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2025-11-04 標(biāo)簽:GaN晶能光電micro-led 2.2k 0

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本文要點氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的...

2024-07-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.2k 0

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2025-01-16 標(biāo)簽:散熱GaN金剛石 2.2k 0

富士通電子轉(zhuǎn)型第一年 重拳立足汽車電子領(lǐng)域

富士通電子元器件產(chǎn)品管理部高級經(jīng)理蔡振宇強調(diào),未來富士通會將能源汽車領(lǐng)域作為重點,并不斷擴展其業(yè)務(wù),目前還涉及工業(yè)類、物聯(lián)網(wǎng)、電源管理方向,并逐漸往電子...

2016-03-25 標(biāo)簽:汽車電子GaNFRAM 2.2k 2

充電革命 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)的崛起

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GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

2023-12-07 標(biāo)簽:晶體管GaNHEMT 2.2k 0

英飛凌訴英諾賽科專利糾紛,涉及GaN功率半導(dǎo)體

英飛凌現(xiàn)已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司,正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機構(gòu)涉嫌侵犯有關(guān)GaN技術(shù)的美國專利,尋求永久禁令。

2024-03-15 標(biāo)簽:英飛凌傳感器系統(tǒng)GaN 2.2k 0

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