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電動(dòng)汽車(chē)能否成為GaN應(yīng)用的未來(lái)

在電力電子應(yīng)用中,為了滿足更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率的要求,功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。

2022-08-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器SiC 2.5k 0

Power Integrations榮獲“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”

Power Integrations,憑借其全球領(lǐng)先的功率器件技術(shù)和卓越的市場(chǎng)表現(xiàn),榮獲了“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)Power Int...

2024-01-08 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 2.5k 0

昂寶電子推出高效無(wú)頻閃GaN方案OB3674x+OB8652x

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隨著辦公和商業(yè)照明市場(chǎng)的日益成熟,高效、節(jié)能、高可靠性的照明解決方案成為市場(chǎng)的迫切需求。

2024-04-26 標(biāo)簽:LED驅(qū)動(dòng)GaN昂寶電子 2.5k 0

小型化設(shè)計(jì)中,高可靠性的EMI抑制電容怎么選?

電子工業(yè)中最持久的趨勢(shì)之一就是小型化。半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)強(qiáng)調(diào)減小電子元器件的尺寸,同時(shí)也需要顯著提高其性能。智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和平板電腦只是利用最新半導(dǎo)...

2021-05-20 標(biāo)簽:pcb電容emi 2.5k 0

GaN晶體管的高級(jí)優(yōu)勢(shì)是什么

傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅 (Si),因?yàn)樗馁Y源豐富且價(jià)格實(shí)惠。然而,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)都提供額外的好處...

2022-07-29 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 2.5k 0

擴(kuò)散模型在視頻領(lǐng)域表現(xiàn)如何?

在視頻生成領(lǐng)域,研究的一個(gè)重要里程碑是生成時(shí)間相干的高保真視頻。來(lái)自谷歌的研究者通過(guò)提出一個(gè)視頻生成擴(kuò)散模型來(lái)實(shí)現(xiàn)這一里程碑,顯示出非常有希望的初步結(jié)果...

2022-04-13 標(biāo)簽:視頻GaN模型 2.5k 0

首個(gè)在6英寸藍(lán)寶石襯底上的1700V GaN HEMTs器件發(fā)布

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近日,廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān),通過(guò)采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層...

2024-01-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaNHEMT器件 2.5k 0

博爾芯推出新一代多通道高邊尋址芯片PXS070-CHx

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博爾芯(上海)半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“博爾芯”)是一家專(zhuān)注于激光雷達(dá)(LiDAR)、48V電源和驅(qū)動(dòng)、高性能GaN電源芯片及系統(tǒng)設(shè)計(jì)的創(chuàng)新廠商。

2024-05-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路QFN封裝GaN 2.4k 0

硅上GaN LED分析

硅上GaN LED 不必受應(yīng)力的影響,一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率,制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延...

2011-11-02 標(biāo)簽:LEDGaN 2.4k 0

基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

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III族氮化物半導(dǎo)體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設(shè)備的節(jié)能。

2023-12-28 標(biāo)簽:OLED發(fā)光二極管LED器件 2.4k 0

CGD為電機(jī)控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢(shì)

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評(píng)估套件具有 Qorvo 的高性能無(wú)刷直流 / 永磁同步電機(jī)控制器 / 驅(qū)動(dòng)器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能 ? 英國(guó)...

2024-06-07 標(biāo)簽:電機(jī)控制GaNCGD 2.4k 0

如何獲得高質(zhì)量的晶面作為激光器震蕩用的腔面

將InGaN基激光器直接生長(zhǎng)在硅襯底材料上,為GaN基光電子器件與硅基光電子器件的有機(jī)集成提供了可能。另一方面,自1996年問(wèn)世以來(lái),InGaN基激光器...

2021-10-08 標(biāo)簽:芯片激光GaN 2.4k 0

首爾半導(dǎo)體推出利用GaN晶體非極性面的白色LED

 韓國(guó)首爾半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出了在1mm見(jiàn)方藍(lán)色LED芯片上組合熒光材料,實(shí)現(xiàn)了光通量為500lm左右的白色LED,并在“日本第5屆新一代照明技術(shù)展”上展出。該...

2013-01-23 標(biāo)簽:LED首爾半導(dǎo)體GaN 2.4k 0

寬禁帶半導(dǎo)體是怎么從頂流成為主流的?

近幾年,中國(guó)碳化硅(SiC)項(xiàng)目可謂遍地開(kāi)花,據(jù)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體材料分會(huì)統(tǒng)計(jì),截至今年5月,我國(guó)從事SiC襯底研制的企業(yè)已經(jīng)有30家,還不包括...

2021-06-08 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 2.4k 0

AMC7932單芯片解決方案可實(shí)現(xiàn)GaN功放的檢測(cè)與控制

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作者:Liu Seasat; Yu, Yuntao 我國(guó)于2019年進(jìn)入5G部署預(yù)商用階段,國(guó)務(wù)院要求力爭(zhēng)在2020年啟動(dòng)5G的全面商用。5G時(shí)代,移...

2021-11-10 標(biāo)簽:芯片GaN 2.4k 0

qorvoQORVO通過(guò)10W Ka波段GaN放大器來(lái)打破功率屏障

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QORVO為32-38GHZ國(guó)防應(yīng)用提供業(yè)界最高功率的解決方案。

2020-05-22 標(biāo)簽:GaNQorvo 2.4k 0

Qorvo發(fā)布用于高級(jí)雷達(dá)系統(tǒng)的緊湊型GaN功率放大器

RF解決方案提供商Qorvo10月21日宣布,推出兩款全新的功率放大器(PA),包括可以在內(nèi)部匹配50Ω的行業(yè)首款500W L頻段PA和一款450W S...

2016-10-24 標(biāo)簽:功率放大器GaN雷達(dá)系統(tǒng) 2.4k 0

Qorvo?推出高性能BAW濾波器,支持Band 41頻段5G基站部署

Qorvo QPQ1298濾波器可為農(nóng)村、城郊及人口稠密的城市地區(qū)提供5G高數(shù)據(jù)容量所需的更高頻率和帶寬。

2020-09-26 標(biāo)簽:濾波器GaN5G網(wǎng)絡(luò) 2.4k 0

三安宣布進(jìn)軍美洲市場(chǎng),為市場(chǎng)提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷(xiāo)售渠道,...

2024-01-13 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 2.4k 0

從應(yīng)用到方案,GaN為高功率密度USB-PD設(shè)計(jì)助力

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得益于近年來(lái)PD快充協(xié)議規(guī)范的快速發(fā)展與充電標(biāo)準(zhǔn)接口的產(chǎn)業(yè)引導(dǎo),采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)接口的USB Type-C PD電源,為移動(dòng)設(shè)備的便攜充電帶來(lái)了前所未有的便捷性。

2023-01-06 標(biāo)簽:usbGaNtype-c 2.4k 0

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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對(duì)4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
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劉士進(jìn) jf_38010428 jf_78150839 過(guò)過(guò)小日子 kdhaha jf_30061372 jf_75715919 書(shū)銘永恒 張偉_81592513 鄒廣田 jf_37200696 gp601

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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