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GaN產(chǎn)業(yè)格局初成,國(guó)內(nèi)廠商加速布局

我國(guó)GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)?;?、商業(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實(shí)現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化,4英寸已經(jīng)實(shí)現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6...

2020-12-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體射頻SiC 3.2k 0

Transphorm的GaN技術(shù)擁有逾50億小時(shí)的實(shí)際使用時(shí)間

事實(shí)上,現(xiàn)已屬于Informa Tech旗下的行業(yè)分析公司IHS Markit Technology預(yù)測(cè),GaN電源分立器件、模塊和系統(tǒng)IC的總收入到2...

2020-04-27 標(biāo)簽:GaNTransphorm 3.2k 0

納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級(jí)到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級(jí)到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...

2022-05-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率芯片 3.2k 0

國(guó)產(chǎn)光伏又用GaN,未來(lái)產(chǎn)能100萬(wàn)套

國(guó)產(chǎn)光伏又用GaN,未來(lái)產(chǎn)能100萬(wàn)套

Transphorm在公告中表示,他們的氮化鎵將被用于大恒能源的Solar Unit產(chǎn)品線,GaN器件可以實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更可靠的太陽(yáng)能系統(tǒng),同時(shí)還能以...

2023-08-30 標(biāo)簽:太陽(yáng)能逆變器光伏 3.2k 0

三星發(fā)力第三代半導(dǎo)體

5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體,三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展,臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠均已卡位...

2021-05-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三星電子GaN 3.2k 0

關(guān)于未來(lái)即將出現(xiàn)的GaN創(chuàng)新技術(shù)與其對(duì)基站設(shè)計(jì)和發(fā)展的影響

現(xiàn)在GaN很火 ,人們似乎忘記了GaN 依然是一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù),仍處于發(fā)展初期,還有較大的改進(jìn)潛力和完善空間。本文將介紹多項(xiàng)即將出現(xiàn)的 GaN 創(chuàng)新技...

2021-04-24 標(biāo)簽:人工智能GaN功率密度 3.2k 0

一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

金剛石材料具有自然界物質(zhì)中最高的熱導(dǎo)率(高達(dá)2000 W/m·K),在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領(lǐng)域的散熱均有重要的應(yīng)用潛力。

2024-01-04 標(biāo)簽:激光器SiCGaN 3.2k 0

華林科納----濕法蝕刻制造的GaN基藍(lán)色超輻射LED

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隨著低擴(kuò)展缺陷密度獨(dú)立氮化鎵基底的出現(xiàn),在半極性和非極性晶體平面上生長(zhǎng)的量子阱(QW)結(jié)構(gòu)由于可以抑制或消除QCSE而引起了人們的關(guān)注。不平衡的雙軸平面...

2021-12-13 標(biāo)簽:ledled照明GaN 3.2k 0

一種基于對(duì)抗生成模型的新方法,名曰“CosmoGAN”

不過(guò)最近,“基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的深度生成模型的進(jìn)步,讓許多類型的模擬器(包括宇宙學(xué)中的模擬器)構(gòu)建性能更強(qiáng)大、手工設(shè)計(jì)部分更少的替代模型成為可能,”機(jī)器學(xué)習(xí)工...

2019-06-23 標(biāo)簽:GaN模型ai技術(shù) 3.2k 0

成本只要1/3?GaN初創(chuàng)公司譽(yù)鴻錦要發(fā)起一場(chǎng)“產(chǎn)業(yè)效率革命”

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)國(guó)內(nèi)氮化鎵市場(chǎng)再迎來(lái)一位新玩家,10月13日,譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館) 正式舉辦氮化鎵(GaN)器件品牌...

2023-10-16 標(biāo)簽:GaN 3.2k 0

Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求

通過(guò)新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù); 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...

2021-02-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN功率半導(dǎo)體 3.2k 0

氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎?

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氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電...

2023-08-28 標(biāo)簽:芯片氮化鎵GaN 3.2k 0

氮化鎵元件對(duì)于5G基地臺(tái)需求加持,穩(wěn)懋?dāng)[脫貿(mào)易戰(zhàn)陰霾

砷化鎵(GaAs)及氮化鎵(GaN)晶圓代工龍頭穩(wěn)懋公告2019年第二季營(yíng)收情形,營(yíng)收金額來(lái)到1.41億美元。

2019-08-15 標(biāo)簽:GaN5G 3.1k 0

SiC和GaN功率器件能夠在電子界唱主角有什么原因

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如今,越來(lái)越多的汽車(chē)制造商涉足電動(dòng)汽車(chē) (EV) 開(kāi)發(fā),但是電動(dòng)汽車(chē)的駕程過(guò)短卻始終是個(gè)問(wèn)題。盡管采用空氣動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)、更輕質(zhì)的材料、更高效的功耗等方法確...

2021-12-03 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 3.1k 0

你們知道深度學(xué)習(xí)有哪四個(gè)學(xué)習(xí)階段嗎

機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域是巨大的,為了學(xué)習(xí)不迷路,可以從以下列表幫助學(xué)習(xí)。它概述深度學(xué)習(xí)的一些學(xué)習(xí)細(xì)節(jié)。 階段1:入門(mén)級(jí)入門(mén)級(jí)能夠掌握以下技能: 能夠處理小型數(shù)據(jù)集...

2021-06-10 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 3.1k 0

矽力杰新一代超高功率密度GaN解決方案

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-第79期-SILERGYGaNSolution氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn),通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通阻抗,提高效率,降低發(fā)熱,減小了快充充電器的體積。為了實(shí)現(xiàn)更高的...

2022-09-29 標(biāo)簽:GaN 3.1k 0

深度解讀知遠(yuǎn)ADAS算法

算法 (ALGORITHM) 卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)CNN: Convolution Neural Network 以非內(nèi)存半導(dǎo)體現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA)形...

2021-05-19 標(biāo)簽:GaNadascnn 3.1k 0

GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國(guó)內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析

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氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...

2023-09-07 標(biāo)簽:氮化鎵氮化鎵電源GaN 3.1k 0

面向消費(fèi)電子應(yīng)用的GaN解決方案

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作為半導(dǎo)體材料,人們關(guān)注GaN(氮化鎵)是從上世紀(jì)90年代的LED燈應(yīng)用開(kāi)始的。然而,但我們看到GaN充電器在更小的體積中實(shí)現(xiàn)更高的效率,以及更好的散熱...

2021-01-11 標(biāo)簽:消費(fèi)電子GaNPOWI 3.1k 0

AI時(shí)代的寵兒 GAN的典型應(yīng)用

近兩年,在學(xué)術(shù)領(lǐng)域引起世界范圍熱切關(guān)注的,當(dāng)屬2016年AlphaGo大戰(zhàn)李世石,以及隨后AlphaGo與柯潔的人機(jī)大戰(zhàn)。對(duì)這場(chǎng)圍棋賽事的直播、解說(shuō)、討...

2018-07-16 標(biāo)簽:AIGAN 3.1k 0

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    藍(lán)牙5
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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對(duì)4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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