2011年9月9日,德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管,該產品結合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性,專門面向UHF廣播電視應用而設計。
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作為飛思卡爾RF功率LDMOS晶體管系列的最新成員,MRFE6VP8600H與其上一代產品相比輸出功率提高39%,其設計在滿足ATSC、DVB-T和ISDB-T等許多主要數字電視傳輸標準要求的同時帶來業(yè)界最高性能。MRFE6VP8600H 為電視發(fā)射機制造商和廣播公司提供了顯著優(yōu)勢。例如,晶體管可以在完整廣播頻段中交付125W的線性功率(超過600W峰值包絡功率),并可以帶來極高的效率(通常在860 MHz時為30%,當采用Doherty配置時可高達45%)。
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UHF頻段范圍從470 MHz到860 MHz,廣播公司使用這些頻段傳輸無線電視信號。目前,絕大多數采用數字廣播的電視臺都在使用UHF頻段。
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飛思卡爾RF部門副總裁兼總經理Ritu Favre表示,“新的MRFE6VP8600H再次加強了飛思卡爾提供客戶發(fā)展所需的卓越性能和效率的持續(xù)承諾,即便在面對極為嚴格的市場要求的行業(yè)中亦是如此。該新產品的推出強調了飛思卡爾具有標志性的運營方針,即利用其對網絡市場的深入了解,通過智能、系統(tǒng)級的設計流程實現性能和效率收益。”
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MRFE6VP8600H具有更高的RF輸出功率和效率,可降低晶體管的總數和指定輸出功率所需的合成階段,與上一代固態(tài)系統(tǒng)相比,可幫助簡化發(fā)射器設計并提高可靠性。與上一代產品相比,基于MRFE6VP8600H的發(fā)射器使用的電量最高可節(jié)省15%,從而可節(jié)省大量運營成本。
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MRFE6VP8600H是同類產品中最耐用的RF功率LDMOS晶體管。當驅動其全額定RF輸出功率時,該設備在所有相位角驅動超過65:1的阻抗失配(VSWR)時都不會出現性能下降,即使由兩倍的額定輸入功率驅動。晶體管的耐用性使它在天線結冰、輸電線路故障或操作錯誤等不利條件下能夠更加可靠,即便是在由預失真系統(tǒng)創(chuàng)建的驅動峰值出現時。
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另外,MRFE6VP8600H可輕松應對由高選擇性信道濾波器導致的頻段外反射負載條件,以及采用DVB-T (8k OFDM)等高階調制技術的數字傳輸方案的高峰均比(PAR)特性。 MRFE6VP8600H的增強耐用特點也使其可以采用經簡化的發(fā)射器保護電路。
飛思卡爾推出射頻高功率LDMOS晶體管
MRFE6VP8600H的主要規(guī)格包括:
- 飛思卡爾(79500)
- LDMOS(26304)
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2025-05-15 14:24:23
LM395系列 42V 功率晶體管數據手冊
LM195/LM395 是具有完全過載保護的快速單片電源集成電路。這些器件充當高增益功率晶體管,芯片上包括電流限制、功率限制和熱過載保護,使其幾乎不可能因任何類型的過載而損壞。在標準 TO-3 晶體管功率封裝中,LM195 將提供超過 1.0A 的負載電流,并可在 500 ns 內切換 40V。
2025-05-15 10:41:11
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LP395 系列 36V 功率晶體管數據手冊
LP395 是一款具有完全過載保護的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護,使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹脂 TO-92 晶體管封裝,額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29
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ZSKY-D882-SOT-89-3L NPN硅功率晶體管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網站提供《ZSKY-D882-SOT-89-3L NPN硅功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-14 17:21:59
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0寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)
晶體管的性能得到了顯著提升,開啟了更高效率和更快動態(tài)響應的可能性。寬帶隙晶體管在現代電力系統(tǒng)中扮演著關鍵角色,包括開關電源(SMPS)、逆變器和電動機驅動器,因為
2025-04-23 11:36:00
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多值電場型電壓選擇晶體管結構
為滿足多進制邏輯運算的需要,設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜,有沒有一種簡單且有效的器件實現
2025-04-16 16:42:26
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2多值電場型電壓選擇晶體管結構
多值電場型電壓選擇晶體管結構
為滿足多進制邏輯運算的需要,設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管電路設計(下)
晶體管,FET和IC,FET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨器電路設計,FET低頻功率放大器的設計與制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋型OP放大器的設計與制作,進晶體管
2025-04-14 17:24:55
晶體管電路設計(上) 【日 鈴木雅臣】
晶體管和FET的工作原理,觀察放大電路的波形,放大電路的設計,放大電路的性能,共發(fā)射極應用,觀察射極跟隨器的波形,增強輸出電路的設計,射極跟隨器的性能和應用電路,小型功率放大器的設計和制作
2025-04-14 16:07:46
MAX2602 3.6V、1W RF功率晶體管,適合900MHz應用技術手冊
MAX2601/MAX2602是針對便攜式蜂窩和無線設備應用優(yōu)化的射頻功率晶體管,采用三節(jié)鎳鎘/鎳氫電池或一節(jié)鋰離子電池供電。當針對恒定包絡應用(例如FM或FSK)進行偏置時,這些晶體管可使
2025-03-19 11:38:14
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MAX2601 3.6V、1W RF功率晶體管,適合900MHz應用技術手冊
MAX2601/MAX2602是針對便攜式蜂窩和無線設備應用優(yōu)化的射頻功率晶體管,采用三節(jié)NiCd/NiMH電池或一節(jié)鋰離子電池供電。當針對恒定包絡應用(例如FM或FSK)進行偏置時,這些晶體管可使
2025-03-19 11:33:39
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TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應晶體管規(guī)格書
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2025-03-17 17:15:42
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0飛思卡爾三相無刷無感電路
設計展現出MC9S12ZVML128微控制器對于電機控制的適用性和優(yōu)勢。這是一個使用飛思卡爾16位S12 MagniV混合信號MCU設計BLDC控制的示例。
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2025-03-12 17:47:37
晶體管柵極結構形成
柵極(Gate)是晶體管的核心控制結構,位于源極(Source)和漏極(Drain)之間。其功能類似于“開關”,通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如,在MOS管中,柵極電壓的變化會在半導體表面形成導電溝道,從而調節(jié)電流的導通與截止。
2025-03-12 17:33:20
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晶體管電路設計(下) [日 鈴木雅臣]
本書主要介紹了晶體管,FET和Ic,FET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨電路的設計,FET低頻功率放大器的設計和制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋行型op放大器的設計與制作
2025-03-07 13:55:19
晶體管電路設計(上)[日 鈴木雅臣]
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理,放大電路的工作,增強輸出的電路,小型功率放大器的設計與制作,功率放大器的設計與制作,拓寬頻率特性,視頻選擇器的設計和制作,渥爾曼電路的設計,負反饋放大電路的設計,直流穩(wěn)定電源的設計與制作,差動放大電路的設計,op放大器電路的設計與制作等
2025-03-07 13:46:06
氮化鎵晶體管的并聯設計技術手冊免費下載
氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?:并聯開關管廣泛應用于大功率場合,如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:31
1103
1103晶體管電路設計與制作
這本書介紹了晶體管的基本特性,單管電路的設計與制作, 雙管電路的設計與制作,3~5管電路的設計與制作,6管以上電路的設計與制作。書中具體內容有:直流工作解析,交流工作解析,接地形式,單管反相放大器,雙管反相放大器,厄利效應,雙管射極跟隨器等內容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3135超高頻匹配對晶體管應用筆記
成為高頻放大器和混頻器應用的理想選擇。這兩個陣列都是匹配的高頻晶體管對。匹配簡化了直流偏置問題,并最大限度地減少了差分放大器配置中的不平衡。它們的高fT使UHF放大器的設計具有卓越的穩(wěn)定性.
2025-02-26 09:29:07
866
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HFA3134超高頻晶體管應用筆記
的 fT 為 7GHz。兩種類型都具有低噪聲特性,是高頻放大器和混頻器應用的理想選擇。兩個陣列都是匹配的高頻晶體管對。這種匹配簡化了 DC 偏置問題,并最大限度地減少了差分放大器配置中的不平衡。它們的高 fT 使 UHF 放大器的設計具有卓越的穩(wěn)定性。
2025-02-25 17:26:35
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HFA3127超高頻晶體管陣列應用筆記
和 HFA3127 都是 NPN 陣列,而 HFA3128 則全是 PNP 晶體管。HFA3096 是 NPN-PNP 組合。為各個晶體管的每個端子提供訪問,以實現最大的應用靈活性。這些晶體管陣列的單片結構提供了五個晶體管的緊密電氣和熱匹配。應用說明 AN9315 說明了這些器件用作射頻放大器。
2025-02-25 17:19:09
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HFA3102全NPN晶體管陣列應用筆記
HFA3102 是一個全 NPN 晶體管陣列,配置為帶有尾部晶體管的雙差分放大器。該陣列基于 Intersil 鍵合晶圓 UHF-1 SOI 工藝,可實現非常高的 fT (10GHz),同時在整個溫度范圍內保持出色的 hFE 和 VBE 匹配特性。集電極漏電流保持在 0 以下。
2025-02-25 16:42:56
940
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HFA3096超高頻晶體管陣列應用筆記
和 HFA3127 都是 NPN 陣列,而 HFA3128 則全是 PNP 晶體管。HFA3096 是 NPN-PNP 組合。為各個晶體管的每個端子提供訪問,以實現最大的應用靈活性。這些晶體管陣列的單片結構提供了五個晶體管的緊密電氣和熱匹配。應用說明 AN9315 說明了這些器件用作射頻放大器。
2025-02-25 16:15:33
859
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HFA3046超高頻晶體管陣列應用筆記
和 HFA3127 都是 NPN 陣列,而 HFA3128 則全是 PNP 晶體管。HFA3096 是 NPN-PNP 組合。為各個晶體管的每個端子提供訪問,以實現最大的應用靈活性。這些晶體管陣列的單片結構提供了五個晶體管的緊密電氣和熱匹配。應用說明 AN9315 說明了這些器件用作射頻放大器。
2025-02-25 16:05:09
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BCP69-Q系列 PNP中等功率晶體管規(guī)格書
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2025-02-19 15:34:55
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0BCP69;BC869;BC69PA PNP中等功率晶體管規(guī)格書
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2025-02-18 15:36:19
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0BC56xPAS-Q系列NPN中等功率晶體管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網站提供《BC56xPAS-Q系列NPN中等功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 16:21:23
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0金剛石基晶體管實現里程碑式突破
由格拉斯哥大學研究人員領導的一項具有里程碑意義的進展可能有助于創(chuàng)造用于大功率電子產品的新一代金剛石基晶體管。 該團隊找到了一種新方法,將金剛石作為晶體管的基礎,該晶體管在默認情況下保持關閉狀態(tài),這對
2025-02-09 17:38:42
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748互補場效應晶體管的結構和作用
隨著半導體技術不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
2025-01-24 10:03:51
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意法半導體推出全新40V MOSFET晶體管
意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g的優(yōu)勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:27
1021
1021用普通的飛思卡爾單片機與ADS8344通信采集電壓,寫程序讀不出電壓值,請問有沒有例程代碼?
我用普通的飛思卡爾單片機與ADS8344通信采集電壓,寫程序讀不出電壓值,請問有沒有例程代碼?
2025-01-13 07:01:46
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