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2022-08-08 標(biāo)簽:工業(yè)功率器件GaN 3.4k 0

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2025-04-28 標(biāo)簽:英飛凌GaN 3.4k 0

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氮化鎵因其獨(dú)特的性質(zhì)和在光電和微電子器件中的潛在應(yīng)用而引起了廣泛的興趣。然而,GaN異質(zhì)外延層中高達(dá)108 cm-2的位錯密度縮短了GaN基器件的壽命。...

2022-02-21 標(biāo)簽:蝕刻GaN電阻率 3.4k 0

PEC-電力電子帶你看SiC和GaN技術(shù)與發(fā)展展望

據(jù)權(quán)威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場,預(yù)計(jì)到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場...

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Nubia推出的另一種產(chǎn)品是具有三個充電端口的120W GaN充電器

此外,快速充電器具有120W的功率支持,這是由亞硝酸鎵供電的充電器史上的一個里程碑。在此之前,大多數(shù)GaN充電器的額定功率均為65W或90W,但是Nub...

2020-07-29 標(biāo)簽:充電器GaNnubia 3.3k 0

研究人員開發(fā)了一款比現(xiàn)有可用模型更準(zhǔn)確的GaN生物傳感器

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2018-12-16 標(biāo)簽:GAN英偉達(dá) 3.3k 0

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高功率密度電機(jī)功率級中元件所面臨的挑戰(zhàn)

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2021-10-11 標(biāo)簽:電子元件電機(jī)GaN 3.3k 0

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2025-07-07 標(biāo)簽:臺積電GaN納微 3.3k 0

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探究氮化鎵在射頻電子中的應(yīng)用

近年來,因?yàn)?5G 的應(yīng)用,大家對射頻氮化鎵的關(guān)注度日益提升。 小編也認(rèn)為,GaN 非常適合提供毫米波領(lǐng)域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿足性能和小尺寸要...

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GaN將在5G大規(guī)模MIMO部署中逐漸取代 LDMOS

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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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