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2023-10-10 標(biāo)簽:射頻氮化鎵GaN 1.5k 0

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期,大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳化硅(SiC)襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

2024-01-15 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 1.5k 0

GAN:生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò) Generative Adversarial Networks

原文鏈接 1 原理 對(duì)于生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)GAN,一個(gè)簡(jiǎn)單的理解是可以將其看做博弈的過(guò)程,我們可以將生成模型和判別模型看作博弈的雙方,比如在犯罪分子造假幣和警...

2023-01-12 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN函數(shù) 1.5k 0

廣電計(jì)量聯(lián)合舉辦半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展論壇,標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)創(chuàng)“芯”發(fā)展

5月25日上午,半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展論壇在廣電計(jì)量科技產(chǎn)業(yè)園順利舉辦,來(lái)自全國(guó)各地100多名國(guó)內(nèi)頂尖的高校專家、行業(yè)領(lǐng)袖,共同聚焦SiC、GaN等前沿技術(shù)...

2024-05-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 1.5k 0

GaN和SiC在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域有哪些差異

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2024-01-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管SiC 1.5k 0

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2024-10-30 標(biāo)簽:德州儀器GaN功率半導(dǎo)體 1.5k 0

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2024-06-28 標(biāo)簽:充電器GaN快充芯片 1.5k 0

ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

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2024-01-17 標(biāo)簽:逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)氮化鎵 1.5k 0

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2025-06-18 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器PFCGaN 1.5k 0

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新一代功率半導(dǎo)體大熱,節(jié)能成發(fā)展關(guān)鍵

技術(shù)信息供應(yīng)商美國(guó)IHSGlobal預(yù)測(cè)稱,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將穩(wěn)定發(fā)展。全球市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在2017年,將從2012年的114億美元擴(kuò)大到141億美元。其中...

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ICeGaN? 助力瞻芯電子輕松升級(jí) IVCC1104 參考設(shè)計(jì)平臺(tái),在大功率應(yīng)用場(chǎng)景下展現(xiàn)易用性和卓越可靠性 英國(guó)劍橋——Cambridge GaN ...

2025-05-13 標(biāo)簽:大功率GaN瞻芯電子 1.5k 0

Nexperia與Ricardo合作開(kāi)發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計(jì)

的汽車(chē)咨詢公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET器件

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德州儀器推出全新功率轉(zhuǎn)換器件

德州儀器(TI)近日推出兩款創(chuàng)新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列,旨在幫助工程師在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出,從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性...

2024-03-15 標(biāo)簽:德州儀器氮化鎵GaN 1.5k 0

英諾賽科在2024 APEC展示GaN新品與解決方案

近日,備受全球矚目的國(guó)際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)APEC在美國(guó)洛杉磯盛大閉幕。作為全球電力電子領(lǐng)域的年度盛會(huì),APEC吸引了眾多頂尖企業(yè)的目光,他們紛紛攜帶最...

2024-03-12 標(biāo)簽:APECGaN英諾賽科 1.5k 0

120W氮化鎵芯片KT65C1R120D的特點(diǎn)

隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中,氮化鎵(GaN)芯片作為一種新型的電力電子器件,因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)開(kāi)始在各個(gè)領(lǐng)域...

2023-10-27 標(biāo)簽:芯片氮化鎵GaN 1.5k 0

提高寬帶隙功率器件的故障分析精度?

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在電氣領(lǐng)域,漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在...

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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