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      2023-12-06 標簽：變換器功率器件GaN 2k 0

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      氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應用中具有廣闊的應用前景。

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      業(yè)界對GaN功率元件的期待已達到最高峰。實際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時尚早。英飛凌科技負責汽車用高壓功率半導體...

      2014-01-22 標簽：英飛凌功率器件GaN 1.9k 0

      中微公司Prismo系列MOCVD平臺成功實現(xiàn)高晶體質(zhì)量的GaN薄膜外延

      10月，為期四天的第五屆全國寬禁帶半導體學術(shù)會議于蘇州召開。此次會議聚集了來自科研院所、高校與行業(yè)領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)近700位專家、學者，一同探討寬禁帶半導體...

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      【 2025 年 8 月 4 日 ， 德國慕尼黑 訊】 德國慕尼黑地方法院（Landgericht München I）近日就英飛凌科技股份公司（FSE...

      2025-08-04 標簽：英飛凌專利GaN 1.9k 0

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      11月8日，中國電源學會第28屆學術(shù)年會暨展覽會，在寶安國際會展中心盛大啟幕，來自海內(nèi)外電力電子、電源行業(yè)專家、學者、知名企業(yè)、科研機構(gòu)、高校等5000...

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      2011-12-01 標簽：SiCGaN 1.9k 0

      深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

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      2024-03-13 標簽：電動汽車充電系統(tǒng)SiC 1.9k 0

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      2020-12-16 標簽：半導體SiCGaN 1.9k 0

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      采用 GaN 技術(shù)的快速充電器

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      氮化鎵 (GaN) 解決方案的集成將使您擁有更小、功率更大的外殼。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...

      2022-07-27 標簽：電源氮化鎵GaN 1.9k 0

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      劉士進 jf_38010428 jf_78150839 過過小日子 kdhaha jf_30061372 jf_75715919 書銘永恒 張偉_81592513 鄒廣田 jf_37200696 gp601

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