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用生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)大規(guī)模定制醫(yī)療產(chǎn)品

UC Berkeley和Glidewell牙科實(shí)驗(yàn)室的研究人員用GAN技術(shù)構(gòu)建了一款模型,能夠生成媲美人類醫(yī)生的牙冠(假牙),既具備必要的功能,又十分美...

2018-05-29 標(biāo)簽:GAN計(jì)算機(jī)視覺 3.7k 0

功率GaN,炙手可熱的并購賽道?

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? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)繼去年英飛凌收購GaN Systems之后,2024年1月,另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transph...

2024-02-26 標(biāo)簽:英飛凌ST瑞薩 3.7k 0

氮化鎵市場(chǎng)火爆,誰能搭上這列快車

作為第三代半導(dǎo)體材料新星之一的氮化鎵(GaN),正在迅速燃爆市場(chǎng)。

2020-02-23 標(biāo)簽:充電器gan 3.7k 0

大連理工大學(xué):科研團(tuán)隊(duì)在氮化鎵高溫三維磁傳感芯片領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

大連理工大學(xué):科研團(tuán)隊(duì)在氮化鎵高溫三維磁傳感芯片領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

近期,光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院黃火林教授團(tuán)隊(duì)在第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)磁傳感器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,在國(guó)際上率先研制出可穩(wěn)定工作在1.9 K~673K極寬...

2025-07-15 標(biāo)簽:氮化鎵GaN磁傳感器 3.7k 0

氮化鎵電源芯片U8722BAS的特性

炎熱的夏天,總是需要一些沖散酷暑的小電器,給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯,被稱為夏日“行走的小冰箱”,受到了許多上班族和戶外一族的喜愛,充電部分采...

2025-07-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電源芯片 3.7k 0

SiC產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)格局與發(fā)展現(xiàn)狀分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼,GaN器件在快充等消費(fèi)類電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,碳化硅(SiC)器件則被汽車電子廠...

2022-03-15 標(biāo)簽:晶圓SiCGaN 3.7k 0

研究如何利用氮化鎵加強(qiáng)空間探索?

美國(guó)航空航天局(NASA)戈達(dá)德太空飛行中心的兩個(gè)科學(xué)家和工程師團(tuán)隊(duì)正在研究如何利用氮化鎵(GaN)加強(qiáng)空間探索。(1)工程師Jean-Marie La...

2018-08-30 標(biāo)簽:探測(cè)器晶體管輻射 3.7k 0

第三代半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅材料相比,有什么優(yōu)勢(shì)

  隨著碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新材料在二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和其他元件中的不斷應(yīng)用,電力電子行業(yè)的技術(shù)革命已經(jīng)開始。這些新組...

2023-02-05 標(biāo)簽:MOSFETSiCGaN 3.6k 0

DeepFake換臉術(shù)混淆視聽 攪亂美國(guó)政壇

最近,DeepFake 技術(shù)又一次站在了風(fēng)口浪尖上。不只是因?yàn)樗茉谛‰娪吧弦苹ń幽?,而是立法者終于意識(shí)到它的可怕之處。

2019-06-17 標(biāo)簽:圖像處理AIGaN 3.6k 0

大廠聯(lián)手推進(jìn),GaN邁進(jìn)OBC和48V系統(tǒng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)GaN功率器件的價(jià)格在近年持續(xù)下跌,部分650V、150V規(guī)格的GaN器件價(jià)格已經(jīng)與同規(guī)格的硅基器件相近,并且高頻性能更強(qiáng)...

2023-10-14 標(biāo)簽:GaN 3.6k 0

功率GaN市場(chǎng)增速驚人,IDM廠商產(chǎn)能加速擴(kuò)張

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年10月,英飛凌以8.3億美元完成對(duì)功率GaN公司GaN Systems的收購,成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收...

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英偉達(dá)新開源的工具它利用生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò),隨便幾個(gè)線條就能生成栩栩如生的圖像

GauGAN 背后的技術(shù)來自來自英偉達(dá)和 MIT 的研究團(tuán)隊(duì)。這個(gè)團(tuán)隊(duì),包括來自英偉達(dá)的 Ting-Chun Wang、劉明宇(Ming-Yu Liu)...

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第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...

2024-11-27 標(biāo)簽:氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 3.6k 0

天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目將新建8英寸碳化硅SiC和氮化鎵GaN晶圓廠

2月20日,福州市可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會(huì)召開,大會(huì)進(jìn)行了重大項(xiàng)目集中簽約儀式,長(zhǎng)樂區(qū)簽約落地16個(gè)重大項(xiàng)目,其中之一為天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目。

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Small Cell和手機(jī)PA或可成為GaN應(yīng)用藍(lán)海

在接下來的2020、2021、2022年將會(huì)是5G器件急劇爆發(fā)的一個(gè)年份。

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在手機(jī)中使用GaN技術(shù)只是時(shí)間問題?

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微波功率模塊的發(fā)展情況作一介紹與分析

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真空電子器件的發(fā)展可追溯到二戰(zhàn)期間。1963年,TWTA技術(shù)在設(shè)計(jì)變革方面取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展,提高了射頻輸出的功率和效率,封裝也更加緊湊。1973年,歐洲...

2020-08-05 標(biāo)簽:電磁干擾GaN微波功率放大器 3.6k 0

關(guān)于GaN功率級(jí)設(shè)計(jì)的散熱注意事項(xiàng)與總結(jié)

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GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗,這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。為了充分利用 GaN 的快速...

2021-03-16 標(biāo)簽:pcb散熱器GaN 3.6k 0

BigBiGAN問世,“GAN父”都說酷的無監(jiān)督表示學(xué)習(xí)模型有多優(yōu)秀?

BigBiGAN是一種純粹基于生成模型的無監(jiān)督學(xué)習(xí)方法,它在ImageNet上實(shí)現(xiàn)了圖像表示學(xué)習(xí)的最好的結(jié)果。

2019-07-11 標(biāo)簽:GaN無監(jiān)督學(xué)習(xí) 3.6k 0

5G時(shí)代,GaN市場(chǎng)將被引爆?

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2019-06-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN5G 3.5k 0

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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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