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硅功率器件現(xiàn)正開始達(dá)到其性能改進(jìn)被抑制的階段，不可避免的結(jié)論是來自硅進(jìn)一步支持的技術(shù)演進(jìn)的能力逐漸減弱?，F(xiàn)在明確地需要實(shí)質(zhì)上的具有顛覆性的技術(shù)。

2020-09-01 標(biāo)簽：功率器件 GaN 2.1k 0

GaN 與 Si 在 48 V 下的對(duì)比……前線最新消息

氮化鎵 (GaN)器件以最小的尺寸提供最佳性能、提高效率并降低 48 V 電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。在這些應(yīng)用中，eGaN ? FET 和 IC 的應(yīng)用迅...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EPC GaN 2.1k 0

SiC如此多嬌，引無數(shù)廠商競(jìng)出招

隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器...

2017-10-17 標(biāo)簽：SiC GaN 2.1k 0

用于下一代電力電子的GaN

在上一屆Nexperia Power 現(xiàn)場(chǎng)活動(dòng)中，許多行業(yè)領(lǐng)袖討論了與氮化鎵技術(shù)相關(guān)的不同話題。作為一種材料，在許多應(yīng)用中，GaN 似乎比硅具有顯著的內(nèi)...

2022-08-03 標(biāo)簽：晶圓散熱器 GaN 2.1k 0

寬帶隙半導(dǎo)體為通向太空鋪平道路

自硅問世以來，寬帶隙半導(dǎo)體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，這些材料具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 寬帶隙半導(dǎo)體 2.1k 0

Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型（cascade）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商。

2023-05-10 標(biāo)簽：FET GaN Nexperia 2.1k 0

Micro LED業(yè)務(wù)增長(zhǎng)顯著，IQE去年?duì)I收超10億

　近年，IQE開始涉足Micro LED領(lǐng)域，IQE擁有豐富的MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)儲(chǔ)備及規(guī)?；a(chǎn)的能力，可滿足制備微米級(jí)高亮Micro LED的需求。

2024-01-18 標(biāo)簽：MOCVD GaN Micro LED 2.1k 0

氮化鎵市場(chǎng)，中國(guó)扮演重要角色

借助 GaN，智能手機(jī)制造商可以制造外殼尺寸更小且性價(jià)比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價(jià)比硅貴，但更高的頻率和更高的功率密度值導(dǎo)致每瓦美元更...

2023-03-10 標(biāo)簽：功率氮化鎵 GaN 2.1k 0

2030年GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將超43億美元

TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告揭示了全球GaN（氮化鎵）功率元件市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)潛力。據(jù)預(yù)測(cè)，到2030年，該市場(chǎng)規(guī)模將從2023年的約2.7...

2024-08-15 標(biāo)簽：英飛凌 GaN 功率元件 2.1k 0

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

開關(guān)電源芯片被廣泛應(yīng)用于車載電子系統(tǒng)中，完成高效電能轉(zhuǎn)換。隨著智能駕駛技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)開關(guān)電源芯片的電磁干擾（EMI）噪聲的要求也日益嚴(yán)苛。

2024-05-20 標(biāo)簽：集成電路電磁干擾氮化鎵 2.1k 0

俄羅斯和印度再增2個(gè)SiC項(xiàng)目合計(jì)超過6.3億元

最近，俄羅斯和印度新增了2個(gè)碳化硅項(xiàng)目，其中俄羅斯的碳化硅模塊項(xiàng)目是由“中國(guó)最大的制造商之一”投資建設(shè)的

2023-11-25 標(biāo)簽：晶圓 SiC 功率模塊 2.1k 0

GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性研究

當(dāng)前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。

2024-01-11 標(biāo)簽：雪崩擊穿氮化鎵 GaN 2.1k 0

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

2025-01-23 標(biāo)簽：MOSFET SiC 氮化鎵 2.1k 0

構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用

半導(dǎo)體p-n結(jié)二極管是構(gòu)建光電器件的基本單元之一。然而，傳統(tǒng)p-n結(jié)二極管在某種程度上受到電流整流行為的限制，這使得載流子的調(diào)控性受到影響

2024-03-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 PN結(jié)氮化鎵 2.1k 0

GaN晶體管維持低溫的原因是什么?

良好的散熱設(shè)計(jì)也會(huì)對(duì)功率密度的變化產(chǎn)生積極影響。選擇良好的基板肯定會(huì)通過減少散熱器表面（特別是在功率應(yīng)用中）減少散熱面，從而有助于更好地散熱。

2020-09-28 標(biāo)簽：電源晶體管 GaN 2.1k 0

華為、浪潮力推GaN，萬億級(jí)市場(chǎng)打開

氮化鎵在服務(wù)器電源領(lǐng)域愈發(fā)扮演著重要角色，今天，“行家說”將為大家?guī)?條該領(lǐng)域的內(nèi)容服務(wù)，并為大家分析GaN備受數(shù)據(jù)中心青睞的原因。

2023-07-06 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)氮化鎵電源 GaN 2.1k 0

基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

硅基光電集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低時(shí)延的優(yōu)勢(shì);無需過分追求工藝尺寸的縮小。硅光產(chǎn)業(yè)今年市場(chǎng)規(guī)模將突破28億美元，未來可達(dá)數(shù)百億美元。

2024-01-02 標(biāo)簽：晶圓 GaN LED發(fā)光 2.1k 0

GaN解決方案全面覆蓋電動(dòng)汽車

當(dāng)我們?yōu)殡妱?dòng)汽車（EV）電源管理技術(shù)發(fā)明更高效的集成電路，我們的客戶就可以設(shè)計(jì)出更高效、更經(jīng)濟(jì)實(shí)用的汽車，進(jìn)而減少廢氣排放，保護(hù)環(huán)境。許多駕駛員因里程...

2020-12-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車集成電路 GaN 2.1k 0

可靠的電源管理技術(shù)

TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示：“我們的客戶正在尋找在不大幅增加車輛重量或成本的前提下增加功率的方法。TI高度集成的GaN...

2021-01-13 標(biāo)簽：電源管理逆變器 GaN 2.1k 0

南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)蒞臨國(guó)星半導(dǎo)體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片

? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力，為南海區(qū)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐，11月2日下午，南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局局長(zhǎng)薛佩華，科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長(zhǎng)熊惠芬，科技成果轉(zhuǎn)化股股...

2023-11-06 標(biāo)簽：LED芯片功率器件氮化鎵 2.1k 0

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藍(lán)牙5

藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智慧家庭

智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
AD9361

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nRF52832

nRF52832

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無線收發(fā)模塊

無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
KeyStone

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lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
5G毫米波

5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來無線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
802.11ax

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JN5168

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ZigBee3.0

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貼片天線

貼片天線

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射頻元件

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無線設(shè)備

無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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