飛思卡爾產(chǎn)品的應用領域飛思卡爾的市場領先地位
2021-02-19 07:20:07
為了幫助解決引發(fā)溫室效應及全球變暖的汽車排放問題，飛思卡爾半導體現(xiàn)已在32位汽車微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技術。與飛思卡爾其它動力總成微控制器類似，這些MCU幫助減少二氧化碳廢氣，為新興市場提供經(jīng)濟高效且精密的引擎控制設計。
2019-06-26 06:01:27
飛思卡爾開發(fā)工具，嵌入式學習，實驗室必備昆山鑫盛盟創(chuàng)科技有限公司依托于蘇州大學和清華大學飛思卡爾嵌入式研發(fā)中心，是freescale大學計劃中國地區(qū)的推廣單位，專注于嵌入式硬件、軟件設計開發(fā)和培訓
2011-06-23 16:00:15
本人剛到一家公司，現(xiàn)在用到的主單片機有stm32和
飛思卡爾，之前用的都是stm32系列的，
飛思卡爾的從沒用過，了下代碼，配置方面的基本看不太懂。這里想找些學習
飛思卡爾系列單片機的方法與資料推薦，謝謝大家?guī)兔Γ?/div>
2016-04-16 17:27:31
請問大家有沒有參加過飛思卡爾比賽？現(xiàn)在我想?yún)⒓樱垎栁以撛趺礈蕚?？謝謝
2014-03-29 19:02:49
飛思卡爾用到哪些軟件,繪制PCB板一般用哪個軟件更好？
2014-11-07 22:43:55
鉛封裝，并提供最低功率損耗，平均只需提供29微安培，讓代工廠商能滿足嚴格的功率目標?！ PR121是飛思卡爾繼MPR03x系列組件之后的第二代感應控制器。MPR121具備更豐富的內(nèi)建智能功能，同時也
2018-11-15 14:50:56
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
鎵相比具有更高的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱電導率。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的帶寬與砷化鎵晶體管相比。 該IM FET提供金屬/陶瓷法蘭提供最佳電氣
2020-12-03 11:49:15
和更高導熱系數(shù)。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產(chǎn)品型號
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。相關
2018-11-12 10:26:20
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
應用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應用工程方面具有明顯優(yōu)勢。飛思卡爾半導體在生產(chǎn)及銷售分立和集成射頻半導體器件方面具有雄厚實力。該公司采用HV7工藝的第七代
2019-07-05 06:56:41
應用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應用工程方面具有明顯優(yōu)勢。飛思卡爾半導體在生產(chǎn)及銷售分立和集成射頻半導體器件方面具有雄厚實力。該公司采用HV7工藝的第七代
2019-07-09 08:17:05
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學院研究與技術聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管?！芳夹g根據(jù)其結(jié)構和制造工藝，晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管?！?當前容量根據(jù)目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
提供高于15%的效能，能滿足3.8GHz WiMAX要求。 這款RFIC是采用飛思卡爾(Freescale)半導體公司的高壓HV7 RF LDMOS工藝技術設計開發(fā)的MW7IC3825N/NB。這款兩級
2019-06-25 06:55:46
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
換向故障損壞。總之，與用于LLC拓撲應用的Si和SiC晶體管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價值。
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
求飛思卡爾資料
2012-12-08 15:47:03
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
` 引言 在功率變換器應用中，寬帶隙（WBG）技術日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細分市場的應用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應用優(yōu)勢
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
請問誰能提供一個飛思卡爾的CAN-BOOTLOADER分享，這個真的不曉得該如何入手呀。
2016-12-27 13:58:49
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:31
20 飛思卡爾為L波段雷達應用推出LDMOS
一直致力于突破高功率射頻（RF）技術的飛思卡爾半導體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達應用的
2008-06-07 23:56:39
1124 飛思卡爾針對TD-SCDMA無線網(wǎng)絡推出RF功率器件和參考設計:MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N
飛思卡爾半導體引入兩個末級LDMOS RF功率晶體管，為設計人員提供
2009-09-07 07:15:01697 什么是RF LDMOS晶體管
DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴
2010-03-05 16:22:597373 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 恩智浦半導體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381185 飛思卡爾半導體公司以合理的性價比點，面向OEM(原始設備制造商)推出三款先進的工業(yè)RF功率晶體管。 增強的耐用性與領先的RF性能結(jié)合，使OEM廠商能夠大幅縮減在工業(yè)和商用
2010-11-23 09:31:271367 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061462 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴展產(chǎn)品。
2013-06-21 11:09:261974 過去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開發(fā)者遇到更加復雜的挑戰(zhàn)：需要滿足多種標準、信號變化和嚴格的帶寬要求等。針對這一問題，飛思卡爾半導體(NYSE：FSL)日前推出新型
2013-09-26 14:37:2932 半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）襯底氮化鎵（gallium nitride，GaN）高電子遷移率晶體管
2013-09-30 15:34:162478 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術
2016-01-13 11:14:372001 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術。
2016-01-13 15:37:092386 飛思卡爾__所有的算法、飛思卡爾智能車賽道曲率計算、由入門到精通吃透PID、飛思卡爾智能車黑線識別算法及控制策略研究。
2016-03-11 17:47:5266 這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。
2017-06-27 08:54:1124 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1517 飛思卡爾KEA介紹
2017-09-25 14:33:4242 （ Lateral Diffused Metal-ide-semiconductor） 晶體管設計了一款輸出功率oXi為4 W 用于基站的AB 類功率放大器; 采用GaN （Gallium
2017-10-31 11:06:4317 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 過去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開發(fā)者遇到更加復雜的挑戰(zhàn)：需要滿足多種標準、信號變化和嚴格的帶寬要求等。針對這一問題，飛思卡爾半導體推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast
2017-12-09 03:48:05811 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達10V，工作電流在20A，擊穿電壓達到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001878 ） MOSFET晶體管，此系列器件采用了最新的LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）技術。MRFX1K80H運用LDMOS技術來提高寬頻應用的輸出功率，同時維持適當?shù)妮敵鲎杩埂?
2018-05-08 18:36:001523 240 W LDMOS功率晶體管封裝了用于基站應用的不對稱多爾蒂功率晶體管，其頻率為2300 MHz至2400 MHz。
2018-08-14 08:00:0019 180 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:0012 10 W WiMAX LDMOS功率晶體管在3400 MHz至3600 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:007 130 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:005 140 W LDMOS功率晶體管在2500 MHz至2700 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:008 170 W LDMOS功率晶體管，具有改善的視頻帶寬，用于從1800 MHz到1990 MHz的頻率的基站應用。
2018-08-14 08:00:007 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 飛思卡爾塔系統(tǒng)
2021-05-22 09:38:431 GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:552235 
GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11978 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產(chǎn)品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:342033 解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現(xiàn)上述目標，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28694 無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
2023-09-28 17:44:222460 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結(jié)構復雜而精細，融合了多種材料和工藝，以實現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063437 GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而，它們在材料特性、性能表現(xiàn)、應用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管差異的詳細分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現(xiàn)出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領域的優(yōu)選器件。以下將詳細闡述GaN晶體管的主要應用場景，并結(jié)合具體實例進行說明。
2024-08-15 11:27:203066 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN晶體管的命名、類型和結(jié)構.pdf》資料免費下載
2024-09-12 10:01:200 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論