōu)勢，更以其獨特的高集成度、高速率、低成本等
2025-03-19 11:00:022674 
安裝在深度通常為15 米或 20 米以下的豎直井中的陽極地床，可使用多種陽極材料，如混合金屬氧化物筒狀陽極、硅鐵陽極等。高硅鑄鐵陽極可作為深井陽極的內(nèi)芯組成部分，即存在高硅鑄鐵材質(zhì)的深井陽極。 結(jié)構(gòu)與安裝 高硅鑄鐵陽極一
2025-03-15 11:01:42711 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SZ453G-SZ45D0表面貼裝硅齊納二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-13 15:36:38
0 鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù)，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉(zhuǎn)機械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固，最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來，為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率，通過控制模具中熔體凝固過程的溫度，創(chuàng)造定向散熱條件，從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121129 本文介紹了硅的導熱系數(shù)的特性與影響導熱系數(shù)的因素。
2025-03-12 15:27:253555 
折射率介質(zhì)亞微米量級的二氧化鈦(TiO2)圓盤作為標準異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的抗反射惠更斯超表面在試驗中進行開發(fā)。無序陣列使用基于膠體自組裝的可伸縮自下而上的技術(shù)制造，該技術(shù)幾乎不考慮設(shè)備的材料或表面形態(tài)
2025-03-05 08:57:32
硅作為半導體材料在集成電路應用中的核心地位無可爭議，然而，隨著科技的進步和器件特征尺寸的不斷縮小，硅集成電路技術(shù)正面臨著一系列挑戰(zhàn)，本文分述如下：1.硅集成電路的優(yōu)勢與地位;2.硅材料對CPU性能的影響;3.硅材料的技術(shù)革新。
2025-03-03 09:21:491385 
本文介紹了硅光芯片的發(fā)展歷史，詳細介紹了硅光通信技術(shù)的原理和幾個基本結(jié)構(gòu)單元。
2025-02-26 17:31:391982 
在電子設(shè)備散熱領(lǐng)域，導熱硅膠片和導熱硅脂是兩種常用材料。如何根據(jù)實際需求進行選擇？以下從性能、場景和操作維度進行對比分析。 一、核心差異對比?特性?導熱硅膠片?導熱硅脂
?形態(tài)固體片狀（厚度
2025-02-24 14:38:13
請問DMD表面玻璃的材質(zhì)是什么？能否使用酒精擦拭呢？如果不能使用酒精，應使用何種方式清潔或者擦拭DMD表面玻璃呢？
2025-02-21 06:03:02
日本硅晶圓制造商Sumco宣布，將在2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。 Sumco報告稱，主要用于消費、工業(yè)和汽車應用的小直徑晶圓需求仍然疲軟。具體而言，隨著客戶要么轉(zhuǎn)向200毫米晶圓，要么在
2025-02-20 16:36:31817 近日，日本知名硅晶圓制造商Sumco宣布了一項重要戰(zhàn)略決策，計劃于2026年底前停止其宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。這一舉措是Sumco為優(yōu)化產(chǎn)品組合、提高盈利能力而采取的關(guān)鍵步驟。
2025-02-13 16:46:521215 在開關(guān)模式電源中使用 GaN 開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源
2025-02-11 13:44:551177 
本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢，它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132 
本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:461301 
切割液的潤滑性與分散性，減少切割過程中的摩擦，讓硅屑均勻分散，提高切割效率與硅片質(zhì)量。
同時降低動態(tài)表面張力和靜態(tài)表面張力 ：
泡沫管理 ：優(yōu)先考慮低泡型，防止泡沫在切割時大量產(chǎn)生，阻礙切割視線、降低
2025-02-07 10:06:58
在我們的日常生活中，硅早已是無處不在的隱形力量——從智能手機到筆記本電腦，再到汽車和家用電器，硅基半導體驅(qū)動著現(xiàn)代電子世界。
2025-02-06 13:52:00875 
可控硅調(diào)壓器與變壓器是兩種在電力系統(tǒng)中廣泛應用的電氣設(shè)備，它們各自具有獨特的工作原理和應用場景。 一、產(chǎn)品含義與工作原理 可控硅調(diào)壓器 含義 ：可控硅調(diào)壓器，簡稱晶閘管調(diào)功器，是一種以可控硅（電力
2025-02-01 17:20:002027 三相可控硅整流模塊是一種電力電子設(shè)備，它利用可控硅（也稱為晶閘管）作為核心元件，通過控制其導通狀態(tài)來將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，并實現(xiàn)對輸出電壓的調(diào)節(jié)。 一、三相可控硅整流模塊的基本工作原理 三相可控硅
2025-02-01 11:24:002827 量子芯片與硅芯片在技術(shù)和應用上存在顯著差異，因此量子芯片是否可以完全代替硅芯片是一個復雜的問題。以下是對這一問題的詳細分析：
2025-01-27 13:53:001942 高性能計算機中日益廣泛采用“處理器+存儲器”體系架構(gòu)，近兩年來Intel、AMD、 Nvidia都相繼推出了基于該構(gòu)架的計算處理單元產(chǎn)品，將多個存儲器與處理器集成在一個TSV硅轉(zhuǎn)接基板上，以提高計算
2025-01-27 10:13:003792 
? ? 在全球能源轉(zhuǎn)型的大背景下，光伏技術(shù)作為一種可持續(xù)的清潔能源解決方案，正逐漸成為能源領(lǐng)域的焦點。光伏技術(shù)，即利用太陽能光伏發(fā)電的技術(shù)，其核心原理是基于半導體的光電效應。當太陽光照射到光伏電池
2025-01-23 14:22:001143 Skyworks 的APD2220-000硅PIN二極管致力于性能卓越射頻和微波電路中的開關(guān)和衰減器器件需求設(shè)計。APD2220-000設(shè)計在從低于100 MHz到超過30 GHz的寬頻率范圍內(nèi)都
2025-01-20 09:31:55
的兼容性帶可控硅調(diào)光器。它集成了電流紋波去除器消除低頻電流紋波和不需要額外的電氣設(shè)計?兼容高壓可控硅調(diào)光器?集成：500V主MOS和700V放血器金屬氧化物半導體?閉
2025-01-15 09:23:131 半導體行業(yè)在芯片制程工藝中，因其不間斷使用有機溶劑和酸溶液直接產(chǎn)生了大量的有毒有害的廢氣。比如在硅料清洗環(huán)節(jié)，所用的清洗液（酸、堿、有機溶劑）各不相同，吹干后就會產(chǎn)生大量氮氧化物（主要為NO、NO2
2025-01-13 13:45:00786 
可控硅是一種重要的半導體器件，通過控制極的觸發(fā)信號實現(xiàn)對電流的控制。它可以在直流和交流電路中應用，分別用于開關(guān)、調(diào)節(jié)、調(diào)光等功能。直流控制和交流控制的特點和應用場景有所不同，但都依賴于精確的觸發(fā)電路設(shè)計。通過合理設(shè)計控制電路和保護電路，可以充分發(fā)揮可控硅的性能，實現(xiàn)對電路的精確控制。
2025-01-10 15:44:583285 
國產(chǎn)純硅振蕩器對標SiTime在SSD中的應用方案
2025-01-08 10:02:05828 
模擬的關(guān)鍵部件是來自參考文獻[1]的線性錐形硅波導（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5
2025-01-08 08:51:53
硅電容是一種采用了硅作為材料，通過半導體技術(shù)制造的電容，和當前的先進封裝非常適配
2025-01-06 11:56:482198 
? 本文詳細介紹了硅作為半導體材料具有多方面的優(yōu)勢，包括良好的半導體特性、高質(zhì)量的晶體結(jié)構(gòu)、低廉的成本、成熟的加工工藝和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。這些因素使得硅成為制造芯片的首選材料。 我們今天看到80%以上
2025-01-06 10:40:402391 
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