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電子發(fā)燒友網>新品快訊>恩智浦半導體推出LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BL

恩智浦半導體推出LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BL

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薄膜晶體管技術架構與主流工藝路線

導語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術的核心驅動元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導體、柔性電子的技術跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:412510

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外,該集成解決方案還簡化了功率級設計,降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804

半導體分立器件分類有哪些?有哪些特性?

晶體管(BJT)、達林頓等。 ?功率器件? ?MOSFET?(金屬-氧化物半導體場效應晶體管):適用于高頻開關場景。 ?IGBT?(絕緣柵雙極型晶體管):結合MOSFET和BJT特性,用于高壓大電流場景。 ?晶閘管(可控硅)?:包括單向/雙向可控硅(SCR/Tria
2025-05-19 15:28:061308

無結場效應晶體管詳解

場效應晶體管(TFET)沿溝道方向有一個 PN結,金屬-半導體場效應晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT)垂直于溝道方向含有一個柵電極肖特基勢壘結。
2025-05-16 17:32:071122

什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

晶體管(Transistor)是一種?半導體器件?,用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關?。它是現(xiàn)代電子技術的核心元件,幾乎所有電子設備(從手機到超級計算機)都依賴晶體管實現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183876

LP395 系列 36V 功率晶體管數(shù)據(jù)手冊

LP395 是一款具有完全過載保護的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護,使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹脂 TO-92 晶體管封裝,額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29602

量子阱場效應晶體管介紹

對于傳統(tǒng)的MOSFET器件,雖然因為柵極絕緣層的采用大大抑制了柵極漏流,但是硅溝道較低的電子遷移率也限制了其在超高頻、超高速等領域的應用。
2025-05-14 11:14:591226

寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)

功率電子技術的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關速度。這些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780

RFID超高頻試管標簽:科技賦能,精準標識新選擇

融智興科技推出的RFID超高頻試管標簽,憑借其卓越的技術特性,為這些領域帶來了全新的樣本標識與管理解決方案。
2025-04-22 16:31:43581

倍加福超高頻RFID讀寫器助力物流門自動化管理

在物聯(lián)網與自動化技術蓬勃發(fā)展的當下,超高頻技術已然成為現(xiàn)代科技應用中不可或缺的關鍵力量。其中,超高頻物流門作為該技術的典型代表,正在眾多領域大放異彩。
2025-04-21 11:44:17825

SC2020晶體管參數(shù)測試儀/?半導體分立器件測試系統(tǒng)介紹

SC2020晶體管參數(shù)測試儀/?半導體分立器件測試系統(tǒng)-日本JUNO測試儀DTS-1000國產平替 ?專為半導體分立器件測試而研發(fā)的新一代高速高精度測試機。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:200

功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件,具有結構簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點,被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將MOSFET的高效和快速開關能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298

多值電場型電壓選擇晶體管結構

多值電場型電壓選擇晶體管結構 為滿足多進制邏輯運算的需要,設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜
2025-04-15 10:24:55

晶體管電路設計(下)

晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨器電路設計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設計與制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋型OP放大器的設計與制作,進晶體管
2025-04-14 17:24:55

岳冉高頻超高頻RFID讀寫模塊定制開發(fā)

上海岳冉長于高頻超高頻RFID讀寫模塊定制開發(fā),為客戶提供靈活、高效的技術解決方案,通過深度理解客戶需求,靈活選擇頻段技術,確保模塊性能與場景高度適配,助力企業(yè)實現(xiàn)數(shù)字化轉型與智能化管理。
2025-03-22 10:51:20662

下一代3D晶體管技術突破,半導體行業(yè)迎新曙光!

新的晶體管技術。加州大學圣巴巴拉分校的研究人員在這一領域邁出了重要一步,他們利用二維(2D)半導體技術,成功研發(fā)出新型三維(3D)晶體管,為半導體技術的發(fā)展開啟了新的篇
2025-03-20 15:30:451073

RFID讀寫器高頻超高頻技術特性和應用差異對比

高頻超高頻讀寫器作為RFID技術的兩大支柱,分別在安全性與效率性上形成差異化優(yōu)勢。在智能倉儲、智能制造等復雜場景中,混合部署高頻超高頻讀寫器已成為趨勢。
2025-03-14 18:23:381233

晶體管柵極結構形成

柵極(Gate)是晶體管的核心控制結構,位于源極(Source)和漏極(Drain)之間。其功能類似于“開關”,通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如,在MOS中,柵極電壓的變化會在半導體表面形成導電溝道,從而調節(jié)電流的導通與截止。
2025-03-12 17:33:202746

晶體管電路設計(下) [日 鈴木雅臣]

本書主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨電路的設計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設計和制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋行型op放大器的設計與制作
2025-03-07 13:55:19

晶體管電路設計(上)[日 鈴木雅臣]

本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理,放大電路的工作,增強輸出的電路,小型功率放大器的設計與制作,功率放大器的設計與制作,拓寬頻率特性,視頻選擇器的設計和制作,渥爾曼電路的設計,負反饋放大電路的設計,直流穩(wěn)定電源的設計與制作,差動放大電路的設計,op放大器電路的設計與制作等
2025-03-07 13:46:06

HFA3135超高頻匹配對晶體管應用筆記

HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對,NFN晶體管的fT為8.5CHz,而FPNP晶體管的為7CHz。這兩種類型都表現(xiàn)出低噪聲,使其
2025-02-26 09:29:07866

HFA3134超高頻晶體管應用筆記

HFA3134 和 HFA3135 是超高頻晶體管,采用 Intersil Corporation 的互補雙極 UHF-1X 工藝制造。NPN 晶體管的 fT 為 8。5GHz,而 PNP 晶體管
2025-02-25 17:26:35897

HFA3127超高頻晶體管陣列應用筆記

HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 17:19:09953

HFA3096超高頻晶體管陣列應用筆記

HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:15:33859

HFA3046超高頻晶體管陣列應用筆記

HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:05:09826

超高頻RFID手持機的10大功能和7大應用分析匯總

超高頻RFID手持機是一種便攜式數(shù)據(jù)采集終端設備,主要用于讀取和寫入RFID電子標簽信息,用于各種作業(yè)管理。上海岳冉信息專注工業(yè)級RFID手持終端的研發(fā)和生產,以下我們總結了超高頻RFID手持機的10大功能和7大應用
2025-02-19 14:47:30933

優(yōu)半導體推出多功能電源保護模塊

優(yōu)半導體(UNSEMI)推出的多功能電源保護模塊,專為工業(yè)電源在應用中可能會遇到的各種復雜問題而設計。
2025-02-19 14:42:01995

宣布收購NPU廠商Kinara

半導體公司近日宣布,已正式簽署最終協(xié)議,將收購高性能、低功耗且可編程離散神經處理單元(NPU)供應商Kinara。此次收購將顯著增強在邊緣人工智能(AI)領域的技術實力。
2025-02-18 14:29:221246

超高頻示波器的關鍵特性

示波器作為電子測量領域的重要工具,能夠實時顯示電信號隨時間變化的波形,為工程師和科研人員提供了直觀、準確的觀測手段。而超高頻示波器,以其高帶寬、高采樣率等特性,在高速信號處理、通信、半導體測試等領域
2025-02-02 14:00:00965

互補場效應晶體管的結構和作用

隨著半導體技術不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
2025-01-24 10:03:514437

Fujitsu Frontech緊湊型UHF RFID標簽WT-A533G介紹

在當今數(shù)字化快速發(fā)展的時代,精確跟蹤技術在眾多領域發(fā)揮著關鍵作用,而超高頻UHF射頻識別(RFID)標簽已然成為其中的佼佼者。UHF RFID 標簽工作于 860 - 960MHz 這一頻段,憑借獨特的工作原理及諸多優(yōu)勢,為物品的精確追蹤保駕護航。
2025-01-23 13:58:32804

一文解析現(xiàn)代場效應晶體管(FET)的發(fā)明先驅

菲爾德(Julius Edgar Lilienfeld)的一項專利中就已顯現(xiàn)。 盡管利利菲爾德從未制造出實物原型,但他在推動半導體技術未來突破方面發(fā)揮了決定性作用。他1925年申請的專利被廣泛認為是世界上第一個場效應晶體管(幾乎所有電子設備的關鍵組件)的理論概念
2025-01-23 09:42:111476

意法半導體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g的優(yōu)勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:271021

瑤華半導體:引領大功率射頻封測技術,助力5G與能源應用

無線通信的有效傳輸。作為大功率射頻功放器件封測的領先企業(yè), 瑤華半導體 憑借強大的技術實力與創(chuàng)新能力,已在行業(yè)中獲得廣泛認可,成為通信與能源應用領域的重要合作伙伴。 01 關于瑤華半導體 瑤華半導體專注于LDMOS、GaN等大功率射頻空腔器件以及IGBT、
2025-01-14 09:22:181813

一文搞懂RFID技術的低頻、高頻超高頻、有源之分

RFID技術規(guī)格有很多種,通常分為低頻、高頻、超高頻、有源RFID技術之分,下面上海岳冉根據(jù)多年從業(yè)經驗,整理了各種RFID技術的性能和技術對比,包括工作頻率范圍、讀取距離、數(shù)據(jù)傳輸速率、使用成本、抗干擾能力、應用場景等。
2025-01-10 16:03:544009

半導體6.25億美元收購TTTech Auto

半導體(NXP)近日宣布,將以6.25億美元現(xiàn)金收購奧地利知名的汽車軟件開發(fā)商TTTech Auto。這一戰(zhàn)略收購將進一步鞏固在汽車電子領域的領先地位。 據(jù)在一份聲明中透露,交易
2025-01-09 14:53:45979

不同類型的RFID超高頻讀寫器及其應用場景淺析

RFID(射頻識別技術)作為物聯(lián)網感知層的重要組成部分,其超高頻讀寫器因其高效、遠距離、多標簽處理等特性,在眾多行業(yè)中得到了廣泛應用。本文將簡要分析幾種不同類型的RFID超高頻讀寫器及其典型應用場
2025-01-08 15:39:182201

融智興超高頻閃燈尋物標簽:智能管理線纜的新選擇

融智興科技推出超高頻閃燈尋物標簽為電纜電線管理帶來了創(chuàng)新的解決方案。
2025-01-08 10:27:18654

RFID超高頻電子標簽有何優(yōu)勢?如何挑選?

RFID超高頻電子標簽作為物聯(lián)網技術的重要組成部分,正逐漸在各行各業(yè)展現(xiàn)其獨特的優(yōu)勢與廣泛的應用前景。本文將從RFID超高頻電子標簽的優(yōu)勢及挑選策略兩個方面進行詳細闡述。一、RFID超高頻電子標簽
2025-01-07 16:01:241253

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