功率晶體管（GTR）
2009-12-10 14:22:43
9447 在高頻（3-30MHz）到250MHz頻率范圍內(nèi)，性能強(qiáng)大的IDEV系列能夠提供高達(dá)2.2kW的連續(xù)波（CW）輸出功率，而且只采用一個(gè)陶瓷封裝，因此減少了廣播發(fā)射機(jī)等大功率應(yīng)用所需的射頻功率晶體管的總數(shù)量。
2021-08-13 11:24:033606 
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
有興趣的朋友可以看看啊恩智浦KW41Z有獎(jiǎng)創(chuàng)意征集令高能來襲http://www.eeworld.com.cn/huodong/201611_NXPKW41ZActivity1/index.html
2017-01-15 21:02:05
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管?！ “措娏魅萘糠诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管，可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
電子，雷達(dá)和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
極800W輸出功率匹配50歐姆100％設(shè)備RF屏蔽C級操作單電源IB1011M800功率晶體管IB1011S1000功率晶體管IB1011S1500功率晶體管IB1011S190功率晶體管
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺(tái)聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號
2019-05-14 11:00:13
和Si-VDMOS射頻和微波功率晶體管陣容包括各種傳統(tǒng)CW和脈沖雷達(dá)系統(tǒng)的難以找到的模型。 它們針對特定雷達(dá)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其中需要對尺寸，重量，頻率和功率性能變量進(jìn)行管理。 這些固態(tài)預(yù)匹配晶體管適用于高達(dá)
2019-04-15 15:12:37
650W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
IGN450M160功率晶體管IGN0450L1250功率晶體管IGN0450M1500功率晶體管IGN0912CW10功率晶體管IGN0912CW150功率晶體管IGN0912CW300功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100％大功率射頻測試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域。MACOM的產(chǎn)品線借助于
2017-08-14 14:41:32
商業(yè)和軍事應(yīng)用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機(jī)成為可能。產(chǎn)品型號：MRF151G產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF151G產(chǎn)品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內(nèi)的線性大信號輸出級。產(chǎn)品型號：MRF154產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。?產(chǎn)品型號：NPA1003QA產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPA1003QA產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT D模放大器適合線性和飽和應(yīng)用20至1500兆赫的寬帶
2018-09-03 12:04:40
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
`產(chǎn)品型號：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100％射頻測試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充
2018-11-30 11:35:30
T2G6003028-FS射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹T2G6003028-FS報(bào)價(jià)T2G6003028-FS代理T2G6003028-FS現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司T2G6003028-FS
2018-11-16 09:49:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管?！芳夹g(shù)根據(jù)其結(jié)構(gòu)和制造工藝，晶體管可分為擴(kuò)散晶體管、合金晶體管和平面晶體管?！?當(dāng)前容量根據(jù)目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器。 達(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
轉(zhuǎn)換器在穩(wěn)態(tài)周期內(nèi)的工作和損耗擊穿3KW LLC 諧振轉(zhuǎn)換器根據(jù)上述損耗分析，可以對不同的初級晶體管和不同的開關(guān)頻率進(jìn)行比較，以評估效率和功率密度的性能。設(shè)計(jì)了一個(gè)輸出為48V的3KW半橋LLC諧振
2023-02-27 09:37:29
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
描述1500W東芝最終晶體管PCB在這篇文章中，我設(shè)計(jì)了 1500W 電路最終晶體管板。它可以產(chǎn)生清晰的4OHM LOAD和2OHM LOAD輸出。PCB
2022-07-22 06:00:48
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:31
20 功率場效應(yīng)管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:423328 
大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用
摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，分析了基極驅(qū)動(dòng)電路的要求
2009-07-09 10:36:404644 
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06415 
晶體管開關(guān)的作用
（一）控制大功率 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管
2009-11-05 10:51:521462 晶體管的開關(guān)作用
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
2009-11-06 16:58:423970 恩智浦確立LED驅(qū)動(dòng)器的新標(biāo)桿
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）今天宣布其市電LED驅(qū)動(dòng)器解決方案產(chǎn)品系列取得三項(xiàng)重大進(jìn)展：SSL2101 LED驅(qū)動(dòng)器IC成功完成加速壽命測試，
2009-11-10 08:52:09366 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381185 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
2011-11-30 16:20:224769 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。
2013-06-21 11:09:261974 射頻與微波晶體管振蕩器設(shè)計(jì)
2013-09-12 16:04:25326 智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天推出Airfast第三代產(chǎn)品，首發(fā)的是四顆用于蜂窩通信宏基站重點(diǎn) LDMOS晶體管方案。全新Airfast 3在技術(shù)上達(dá)到了新的里程碑，在
2016-11-25 16:16:471320 
全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11652 功率晶體管快速關(guān)斷研究
2017-09-12 11:13:567 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 應(yīng)用的KW級固體放大器提供方便。而在十年前，半導(dǎo)體業(yè)只能供應(yīng)峰值功率100W的射頻晶體管，為了獲得1000W的峰值功率，末級放大器的驅(qū)動(dòng)級需要采用功率分配器，由10個(gè)功率晶體管構(gòu)成5組獨(dú)立的推挽電路，再經(jīng)功率合成器合成額定的輸出功率。
2017-11-25 15:30:223774 
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001878 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波（CW），比目前市場上同類產(chǎn)品高出百分之五十
2018-05-08 10:19:002066 醫(yī)療領(lǐng)域的許多全新技術(shù)開發(fā)都需要使用可控射頻功率來提供多種高級治療。微波消融（破壞腫瘤）、電外科（切除、凝結(jié)、脫水和電灼組織）、透熱法（治療類風(fēng)濕關(guān)節(jié)炎）和熱瑪吉（緊致皮膚）等手術(shù)中使用了不同頻率下不同大小的射頻功率。本次會(huì)議將介紹恩智浦針對這些應(yīng)用開發(fā)的創(chuàng)新射頻功率解決方案。
2018-06-29 08:30:003025 醫(yī)療領(lǐng)域的許多全新技術(shù)開發(fā)都需要使用可控射頻功率來提供多種高級治療。微波消融（破壞腫瘤）、電外科（切除、凝結(jié)、脫水和電灼組織）、透熱法（治療類風(fēng)濕關(guān)節(jié)炎）和熱瑪吉（緊致皮膚）等手術(shù)中使用了不同頻率下不同大小的射頻功率。本次會(huì)議將介紹恩智浦針對這些應(yīng)用開發(fā)的創(chuàng)新射頻功率解決方案。
2018-06-28 17:00:003770 固態(tài)技術(shù)為使用射頻能量的系統(tǒng)帶來了增強(qiáng)的控制功能和可靠性，人們對此早有認(rèn)識(shí)，但射頻功率晶體管缺少開發(fā)工具來幫助工程師充分利用這些優(yōu)勢。全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體（NASDAQ
2018-06-30 09:18:004559 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SPTECH硅NPN功率晶體管2KW8629的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載。
2020-01-03 08:00:001 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 據(jù)報(bào)道，恩智浦斥資1億美元，用于擴(kuò)建5G手機(jī)網(wǎng)絡(luò)晶體管和RF功率放大器的生產(chǎn)線在美國亞利桑那州錢德勒工廠（Chandlerfactory）日前正式投入運(yùn)營。
2020-10-11 10:02:012370 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1500規(guī)格書
2021-12-17 11:16:2910 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1500W東芝最終晶體管PCB.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-21 11:39:534 功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。
2023-02-14 11:59:271357 功率晶體管的參數(shù)主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數(shù)都會(huì)影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時(shí)，應(yīng)該根據(jù)實(shí)際應(yīng)用來選擇合適的參數(shù)。
2023-02-17 14:29:373679 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:242247 大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計(jì)和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:594138 MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070 晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關(guān)元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應(yīng)速度快、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。 工作原理 晶體管功率繼電器的工作原理是利用晶體管的開關(guān)特性
2024-06-28 09:13:591660
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