英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設備和雷達系統的脈沖應用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管?；?b class="flag-6" style="color: red">全新的50V LDMOS工藝技術，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統設計
2012-07-15 01:23:46
1633 與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
晶體管在5~6dB,采用
LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出
功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性?！ ?/div>
2019-06-26 07:33:30
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言，為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言，為這些
2019-07-09 08:17:05
Open RAN（O-RAN）發(fā)展勢頭強勁，在全球迅速普及，恩智浦通過打造增強型參考設計，助力5G O-RAN的快速部署。這包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解決方案（稱為
2023-02-28 14:06:45
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
圖像中放、伴音中放、緩沖放大等）電路中使用的高頻晶體管，可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達系統設計的大功率脈沖晶體管，該系統工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時，該通用基礎設備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
。IB3042-5產品詳情:IB3042-5用于傳統雷達系統設計的Si-Bipolar，VDMOS和LDMOS RF和微波功率晶體管Integra的預匹配，Si-Bipolar，Si-LDMOS
2019-04-15 15:12:37
詳情:IB3042-5用于傳統雷達系統設計的Si-Bipolar，VDMOS和LDMOS RF和微波功率晶體管Integra的預匹配，Si-Bipolar，Si-LDMOS和Si-VDMOS射頻和微波
2019-05-14 11:00:13
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管，專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統而設計。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20％的占空比工作，在瞬時工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。相關
2018-11-12 10:26:20
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管?！芳夹g根據其結構和制造工藝，晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管?！?當前容量根據目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節(jié)器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
用于現代通信系統中的功率放大器(PA)一般是通過級聯和并聯多個RF晶體管來獲得期望的固態(tài)增益和功率。與RF集成電路(RFIC)相比，雖然采用單級分離RF晶體管占用的PCB空間更多，但因具有寬廣
2019-06-25 06:55:46
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業(yè)內隔離式
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:31
20 MRF1K50HR5：高效LDMOS RF功率晶體管產品概述MRF1K50HR5是NXP推出的一款高性能LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide
2024-11-01 14:16:45
BLF8G10LS-270V,112：高效LDMOS RF功率晶體管產品概述BLF8G10LS-270V,112是Ampleon推出的一款高效LDMOS（Laterally Diffused
2024-11-01 14:24:43
BLP05H6700XRY：高效LDMOS RF功率晶體管產品概述BLP05H6700XRY是Ampleon推出的一款高效LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide
2024-11-01 14:28:37
飛思卡爾針對TD-SCDMA無線網絡推出RF功率器件和參考設計:MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N
飛思卡爾半導體引入兩個末級LDMOS RF功率晶體管，為設計人員提供
2009-09-07 07:15:01697 Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:392762 什么是RF LDMOS晶體管
DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴
2010-03-05 16:22:597379 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 新一代高效率低VCEsat晶體管
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產品。該產品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat 晶體
2010-03-06 09:52:271371 Integratech推出用于雷達的100W LDMOS晶體管，ILD2731M140和ILD3135M180 LDMOS晶體管分別工作在2.7GHz~3.1GH和3.1GHz~3.5GHz頻段，用于S-頻段雷達應用。ILD2731M140工作在300µs脈寬10%占空比脈沖條件
2010-06-29 11:11:151330 恩智浦半導體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381186 飛思卡爾半導體公司以合理的性價比點，面向OEM(原始設備制造商)推出三款先進的工業(yè)RF功率晶體管。 增強的耐用性與領先的RF性能結合，使OEM廠商能夠大幅縮減在工業(yè)和商用
2010-11-23 09:31:271367 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產品結合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061462 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
2011-11-30 16:20:224781 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:102995 
本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2012-05-28 11:42:273305 美高森美公司近日推出基于碳化硅襯底氮化鎵技術的射頻 RF 晶體管系列，新型的S波段500W RF器件2729GN-500，主要應用在大功率空中交通的機場管制及雷達監(jiān)視等應用。
2012-11-30 10:10:10936 日前，射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:372196 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射頻功率晶體管的最新成員。BLF188XR專為最嚴酷的工程環(huán)境而設計，真實條件下耐用性更強， 能夠在5dB壓縮點承受超過65：1駐波比的嚴重負載失配。
2013-08-13 12:30:005028 半導體技術產品的領先供應商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）襯底氮化鎵（gallium nitride，GaN）高電子遷移率晶體管
2013-09-30 15:34:162478 （分立式扁平無引腳）封裝的晶體管。全新產品組合由25種器件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用晶體管。該全新產品系列憑借其超小外形和高性能，非常適用于
2013-11-04 10:37:08832 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術
2016-01-13 11:14:372002 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術。
2016-01-13 15:37:092387 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（Nasdaq： NXPI）日前宣布推出MRF1K50H射頻晶體管，與采用任何技術或在任何頻率下的產品相比，都具有最強大的性能
2016-05-09 11:53:051173 智浦半導體NXP Semiconductors N.V.今天推出Airfast第三代產品，首發(fā)的是四顆用于蜂窩通信宏基站重點 LDMOS晶體管方案。全新Airfast 3在技術上達到了新的里程碑，在
2016-11-25 16:16:471320 
全球最大的射頻功率晶體管供應商恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11652 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1517 Nitride） 晶體管設計了一款1.3 GHZ 用于雷達的AB 類功率放大器;采用LDMOS 技術在集成電路中實現了工作頻率為3.8 GHZ 的AB類功率放大
2017-10-31 11:06:4317 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08622 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-03-18 15:53:161791 
安譜隆半導體（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為
2018-05-02 14:44:004397 安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001878 安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004912 貿澤電子 （Mouser Electronics），即日起開始備貨NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管。MRFX1K80H 是MRFX系列射頻 （RF
2018-05-08 18:36:001524 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）推出業(yè)內面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波（CW），比目前市場上同類產品高出百分之五十
2018-05-08 10:19:002066 240 W LDMOS功率晶體管封裝了用于基站應用的不對稱多爾蒂功率晶體管，其頻率為2300 MHz至2400 MHz。
2018-08-14 08:00:0019 180 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:0012 10 W WiMAX LDMOS功率晶體管在3400 MHz至3600 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:007 130 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:005 140 W LDMOS功率晶體管在2500 MHz至2700 MHz的頻率下用于基站應用。
2018-08-14 08:00:008 170 W LDMOS功率晶體管，具有改善的視頻帶寬，用于從1800 MHz到1990 MHz的頻率的基站應用。
2018-08-14 08:00:007 埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內的廣播FM無線電應用。
2018-09-30 16:41:003381 無線應用的射頻（RF）功率晶體管的橫向擴散MOS技術。 對于某些高性能應用，今天的LDMOS器件不足， 圣克拉拉的GHz技術營銷和銷售副總裁Mike Mallinger說。 通過采用UltraRF的硅
2020-02-12 12:17:042466 總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標準
2019-12-03 09:32:353351 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2020-08-14 18:51:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS
2020-08-12 18:52:001 據報道，恩智浦斥資1億美元，用于擴建5G手機網絡晶體管和RF功率放大器的生產線在美國亞利桑那州錢德勒工廠（Chandlerfactory）日前正式投入運營。
2020-10-11 10:02:012370 功率晶體管的參數主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數都會影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時，應該根據實際應用來選擇合適的參數。
2023-02-17 14:29:373681 MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規(guī)格書，這些設備被設計用于HF和VHF通信，工業(yè)、科學和醫(yī)療（ISM）以及廣播和航空航天應用程序。這些設備非常堅固，表現出高性能高達250MHz。
2023-07-28 17:45:471 晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應速度快、壽命長等優(yōu)點，廣泛應用于各種電子設備和系統中。 工作原理 晶體管功率繼電器的工作原理是利用晶體管的開關特性
2024-06-28 09:13:591665 產品類型。 隨著市場技術的快速迭代，基于先進技術的應用創(chuàng)新極具挑戰(zhàn)，客戶需要長期供貨支持。針對擁有長壽命系統的客戶，羅徹斯特電子與Ampleon合作支持延長產品生命周期。 羅徹斯特電子的Ampleon庫存包含已停產ICN8系列LDMOS功率射頻晶體管，適用于移動寬帶領域的基站應用
2024-08-12 10:03:501688 
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