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GaN集成電路如何重新定義電源轉(zhuǎn)換

GaN集成電路如何重新定義電源轉(zhuǎn)換

氮化鎵 (GaN) 功率器件已經(jīng)生產(chǎn)超過(guò) 10 年,除了性能和成本改進(jìn)之外,GaN 技術(shù)影響功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的最重要機(jī)會(huì)來(lái)自于在同一襯底上集成多個(gè)器件的內(nèi)在...

2022-08-04 標(biāo)簽:集成電路電源轉(zhuǎn)換GaN 1.6k 0

GaN為高效功率器件鋪平道路

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MOSFET 和 IGBT 技術(shù)的引入還使硅能夠在功率應(yīng)用中使用,其特點(diǎn)是電流和電壓特別高。

2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFETIGBTGaN 1.6k 0

使用電源管理模塊有效控制 GaN 功率放大器的電源開(kāi)關(guān)

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2022-12-26 標(biāo)簽:電源管理GaN 1.6k 0

三菱電機(jī)發(fā)布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,開(kāi)始為5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品。P...

2024-09-13 標(biāo)簽:功率放大器三菱電機(jī)GaN 1.6k 0

針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開(kāi)創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...

2023-12-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 1.6k 0

通過(guò)寬帶隙技術(shù)最大限度地來(lái)提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

通過(guò)寬帶隙技術(shù)最大限度地來(lái)提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

增加功率密度和縮小電源供應(yīng)并不是什么新鮮事。這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)將繼續(xù)下去,從而催生新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。此博客向設(shè)計(jì)工程師介紹 STMicroelectron...

2022-12-29 標(biāo)簽:ST晶體管GaN 1.6k 0

芯干線亮相2025新型功率半導(dǎo)體與新能源應(yīng)用高峰論壇

8月14日,由行家說(shuō)主辦的“2025新型功率半導(dǎo)體與新能源應(yīng)用高峰論壇”在深圳圓滿舉行。

2025-08-15 標(biāo)簽:新能源GaN功率半導(dǎo)體 1.6k 0

國(guó)產(chǎn)科學(xué)儀器走出去:武漢普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)出口國(guó)際市場(chǎng)

國(guó)產(chǎn)科學(xué)儀器走出去:武漢普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)出口國(guó)際市場(chǎng)

前言隨著全球科技水平的提高和科學(xué)研究的深入,科學(xué)儀器成為各個(gè)國(guó)家和地區(qū)科研機(jī)構(gòu)、高校和企業(yè)必不可少的工具。受益于全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跑馬圈地?cái)U(kuò)張產(chǎn)能,測(cè)...

2024-06-05 標(biāo)簽:IGBT功率器件SiC 1.6k 0

基于GaN的電機(jī)控制器提高電動(dòng)汽車的效率

氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體,在電源應(yīng)用中提供比硅更好的性能,正在取代傳統(tǒng)的基于硅的 MOSFET,用于電路中的高效率和在更高溫度和頻率下運(yùn)行...

2022-08-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電機(jī)控制器GaN 1.5k 0

GaN紫外傳感器的6中類型介紹

氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為3.4eV,對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm,對(duì)可見(jiàn)光無(wú)響應(yīng),克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見(jiàn)光有強(qiáng)烈響應(yīng),且紫外靈...

2023-01-12 標(biāo)簽:傳感器氮化鎵GaN 1.5k 0

CGD推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

在追求環(huán)保與高效能的科技浪潮中,無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices(CGD)成功研發(fā)了一系列高性能的GaN功率器件。這...

2024-06-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IC封裝GaN 1.5k 0

IQE+VisIC合作開(kāi)發(fā)車用高可靠性D模式GaN功率產(chǎn)品

VisIC創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Tamara Baksht表示:“我們相信與IQE合作是重塑電動(dòng)汽車行業(yè)的關(guān)鍵一步。我們的D-Mode D3GAN((直接驅(qū)...

2023-09-21 標(biāo)簽:逆變器半導(dǎo)體材料GaN 1.5k 0

汽車應(yīng)用中的寬帶隙材料

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寬帶隙半導(dǎo)體 (WBG),例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN),與硅相比具有更出色的性能:更高的效率和開(kāi)關(guān)頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV ...

2022-08-08 標(biāo)簽:SiCGaN碳化硅 1.5k 0

Qorvo?推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶GaN 功率放大器

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日推出全球性能最高的寬帶功率放大...

2020-03-03 標(biāo)簽:功率放大器GaNQorvo 1.5k 0

GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

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氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)

2023-12-28 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵GaN 1.5k 0

室溫超導(dǎo)神話!太赫茲Onyx系統(tǒng)助力電性能無(wú)損檢測(cè)

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7月底,有關(guān)已成功合成世界上第一個(gè)室溫常壓超導(dǎo)體的論文引發(fā)全球熱議,我們是否即將迎來(lái)室溫超導(dǎo)的時(shí)代?室溫超導(dǎo)的探究離不開(kāi)各類電性能表征技術(shù),基于太赫茲技...

2023-08-17 標(biāo)簽:超導(dǎo)GaN無(wú)損檢測(cè) 1.5k 0

解鎖GaN技術(shù)潛力:高電流納秒級(jí)脈沖驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)秘籍

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您是否正為設(shè)計(jì)高電流、納秒級(jí)脈沖驅(qū)動(dòng)電路而一籌莫展?現(xiàn)在,有一本由行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)EPC精心打造的權(quán)威指南,能助您攻克技術(shù)難題,開(kāi)啟創(chuàng)新設(shè)計(jì)的大門! 《激光...

2025-03-18 標(biāo)簽:GaN激光雷達(dá) 1.5k 0

氮化鎵,并網(wǎng)轉(zhuǎn)換器vista

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多年來(lái),設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來(lái)。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...

2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1.5k 0

今日看點(diǎn)丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片;英飛凌推出全球首創(chuàng)12英寸GaN晶圓技術(shù)

1. 英飛凌推出全球首創(chuàng)12 英寸GaN 晶圓技術(shù) ? 英飛凌日前表示,公司已能夠在12英寸(300mm)晶圓上生產(chǎn)GaN芯片,該技術(shù)為世界首創(chuàng),希望滿...

2024-09-12 標(biāo)簽:英飛凌cpuGaN 1.5k 1

巧用三個(gè)GaN器件 輕松搞定緊湊型電源設(shè)計(jì)

巧用三個(gè)GaN器件 輕松搞定緊湊型電源設(shè)計(jì)

本文簡(jiǎn)要討論了氮化鎵的優(yōu)勢(shì)及其設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。然后,介紹了Power Integrations的三個(gè)帶有內(nèi)部氮化鎵功率開(kāi)關(guān)的集成離線反激式轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān) IC 平臺(tái)...

2023-11-16 標(biāo)簽:電源充電器適配器 1.5k 0

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    藍(lán)牙5
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    藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?,更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱,新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps,是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是,它的有效距離是上一版本的4倍,理論上,藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
  • Qorvo
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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對(duì)4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
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    智慧家庭是智慧城市的最小單元,是以家庭為載體,以家庭成員之間的親情為紐帶,結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù),實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
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      智能工業(yè):是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié),大幅提高制造效率,改善產(chǎn)品質(zhì)量,降低產(chǎn)品成本和資源消耗,將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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    Elektron
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    樂(lè)鑫信息科技(上海)有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū),是一家先進(jìn)、專業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司,致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片,提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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    WiGig(Wireless Gigabit,無(wú)線千兆比特)是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù),可用于在家中快速傳輸大型文件。
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    LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu),如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層,LoRa是物理層。
  • 5G毫米波
    5G毫米波
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    5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù),毫米波指的是一種特殊電磁波,波長(zhǎng)為1毫米到10毫米,波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段,毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì),可滿足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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  • LoRa技術(shù)
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    LTE-Advanced
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      超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻,將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
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    藍(lán)牙m(xù)esh
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    藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò),是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊,使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
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    HBT
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     hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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