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gan資訊

GaN——如何讓RF功率放大器帶寬和功率突飛猛進(jìn)

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電信行業(yè)不斷需要更高的數(shù)據(jù)速率,工業(yè)系統(tǒng)不斷需要更高的分辨率,這助推了滿(mǎn)足這些需求的電子設(shè)備工作頻率的不斷上升。許多系統(tǒng)可以在較寬的頻譜中工作,新設(shè)計(jì)通...

2018-03-13 標(biāo)簽:ganrf功率放大器 2.4k 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...

2024-11-08 標(biāo)簽:電源GaN功率半導(dǎo)體 2.4k 0

使用氮化鎵重新考慮功率密度

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作者:Masoud Beheshti ? 電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了...

2021-12-09 標(biāo)簽:MOSFET電源管理功率 2.4k 0

碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用  | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

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SiC和GaN被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...

2024-09-16 標(biāo)簽:SiC氮化鎵GaN 2.4k 0

使用 GaN 功率 IC 提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)的可靠性和性能

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歐盟大約有 80 億臺(tái)電動(dòng)機(jī)在使用,消耗了歐盟生產(chǎn)的近 50% 的電力。1由于提高效率和減少碳足跡是政府和行業(yè)的主要目標(biāo),因此存在多項(xiàng)舉措來(lái)降低這些電機(jī)...

2022-07-19 標(biāo)簽:IC電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 2.4k 0

融資規(guī)模約3億美元!英諾賽科計(jì)劃最早于今年內(nèi)在香港進(jìn)行IPO

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這家TOP 1 氮化鎵廠(chǎng)商終于要上市了!

2024-03-06 標(biāo)簽:氮化鎵GaN英諾賽科 2.4k 1

射頻GaN需求飆升,專(zhuān)利申請(qǐng)戰(zhàn)全面啟動(dòng)

RF GaN已被工業(yè)公司認(rèn)可并成為主流。從知識(shí)產(chǎn)權(quán)的角度來(lái)看,美國(guó)和日本主導(dǎo)著整個(gè)RF GaN知識(shí)產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)。

2019-02-21 標(biāo)簽:射頻IntelRF 2.4k 0

SiC和GaN器件的兩大主力應(yīng)用市場(chǎng)

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氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特性,使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用,特別是在DC/DC轉(zhuǎn)...

2024-11-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體SiC 2.4k 0

全球首發(fā)量產(chǎn)!這款車(chē)官宣搭載GaN OBC

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)OBC即車(chē)載充電器,是將交流充電口輸入的交流電轉(zhuǎn)換為直流電的部件,只要車(chē)上有交流充電口,就需要配備OBC。隨著新能源汽車(chē)的...

2025-03-05 標(biāo)簽:GaN 2.3k 0

傳蘋(píng)果將采用GaN充電器

對(duì)于蘋(píng)果來(lái)說(shuō),想要在iPhone或者iPad上使用更大容量的電池也不太現(xiàn)實(shí),不過(guò)讓電池充電速度更快,就是很好的這種辦法,而他們也即將加入GaN技術(shù)的充電...

2021-01-05 標(biāo)簽:充電器蘋(píng)果GaN 2.3k 0

增強(qiáng)GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

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熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要,而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。

2023-12-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管SiC 2.3k 0

英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術(shù)開(kāi)發(fā)

 對(duì)于許多設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。與硅MOSFET相比,氮化鎵HEMT具有出色的特定動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和更小的電容,因此更適于做高速開(kāi)關(guān)。

2021-09-08 標(biāo)簽:英飛凌傳感器MOSFET 2.3k 0

日企聚焦GaN功率元件,耐壓600V產(chǎn)品成主流

Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開(kāi)發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進(jìn)入2013年以后,日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品,還有不少企業(yè)宣布涉足功...

2013-04-19 標(biāo)簽:GaN功率元件 2.3k 0

AIXTRON滿(mǎn)足高良率、低成本、自動(dòng)化量產(chǎn)需求

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來(lái)源:《半導(dǎo)體芯科技》&《化合物半導(dǎo)體》雜志采訪(fǎng)——AIXTRON中國(guó)副總經(jīng)理 方子文博士 5月23-24日,由雅時(shí)國(guó)際商訊《半導(dǎo)體芯科技》《化合物半導(dǎo)...

2023-06-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體自動(dòng)化SiC 2.3k 0

CCPAK-GaN FET頂部散熱方案

長(zhǎng)期以來(lái),在功率應(yīng)用方案中,熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項(xiàng)目有空間放置大型的散熱器時(shí),從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而,隨著輸出功率提升以及功率密...

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Qorvo 2021年在線(xiàn)設(shè)計(jì)峰會(huì)匯總

早前,Qorvo 舉辦了一系列的設(shè)計(jì)峰會(huì),通過(guò)這一系列峰會(huì),可將您與我們的市場(chǎng)和產(chǎn)品專(zhuān)家聯(lián)系在一起,以幫助您提升應(yīng)用水平。

2022-02-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaN5G 2.3k 0

探秘GaN功率半導(dǎo)體封裝:未來(lái)趨勢(shì)一網(wǎng)打盡!

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隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子、射頻通信等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。其中,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件以其高電子遷移率、高擊穿電壓、低導(dǎo)通...

2025-01-02 標(biāo)簽:芯片封裝GaN功率半導(dǎo)體 2.3k 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體投資15億建3條芯片線(xiàn)

近日,GaN行業(yè)迎來(lái)了一項(xiàng)重要突破,一家名為遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的企業(yè)宣布成功研發(fā)出新一代高壓氮化鎵功率器件,其電壓等級(jí)高達(dá)3300V。這一消息于10月18日由“...

2024-10-22 標(biāo)簽:芯片GaN 2.3k 0

INN650DA260A增強(qiáng)功率晶體管GaN

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650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管,采用5mm雙扁平無(wú)引線(xiàn)封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān),符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。

2023-08-16 標(biāo)簽:GaN功率晶體管 2.3k 0

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    藍(lán)牙5
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    藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?,更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng),新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps,是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是,它的有效距離是上一版本的4倍,理論上,藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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    Qorvo
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    5G手機(jī)
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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對(duì)4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
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編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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