晶能光電硅襯底氮化鎵技術助力MicroLED產業(yè)化

Micro LED被譽為新時代顯示技術，但目前仍面臨關鍵技術、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。...

2022-08-17 標簽：ledGaN硅襯底 1.8k 0

EASTWAY強力推出新型45W GaN墻充電源

隨著充電技術的不斷創(chuàng)新，充電效率得到了巨大的提升。普通慢如蝸牛的充電方式逐漸被快充形式所取代。 2019年，快充行業(yè)的飛速發(fā)展，人們對于USB-PD快充...

2020-03-28 標簽：GaNUSB-PD 1.8k 0

智融科技亮相2023(秋季)亞洲充電展

8月25日，為期三天的2023(秋季)亞洲充電展在深圳正式圓滿謝幕。

2023-08-31 標簽：芯片充電器soc 1.8k 0

德州儀器高度集成GaN解決方案可優(yōu)化成本和功耗

當我們?yōu)殡妱悠嚕‥V）電源管理技術發(fā)明更高效的集成電路，我們的客戶就可以設計出更高效、更經濟實用的汽車，進而減少廢氣排放，保護環(huán)境。 許多駕駛員因里程...

2021-01-05 標簽：電動汽車控制器氮化鎵 1.8k 0

Soitec收購EpiGaN nv，氮化鎵（GaN）材料加入優(yōu)化襯底產品組合

Soitec宣布收購EpiGaN nv，增強其優(yōu)化襯底產品組合氮化鎵（GaN）材料優(yōu)勢，此次收購將加速Soitec在高速增長的5G、電源和傳感器市場的滲...

2019-05-16 標簽：GaN硅片 1.8k 0

英偉達宣布了其用于培訓人工智能系統(tǒng)的新方法

過去，人工智能研究人員使用一種稱為數(shù)據(jù)增強的方法來規(guī)避此問題。在這種方法中，以圖像算法為例，如果材料不足，則復制現(xiàn)有材料。在復制期間，會對原始圖像進行更...

2020-12-16 標簽：人工智能GaN英偉達 1.8k 0

GaN價格及市場規(guī)模的發(fā)展趨勢

根據(jù)行家說 Research 數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球GaN 功率器件營收規(guī)模約為 1.66 億美元，其中消費類電子市場為0.95億美元，通信與數(shù)據(jù)中...

2023-02-20 標簽：氮化鎵GaN射頻器件 1.8k 0

RF-LAMBDA微波PIN、GaAs和Gan開關的特點介紹

隨著PIN開關在電子系統(tǒng)中的應用日益廣泛，引腳開關驅動器的設計越來越受到國內外元器件制造商的重視。PIN開關驅動器的響應速度是其重要指標之一。PIN是經...

2020-11-12 標簽：射頻GaN 1.8k 0

意法半導體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片

2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...

2023-12-15 標簽：轉換器意法半導體晶體管 1.8k 0

GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點及優(yōu)勢

GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術的功率器件，具有較低的導通電阻和開關損耗、高的開關速度和可靠性。其特點和優(yōu)勢如下：1. 低導通電阻...

2023-04-20 標簽：功率器件氮化鎵GaN 1.8k 0

GaN要快速擴散至各應用領域仍有層層關卡待突破

氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。

2023-03-20 標簽：IGBT氮化鎵GaN 1.8k 0

IMEC開發(fā)出最新的硅襯底芯片

IMEC與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長GaN/AlGaN的技術,IMEC介紹了該技術可實現(xiàn)大尺寸生產和兼容性好的優(yōu)勢

2011-06-08 標簽：IMECGaN襯底芯片 1.8k 0

用于雙脈沖分析的650V GaN CCPAK評估板

對快速 GaN 器件進行基準測試是一項具有挑戰(zhàn)性的任務，需要特殊定制的 PCB 布局。為獲得準確結果，需要超低的雜散電感和高帶寬電流測量。

2023-04-13 標簽：pcbGaN評估板 1.8k 0