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標(biāo)簽 > gan
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Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型(cascade)和增強(qiáng)型(e-mode)氮化鎵器件的供應(yīng)商。
納微半導(dǎo)體攜尖端GaN/SiC功率產(chǎn)品亮相PCIM 2023
作為歐洲領(lǐng)先的“電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動”領(lǐng)域?qū)I(yè)盛會,PCIM 2023將于5月9日至11日在德國紐倫堡盛大召開,會上將展開超400篇國際技術(shù)論文的學(xué)術(shù)交流...
2023-05-08 標(biāo)簽:SiCGaN納微半導(dǎo)體 593 0
MTC-PD65W1C-CTA1快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN
GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面;氮化鎵(GaN)擁有極高的穩(wěn)定性,將GaN用于充電器的整流管后,能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗,提升...
介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況
Micro LED新型顯示具有巨大市場前景,也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對推動Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast技術(shù),10分鐘內(nèi)實現(xiàn)100%充電
獲TüV萊茵安全認(rèn)證,這款realme GT3標(biāo)配的雙口SUPERVOOC的快速充電器基于兩顆納微NV6138氮化鎵功率芯片打造而來,分別用于CRM P...
2023-04-25 標(biāo)簽:GaN納微半導(dǎo)體 853 0
GaN是第三代半導(dǎo)體材料,具有許多傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)良特性,因此被視為新一代半導(dǎo)體技術(shù),具有非常廣闊的應(yīng)用前景。隨著 GaN功率器件技術(shù)的成熟, ...
GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點及優(yōu)勢
GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術(shù)的功率器件,具有較低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗、高的開關(guān)速度和可靠性。其特點和優(yōu)勢如下:1. 低導(dǎo)通電阻...
65W快充是目前快充市場出貨的主流規(guī)格;氮化鎵具有高可靠性,能夠承受短時間過壓;將GaN用于充電器的整流管后,能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗,提升開關(guān)頻率,附...
來源:德州儀器 氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
由于對SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求,2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長2.2倍。預(yù)計未來市場將繼續(xù)高速擴(kuò)張,2023年達(dá)...
2023-04-13 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 993 0
對快速 GaN 器件進(jìn)行基準(zhǔn)測試是一項具有挑戰(zhàn)性的任務(wù),需要特殊定制的 PCB 布局。為獲得準(zhǔn)確結(jié)果,需要超低的雜散電感和高帶寬電流測量。
硅襯底GaN LED技術(shù)的應(yīng)用機(jī)遇與挑戰(zhàn)
Micro LED作為“終極顯示技術(shù)”其在未來擁有千億級的市場,報告指出了Micro LED的優(yōu)勢及面臨的挑戰(zhàn)。面向AR應(yīng)用,Micro LED在亮度、...
1A2C-65W氮化鎵(GaN)快充方案,快充方案支持90~264V寬輸入電壓,輸出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3....
軍備芯片和商用芯片的區(qū)別 芯片14nm對比5nm差距在哪里?
其實就目前的情況(截止2022年)而言,現(xiàn)實和他們想的相反,在很多軍工領(lǐng)域,我國現(xiàn)役軍備里的芯片反而比美帝要先進(jìn),實際情況大概率是美國戰(zhàn)斗機(jī)用90nm芯...
輸出功率高達(dá)100W!Power Integrations新添900V GaN反激式開關(guān)IC
900V耐壓的GaN器件,為汽車、工業(yè)及家電類應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)選擇。 伴隨著日益增加的功率需求,負(fù)載范圍內(nèi)更高的效率以及不斷升高的供電電壓的市場驅(qū)動,汽車、...
TGA2239-CP是一款工作頻率為13.4?–?15.5?GHz,飽和輸出功率達(dá)到 50?W的 GaN 功率放大器,產(chǎn)品主要應(yīng)用于通信和雷達(dá)等相關(guān)領(lǐng)域...
Wolfspeed的CGHV40100是前所未有的;氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGHV40100;選用50伏電流電壓軌工作;提供一...
GaN要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
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