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將GaN用于射頻應(yīng)用的所有優(yōu)勢

與傳統(tǒng)技術(shù)相比,氮化鎵已被證明是射頻領(lǐng)域多種應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)材料,其中可靠性、效率和減少吸收是基本要求。在制造過程中,氮化鎵通常在高于 1000 °C 的溫度...

2022-07-26 標(biāo)簽:射頻RFSiC 1.9k 0

基于GaN功率器件的大功率和高功率密度EV逆變器

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2022-07-26 標(biāo)簽:逆變器功率器件GaN 1.2k 0

Wibotic 的無人機和機器人配備新的基于 GaN 的充電器和發(fā)射器

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大功率自主充電解決方案市場正在迅速擴大,Wibotic 宣布了其在臺式電池充電器以及使用 GaN 技術(shù)的無人機和自主移動機器人的無線充電發(fā)射器方面的最新...

2022-07-26 標(biāo)簽:充電器機器人GaN 1.3k 0

GaN在手機上有什么用

我們知道,GaN在充電器等應(yīng)用上,主要是通過GaN材料的特性,使得使用GaN材料的功率開關(guān)器件在開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗等相比硅MOSFET有明顯優(yōu)...

2022-07-25 標(biāo)簽:充電器功率器件GaN 2k 0

影響非侵入式非接觸式電流傳感器測量的設(shè)計

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本文介紹了影響 Tell-i 開發(fā)的非侵入式非接觸式電流傳感器測量的三種不同設(shè)計。該轉(zhuǎn)換器是具有 120VDC 輸入的 6.7MHz 兩相 DC/DC ...

2022-07-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器GaN電流傳感器 1.4k 0

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2022-07-25 標(biāo)簽:DC-DC轉(zhuǎn)換器GaN隔離轉(zhuǎn)換器 3.9k 0

數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU

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數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器,每個都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和能夠存儲大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存,因此需要增加功率。為了支持...

2022-07-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 2.2k 0

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作者研究了四個商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹,正如原始文章中所報道的,所有測試的器件都可以在低溫...

2022-07-25 標(biāo)簽:晶體管GaNPID控制器 2k 0

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歐盟大約有 80 億臺電動機在使用,消耗了歐盟生產(chǎn)的近 50% 的電力。1由于提高效率和減少碳足跡是政府和行業(yè)的主要目標(biāo),因此存在多項舉措來降低這些電機...

2022-07-19 標(biāo)簽:IC電機驅(qū)動GaN 2.3k 0

GaN射頻應(yīng)用優(yōu)勢明顯,功率玩家厚積薄發(fā)

GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計、晶圓制造、封裝測試三個部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類,與SiC類似,全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上,不過相比于Si...

2022-07-18 標(biāo)簽:射頻功率器件GaN 6.3k 0

不止于充電器!手機內(nèi)置GaN器件會成為下一個趨勢?

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5G 和 GaN:嵌入式設(shè)計人員需要了解的內(nèi)容

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5G 和 GaN:未來的創(chuàng)新

很容易忘記 GaN 仍然是一項相對年輕的技術(shù)。我們?nèi)蕴幱陂_發(fā)的前幾代,具有很大的改進(jìn)和改進(jìn)潛力。本文著眼于即將出現(xiàn)的一些 GaN 創(chuàng)新,并預(yù)測它們在未來...

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如何通過GaN更好地發(fā)展智能快充

近年來智能快充市場爆火,GaN給智能快充領(lǐng)域帶來不少新機會,同時也進(jìn)入多個新應(yīng)用場景。如何通過GaN更好地發(fā)展智能快充成為行業(yè)內(nèi)廣大廠商面臨的重大挑戰(zhàn)。

2022-07-14 標(biāo)簽:適配器GaN智能快充 1.8k 0

圖像修復(fù)與處理經(jīng)典論文回顧和精讀

在實踐中,僅僅通過優(yōu)化隱向量z難以準(zhǔn)確重建ImageNet這樣的復(fù)雜真實圖像。訓(xùn)練GAN的數(shù)據(jù)集(ImageNet)本身是自然圖片中很少的一部分,GAN...

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基于GAN-inversion的圖像重構(gòu)過程

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一種基于GaN光學(xué)芯片的高度集成、低成本微型光學(xué)顯微傳感系統(tǒng)

該芯片具有片上光電探測能力,能夠?qū)崟r讀取芯片表面集群細(xì)胞活動引起的折射率變化。同時通過集成一個微型微分干涉顯微鏡,實現(xiàn)對細(xì)胞形貌和運動的在線追蹤。該系統(tǒng)...

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利用數(shù)值模擬軟件構(gòu)建了兩種6英寸SiC單晶生長模型

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2022-06-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiCGaN 1.8k 0

GaN適配器的EMC解決方案

隨著第三代半導(dǎo)體GaN應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展,市面上適配器應(yīng)用方案開始逐漸采用GaN功率器件,GaN適配器高頻開關(guān)器件使得適配器的功率密度大大提高,產(chǎn)品尺寸更小...

2022-06-21 標(biāo)簽:適配器emcGaN 8.5k 0

ACT41000-104-REF1實現(xiàn)多種GaN PA偏置并自動校準(zhǔn)系統(tǒng)

中國北京 – 2022 年 6 月 14 日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克...

2022-06-14 標(biāo)簽:功率放大器GaNQorvo 2.2k 0

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