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能訊半導(dǎo)體基站發(fā)射系統(tǒng)發(fā)明專利揭秘

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該項(xiàng)專利中的基站發(fā)射系統(tǒng)可以形成多個(gè)射頻發(fā)射通道,覆蓋更寬的發(fā)射頻帶,更好的適應(yīng)5G基站建設(shè)場(chǎng)景。此外,由于輸入了動(dòng)態(tài)電壓,能夠充分發(fā)揮GaN射頻功率放...

2020-03-11 標(biāo)簽:基站GaN5G 2.9k 0

專用于音頻設(shè)備和GaN快充的大電流線路噪聲抑制磁珠—MZPA系列

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2023-08-16 標(biāo)簽:濾波器大電流磁珠 2.9k 0

谷歌藝術(shù)和文化實(shí)驗(yàn)室推出了一個(gè)名為“詩(shī)歌肖像”的應(yīng)用

Goodwin通過讓Poemportraits讀取了19世紀(jì)詩(shī)歌中超過2500萬(wàn)個(gè)單詞來(lái)學(xué)習(xí)寫詩(shī)。像所有訓(xùn)練有素的機(jī)器學(xué)習(xí)模型一樣,它不會(huì)復(fù)制或重寫現(xiàn)有...

2019-05-08 標(biāo)簽:谷歌GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 2.9k 0

為何人類對(duì)變臉如此癡迷?人工智能易容術(shù)來(lái)了

近幾年,基于大量真實(shí)人臉數(shù)據(jù)的學(xué)習(xí),計(jì)算機(jī)習(xí)得高超的變臉能力,制作周期大為縮短,成本大幅降低。使用一臺(tái)個(gè)人電腦或者手機(jī),加上原始的照片、視頻素材和基本的...

2020-01-08 標(biāo)簽:人工智能GaN 2.9k 0

采用GaN和SiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析

新一代逆變器採(cǎi)用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。

2019-07-25 標(biāo)簽:逆變器sicgan 2.9k 0

梯度的獨(dú)特分布給量化訓(xùn)練帶來(lái)了極大挑戰(zhàn)

本文關(guān)注基于點(diǎn)云數(shù)據(jù)的三維物體檢測(cè)任務(wù)。文章提出了一個(gè)高性能的3D物體檢測(cè)框架PV-RCNN,其通過構(gòu)造Set Abstraction特征抽象操作將基于...

2020-06-15 標(biāo)簽:3DGaN商湯科技 2.9k 0

SiC功率技術(shù)現(xiàn)狀和大規(guī)模商業(yè)化的障礙

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2022-02-24 標(biāo)簽:元器件SiCGaN 2.9k 0

36W副邊氮化鎵應(yīng)用方案概述

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氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)...

2025-08-26 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電源芯片 2.9k 0

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2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵(β-Ga2O3)單...

2023-12-29 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 2.9k 0

介紹一個(gè)用于點(diǎn)云生成的概率模型

我們提出了一個(gè)用于點(diǎn)云生成的概率模型,它可以被用于多種 3D 視覺任務(wù)的基礎(chǔ),例如形狀補(bǔ)全、上采樣、合成和數(shù)據(jù)增強(qiáng)。

2022-09-09 標(biāo)簽:編碼器GaNMMD 2.9k 0

本屆ICLR論文投稿中最熱門的關(guān)鍵詞當(dāng)屬?gòu)?qiáng)化學(xué)習(xí)

據(jù)雷鋒網(wǎng)的介紹,與諸多學(xué)術(shù)會(huì)議通行的單盲、雙盲評(píng)審制度不同,所有提交的論文都將會(huì)公開作者姓名等信息,并且接受所有同行的評(píng)價(jià)及提問(open peer r...

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5G高頻特性將使GaN技術(shù)使用領(lǐng)域延伸

相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC與GaN(氮化鎵)具備耐高電壓特色,并有耐高溫與適合在高頻環(huán)境下優(yōu)勢(shì),其可使芯片面積大幅減少,并簡(jiǎn)化...

2018-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN5G 2.8k 0

GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年,GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美...

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作為寬帶隙材料,GaN具有擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高,以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。

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2018-05-16 標(biāo)簽:gan英偉達(dá)深度學(xué)習(xí) 2.8k 0

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2022-12-26 標(biāo)簽:GaN非線性模型 2.8k 0

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