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2014-09-26 標(biāo)簽:GaN安森美公司Transphorm公司 1.4k 0

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本文介紹了影響 Tell-i 開發(fā)的非侵入式非接觸式電流傳感器測量的三種不同設(shè)計。該轉(zhuǎn)換器是具有 120VDC 輸入的 6.7MHz 兩相 DC/DC ...

2022-07-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器GaN電流傳感器 1.4k 0

瑞薩24億收購Transphorm!

此次收購將為瑞薩電子提供自主的GaN技術(shù),從而將其業(yè)務(wù)范圍擴(kuò)大到電動汽車、計算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施)、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等快速增長的市場。

2024-01-15 標(biāo)簽:電動汽車瑞薩氮化鎵 1.4k 0

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Allegro 創(chuàng)新柵極驅(qū)動器助力工程師實(shí)現(xiàn)鈦金級效率和極佳功率密度,滿足嚴(yán)苛的 AI 和邊緣計算應(yīng)用需求 中國 & 美國新罕布什爾州曼徹斯特 ,202...

2025-11-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心allegroGaN 1.4k 0

Nexperia推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合

Nexperia(安世半導(dǎo)體)融合其近20年來在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合?;诖司媒?jīng)考驗(yàn)...

2025-02-19 標(biāo)簽:封裝GaNNexperia 1.4k 0

瑞薩電子收購氮化鎵廠商Transphorm

瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布,雙方已達(dá)成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Trans...

2024-01-17 標(biāo)簽:氮化鎵GaN瑞薩電子 1.4k 0

使用GaN進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換

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AMEYA360:羅姆確立超高速驅(qū)動控制IC技術(shù)

ROHM羅姆確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動控制IC技術(shù),利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。近年來,GaN器件因其具有高速開關(guān)的特性優(yōu)勢而被廣...

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鎵未來助力聯(lián)想筆記本GaN適配器標(biāo)配化,賦能高效用戶體驗(yàn)

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鎵未來賦能筆記本電腦GaN適配器標(biāo)配化 據(jù)悉,Lenovo 2024年推出搭配的多款新型 筆記本原裝適配器電源ADL100UDGC3A ,采用了 鎵未來...

2024-06-14 標(biāo)簽:適配器GaN 1.4k 0

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電動工具圓桌論壇將匯聚電機(jī)控制、快速充電、鋰電技術(shù)一眾廠商和專家,共同探討電動工具技術(shù)創(chuàng)新與市場發(fā)展。 由嗶哥嗶特商務(wù)網(wǎng)主辦,《半導(dǎo)體器件應(yīng)用》雜志承辦...

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GaN重大突破!湖北這個實(shí)驗(yàn)室公布三大研究成果

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 3月22日,九峰山實(shí)驗(yàn)室首次公布了GaN相關(guān)的研究成果,包括國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底(N-polar GaNOI);全國...

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     hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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