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GaN組件的單片集成提升了功率集成電路?

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本文分析了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺(tái)上的成功協(xié)...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETGaNdcdc轉(zhuǎn)換器 1.6k 0

PD快充芯片U8722BAS和同步整流芯片U7612B概述

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2025-08-12 標(biāo)簽:pcbGaNPD快充 1.6k 0

Navitas發(fā)布2024財(cái)年Q3財(cái)報(bào):營(yíng)收微降,但技術(shù)與市場(chǎng)布局加速

近日,Navitas半導(dǎo)體公司發(fā)布了其截至2024年9月30日的第三季度未經(jīng)審計(jì)的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)報(bào)告。盡管總營(yíng)收微降至2170萬(wàn)美元,相比2023年第三季度的...

2024-11-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 1.6k 0

用于高壓GaN器件的GaN Epi晶圓制造

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2022-07-29 標(biāo)簽:氮化鎵GaN晶圓制造 1.6k 0

基于 GaN 的 Dickson 轉(zhuǎn)換器提高 EV 效率

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電動(dòng)汽車 (EV) 電力需求的增加已將傳統(tǒng)的 12V 系統(tǒng)推至其最大容量 3 kW。因此,開(kāi)發(fā)了一個(gè)補(bǔ)充 48-V 網(wǎng)絡(luò)。1,2 48V 總線和內(nèi)核電壓...

2022-08-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電源轉(zhuǎn)換器 1.6k 0

安世半導(dǎo)體再獲功率器件行業(yè)大獎(jiǎng)!

由世紀(jì)電源主辦的第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在論壇同期舉辦的 2022 電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)評(píng)選中,Nexper...

2023-03-06 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 1.6k 0

力生美亮相上海AWE,用“芯”助力智慧家電產(chǎn)業(yè)

3.14-17日,中國(guó)家電及消費(fèi)電子博覽會(huì)(AWE),在上海新國(guó)際博覽中心順利舉辦。

2024-03-19 標(biāo)簽:人機(jī)交互振蕩器GaN 1.6k 0

瑞薩豪擲3.39億美元收購(gòu)Transphorm,押寶GaN技術(shù)

在科技領(lǐng)域的巨浪中,瑞薩電子以35%的溢價(jià)宣告了一項(xiàng)重磅收購(gòu)。1月11日,瑞薩電子正式宣布與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm達(dá)成最終協(xié)議,...

2024-01-12 標(biāo)簽:瑞薩GaNTransphorm 1.6k 0

如何在絕緣層上硅形成高質(zhì)量和大面積的化合物半導(dǎo)體材料

第一代半導(dǎo)體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料,而第二代和第三代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體(Compound Semiconductor)材料,其中...

2022-09-16 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體SiC 1.6k 0

青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功!

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5月28日,青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行,參加此次簽約儀式的嘉賓有城陽(yáng)區(qū)科學(xué)與技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)、城陽(yáng)區(qū)工業(yè)與信息化局...

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不久前,SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的,但到了2018年,這些技術(shù)的優(yōu)勢(shì)開(kāi)始被應(yīng)用到現(xiàn)實(shí)生活中。這項(xiàng)新技術(shù)成功背后的原因是什么? SiC 和 ...

2022-07-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC氮化鎵 1.6k 0

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2021-04-07 標(biāo)簽:探測(cè)器GaN 1.6k 1

三菱電機(jī)推出新型GaN功率放大器模塊,助力5G mMIMO基站擴(kuò)展

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將向市場(chǎng)提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品,專為5G massive MIMO(mMIMO)基站...

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2023-12-15 標(biāo)簽:氮化鎵GaN砷化鎵 1.6k 0

恩智浦將GaN用于5G多芯片模塊,以實(shí)現(xiàn)高能效移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)

減少能耗是電信基礎(chǔ)設(shè)施的一個(gè)主要目標(biāo),其中每一點(diǎn)效率都至關(guān)重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產(chǎn)品組合效率提高到 52%,比公司上一...

2021-07-05 標(biāo)簽:恩智浦氮化鎵GaN 1.6k 0

GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

每個(gè)世紀(jì)在人類努力的各個(gè)領(lǐng)域都有其重大發(fā)明。對(duì)于電力電子而言,21世紀(jì)正在加速發(fā)現(xiàn)寬帶隙。在過(guò)去的二十年里,研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)...

2022-07-27 標(biāo)簽:SiC氮化鎵GaN 1.6k 0

第三代半導(dǎo)體測(cè)試的突破 — Micsig光隔離探頭

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第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界...

2023-01-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBTSiC 1.6k 0

GaN芯片制造商英諾賽科計(jì)劃香港上市

近日,有消息透露,英諾賽科公司正籌備在今年內(nèi)赴香港進(jìn)行首次公開(kāi)募股(IPO),預(yù)計(jì)融資規(guī)模將達(dá)到約3億美元。

2024-03-25 標(biāo)簽:芯片GaN英諾賽科 1.6k 0

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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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