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標(biāo)簽 > gan
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在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下,電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮,...
快充與新能源汽車市場推動(dòng)GaN功率器件大發(fā)展
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年第三代半導(dǎo)體異?;馃?,國內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2020年,GaN功率器件市場規(guī)模為460...
基于GaN的耐輻射DC/DC轉(zhuǎn)換器提高關(guān)鍵應(yīng)用的效率
在過去幾年中,太空市場通過采用太空系統(tǒng)中前所未有的新技術(shù),一直在朝著更高效的電源解決方案邁進(jìn)。太空硬件會受到包括電離輻射在內(nèi)的惡劣環(huán)境條件的影響,因此需...
2022-08-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體GaN 2.3k 0
對電子設(shè)備的需求激增正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域的增長。制造商通過使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來尋求競爭優(yōu)勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 (WBG...
2022-08-05 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器GaN寬禁帶半導(dǎo)體 2.3k 0
測試背景地點(diǎn):國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測試對象:氮化鎵半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時(shí)會炸管,需要對半橋上管控制信...
PFC是功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)的縮寫,是一種電源管理技術(shù),可以在交直流轉(zhuǎn)換(ACDC)時(shí)提高電源對市電的利用率。...
GaN功率器件供應(yīng)商聚能創(chuàng)芯與世強(qiáng)達(dá)成戰(zhàn)略合作
與Si元器件相比,GaN具有高擊穿電場強(qiáng)度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn),可大幅提升器件與系統(tǒng)的功率密度、工作頻率與能量轉(zhuǎn)換效率,隨著5G通信...
日前,射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵(GaN)晶體管,所有...
EditGAN圖像編輯框架將影響未來幾代GAN的發(fā)展
此外, EditGAN 框架可能會影響未來幾代 GAN 的發(fā)展。雖然當(dāng)前版本的 EditGAN 側(cè)重于圖像編輯,但類似的方法也可能用于編輯 3D 形...
高功率密度、高效率和更寬的頻率支持使基于 GaN 的解決方案成為適合許多射頻應(yīng)用的優(yōu)良選擇。嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員都知道,每一種材料都必須權(quán)衡利弊。在探討最...
2021-07-28 標(biāo)簽:GaN 2.2k 0
最近在推進(jìn)寬帶隙 (WBG) 電力電子器件方面取得了顯著進(jìn)展,這主要是由于其與 Si 器件相比具有更高的開關(guān)頻率,以及它們因此能夠提高開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器...
2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體設(shè)計(jì)功率器件 2.2k 0
美國防高級研究計(jì)劃局(DARPA)在起草當(dāng)前的“AI分析框架”過程中,這些要點(diǎn)成為重要方向,并與國家AI研發(fā)戰(zhàn)略重點(diǎn)保持一致 。此外,需要在數(shù)據(jù)和計(jì)算方...
WBG 電源模塊提供的特性和功能比其硅同類產(chǎn)品高出幾個(gè)數(shù)量級,包括 10 倍的電壓阻斷能力、10 倍到 100 倍的開關(guān)速度能力以及十分之一的能量損失。...
據(jù)日本研究人員報(bào)告,通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”,氮化鎵(GaN)的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。
2024-03-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器氮化鎵 2.2k 0
GaN還有一些有趣的特性,讓它在各方面更具吸引力。它的電子遷移率和熔點(diǎn)分別實(shí)現(xiàn)了高電流通道和更高的溫度(或在相同或更低的溫度下提高可靠性)。
2022-11-10 標(biāo)簽:電阻轉(zhuǎn)換器GaN 2.2k 0
GaN性能優(yōu)異,在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛,發(fā)展?jié)摿薮?;進(jìn)一步發(fā)展,需提升材料質(zhì)量,制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
ACT41000-104-REF1實(shí)現(xiàn)多種GaN PA偏置并自動(dòng)校準(zhǔn)系統(tǒng)
中國北京 – 2022 年 6 月 14 日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克...
用于HZZH 98%高效功率模塊的Transphorm GaN
我們在尋找一種功率晶體管,幫助我們?yōu)榭蛻糸_發(fā)一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化硅器件,但在低電壓條件下無法達(dá)到預(yù)期優(yōu)勢。
能源轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)涉及不同的市場。電動(dòng)汽車 (EV) 的技術(shù)進(jìn)步正在降低成本,但最重要的是提供了許多消費(fèi)者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電...
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