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GaN是臺積電的下一個戰(zhàn)場 在車電商機(jī)未來可期

3 月 6 日訊,因應(yīng) 5G、電動車時(shí)代來臨,對于高頻、高壓功率元件需求大增,帶動氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬能隙半導(dǎo)體材料興起,全球晶圓代工...

2020-03-08 標(biāo)簽:臺積電GaN 2.6k 0

基于GaN的ANPC PWL三電平電壓發(fā)生器的設(shè)計(jì)

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為了減小體積大的電感和電容元件的尺寸,激發(fā)了諸如氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN E-HEMT) 之類的寬帶隙器件,并且已經(jīng)觀察到可以在少數(shù)幾個器件中...

2022-08-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電壓發(fā)生器GaN 2.6k 0

基于GameGAN的動態(tài)環(huán)境模擬

對于任何機(jī)器人系統(tǒng),模擬都是關(guān)鍵的一環(huán)。為正確地進(jìn)行模擬,我們需要編寫復(fù)雜的環(huán)境規(guī)則,如:動態(tài)代理的行為,以及每個代理的行為會如何影響其他代理的行為。

2020-07-08 標(biāo)簽:GaN模擬器 2.6k 0

學(xué)不好人工智能,你連個披薩都做不出來?!

高科技做食物,或許可以激勵吃貨們的學(xué)習(xí)熱情?

2019-07-09 標(biāo)簽:人工智能GaN 2.6k 0

MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管,實(shí)現(xiàn)射頻能量商業(yè)應(yīng)用質(zhì)的飛躍

“固態(tài)射頻能量技術(shù)具有從生活消費(fèi)品到工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎(chǔ)設(shè)施的全方位優(yōu)勢,有望在未來撼動整個市場劃分?!盡ACOM市場部資深總監(jiān)Mark Murp...

2016-06-03 標(biāo)簽:氮化鎵GaNMACOM 2.6k 0

反思后硅世界中的服務(wù)器電源架構(gòu):從48Vin-1Vout直接獲取

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此博文最初發(fā)表在EPC的GaN談?wù)摬┛?。點(diǎn)擊此處了解更多有關(guān)LMG5200和TI GaN解決方案的信息。 Alex Lidow,Ph.D.,CEO和共...

2021-12-31 標(biāo)簽:電源管理服務(wù)器GaN 2.6k 0

新技術(shù) 氮化鎵(GaN)將接替硅

對于新技術(shù)而言,GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)(硅)成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此...

2020-07-04 標(biāo)簽:pcbGaN 2.6k 0

回顧2023年電動汽車的發(fā)展和創(chuàng)新

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2023年,電動汽車行業(yè)的快速增長不僅推動了寬帶隙功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,還促進(jìn)了電池管理系統(tǒng)和充電技術(shù)的創(chuàng)新。這些進(jìn)步為電動汽車的性能提升和用戶體驗(yàn)的改...

2024-02-21 標(biāo)簽:電動汽車SiCGaN 2.6k 0

GaN RF市場的主要驅(qū)動力仍然是電信和國防應(yīng)用

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報(bào)告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來,GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...

2020-10-10 標(biāo)簽:RFGaN5G 2.5k 0

一種基于GaN光學(xué)芯片的高度集成、低成本微型光學(xué)顯微傳感系統(tǒng)

該芯片具有片上光電探測能力,能夠?qū)崟r(shí)讀取芯片表面集群細(xì)胞活動引起的折射率變化。同時(shí)通過集成一個微型微分干涉顯微鏡,實(shí)現(xiàn)對細(xì)胞形貌和運(yùn)動的在線追蹤。該系統(tǒng)...

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S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

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本文使用Agilent ADS 仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款GaN 寬帶功率放大器, 并對放大器進(jìn)行了詳細(xì)測試, 驗(yàn)證了放大器在S 波段2 GHz 帶寬內(nèi)的寬帶...

2011-08-10 標(biāo)簽:放大器寬帶GaN 2.5k 0

德州儀器發(fā)布低功耗氮化鎵系列新品

德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系統(tǒng)效率,同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺...

2023-12-01 標(biāo)簽:德州儀器低功耗氮化鎵 2.5k 0

好消息!2021年第三代半導(dǎo)體成長迅速回春 GaN功率器件年增高達(dá)90.6%

2021年因受到車用、工業(yè)與通訊需求助力,第三代半導(dǎo)體成長動能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長力道最為

2021-03-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN 2.5k 0

 AI+服飾設(shè)計(jì)助力重塑行業(yè)生態(tài)

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2019年4月,由中國服裝協(xié)會和上海時(shí)尚之都促進(jìn)中心共同主辦的以“未來時(shí)尚”為設(shè)計(jì)主題的2019中國國際服裝設(shè)計(jì)創(chuàng)新大賽在上海落下帷幕,歐洲設(shè)計(jì)學(xué)院獲得...

2021-06-24 標(biāo)簽:3DAIGaN 2.5k 0

最新一代 GaN 器件為功率器件帶來智能和自主性

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低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優(yōu)勢

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GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注,近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型...

2023-09-13 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 2.5k 0

從0到110萬片!江西兆馳半導(dǎo)體在LED芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)銷量全球第一

累計(jì)申請專利超千項(xiàng)、 發(fā)明專利超700項(xiàng)、 2024年主營業(yè)務(wù)收入 預(yù)計(jì)突破50億元 ……

2024-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體LED芯片GaN 2.5k 0

關(guān)于5G應(yīng)用的關(guān)鍵材料

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GaN 材料與 Si/SiC 相比有獨(dú)特優(yōu)勢。GaN 與 SiC 同屬于第三代寬禁帶 半導(dǎo)體材料,相較于已經(jīng)發(fā)展十多年的 SiC,GaN 功率器件是后進(jìn)...

2022-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN5G 2.5k 0

基于GaN光學(xué)芯片的高度集成、微型化、低成本光學(xué)顯微傳感系統(tǒng)

目前主流商業(yè)化的無標(biāo)記活細(xì)胞監(jiān)測技術(shù)以電阻抗測量為基礎(chǔ)的微電子傳感技術(shù)為代表,該技術(shù)利用活細(xì)胞與檢測板孔中微電極相互作用,產(chǎn)生電阻抗的改變來定量活細(xì)胞狀...

2022-04-29 標(biāo)簽:GaN傳感系統(tǒng)光學(xué)芯片 2.5k 0

GaN和SiC在電動汽車中的應(yīng)用

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設(shè)計(jì)人員正在尋求先進(jìn)技術(shù),從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù),從而在創(chuàng)新方面...

2023-11-12 標(biāo)簽:電動汽車SiCGaN 2.5k 0

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    Elektron
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    樂鑫
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    樂鑫信息科技(上海)有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū),是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司,致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片,提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
  • WiGig
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    HBT
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     hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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