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gan技術(shù)

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱“GaN”) 功率開關(guān)。只...

2023-02-20 標(biāo)簽:pcb驅(qū)動(dòng)器晶體管 1.3k 0

GaN使硅變得容易

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2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵GaN 1.3k 0

GaN快充芯片U8609的工作原理

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GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz,700V/365m?,采用DASOP-7封裝,主推12V3A,合封第三代半導(dǎo)體GaN FET,有利于降...

2025-04-22 標(biāo)簽:充電器GaN快充芯片 1.3k 0

HMC8500PM5E 10W (40dBm) 0.01GHz至2.8 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)

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HMC8500PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 30 dBm 的輸入功率下,在 0.01 GHz 至 2.8 GHz 瞬時(shí)帶寬上...

2025-03-11 標(biāo)簽:功率放大器引腳GaN 1.3k 0

應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)

應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)

德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實(shí)現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...

2025-02-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 1.3k 0

ADPA1113 2GHz至6GHz,46 dBm (40 W),GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)

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ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 46.5 dBm (44.7 W)...

2025-03-10 標(biāo)簽:放大器功率放大器GaN 1.3k 0

高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧方案免費(fèi)下載

高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關(guān)速度,因此準(zhǔn)確的測(cè)...

2025-02-27 標(biāo)簽:測(cè)量GaNHEMT 1.3k 0

Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

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Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)模式...

2025-08-04 標(biāo)簽:FET半橋GaN 1.3k 0

TIDA-010042 基于GaN的400W MPPT充電控制器和電源優(yōu)化器參考設(shè)計(jì)

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該參考設(shè)計(jì)是一款適用于 12V 和 24V 電池的最大功率點(diǎn)跟蹤 (MPPT) 太陽能充電控制器,未來可用作電源優(yōu)化器。該參考設(shè)計(jì)布局緊湊,適用于中小型...

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LMG341xR070 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...

2025-02-26 標(biāo)簽:過流保護(hù)GaN電力電子系統(tǒng) 1.2k 0

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LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...

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什么是 GaN 氮化鎵?1

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四十年來,隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長(zhǎng)的電力需求保持同步,電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而,在新千年中,隨著硅功率 MO...

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SiC上的GaN的主要優(yōu)點(diǎn)是其導(dǎo)熱性優(yōu)勢(shì)。SiC上的GaN的導(dǎo)熱性是Si上的GaN的三倍,允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運(yùn)行。Palmour解釋...

2023-05-24 標(biāo)簽:SiCGaN5G 1.2k 0

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GAN的風(fēng)暴席卷了整個(gè)深度學(xué)習(xí)圈子,任何任務(wù)似乎套上GAN的殼子,立馬就變得高大上了起來。那么,GAN究竟是什么呢? **GAN的主要應(yīng)用目標(biāo):*...

2023-03-17 標(biāo)簽:GaN生成器深度學(xué)習(xí) 1.2k 0

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PMP22650 參考設(shè)計(jì)是一款 6.6kW 雙向車載充電器。該設(shè)計(jì)采用兩相圖騰柱 PFC 和具有同步整流功能的全橋 CLLLC 轉(zhuǎn)換器。CLLLC 利...

2025-02-24 標(biāo)簽:微控制器PFCGaN 1.2k 0

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