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GaN Systems的GS-EVB-AUD-xx1-GS音頻評估板

GaN Systems GS-EVB-AUD-xx1-GS平臺可作為D類放大器板(GS-EVB-AUD-AMP1-GS)單獨(dú)銷售,也可以與開關(guān)電源(SM...

2020-08-24 標(biāo)簽:音頻D類放大器GaN 4.2k 0

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APEC是最重要的電力電子盛會之一。來自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的許多人有機(jī)會討論了有關(guān)GaN 和 SiC的最新消息。在會議期間,我有機(jī)會與這么多專家交談,并進(jìn)一...

2022-07-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCAPEC 4.2k 0

關(guān)于正樣本的表面缺陷檢測

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2021-05-29 標(biāo)簽:解碼器編碼器GaN 4.1k 0

國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展 2018年12月底試產(chǎn)2019年正式量產(chǎn)

近日,在深圳會展中心舉辦的深圳國際電子展上,英諾賽科(珠海)科技有限公司市場銷售副總裁參加“2018(冬季)中國USB PD快充產(chǎn)業(yè)高峰論壇”分享了“8...

2018-12-26 標(biāo)簽:充電器GaN 4.1k 0

英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌,四季度可交付樣品

7 月 5 日消息,英飛凌德國當(dāng)?shù)貢r間 7 月 3 日宣布,其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌,首批樣品將于 2025 年...

2025-07-07 標(biāo)簽:英飛凌晶圓氮化鎵 4.1k 0

中國將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體,實(shí)現(xiàn)彎道超車目標(biāo)

毋庸置疑,第三代半導(dǎo)體最近真的很火。相關(guān)股市板塊逆勢而上,據(jù)同花順iFinD數(shù)據(jù),26只第三代半導(dǎo)體概念股半個月的總市值就漲了100億元以上,股價漲幅最...

2020-09-30 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體GaN 4.1k 0

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2022-08-04 標(biāo)簽:EPCGaN激光驅(qū)動器 4.1k 0

小米GaN充電器65W高清圖集

2月13日,在小米10發(fā)布的同時,小米還帶了了一款小米GaN充電器65W,體積小巧,手機(jī)、筆記本都能充,售價149元。

2020-02-27 標(biāo)簽:充電器GaN小米 4.1k 0

氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體應(yīng)用場景及行業(yè)市場規(guī)模分析

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GaN功率器件包括SBD、常關(guān)型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品,主要應(yīng)用于無線充電件、電源開關(guān)、逆變器、交流器等領(lǐng)域。隨著技術(shù)水平的進(jìn)步與成本控制,GaN材料...

2023-02-08 標(biāo)簽:逆變器功率器件GaN 4.1k 0

CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數(shù)據(jù)中心、逆變器和工業(yè)開關(guān)電源的實(shí)現(xiàn)超高效率

采用新型熱阻 增強(qiáng)封裝的 P2 系列表現(xiàn)出超高的電氣性能,支持具有挑戰(zhàn)性的高功率應(yīng)用,堅(jiān)固可靠 英國劍橋 - 無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司 Cambrid...

2024-06-11 標(biāo)簽:開關(guān)電源逆變器GaN 4k 0

一本書來幫助你入門深度學(xué)習(xí)生成模型

這一事實(shí)并沒有真正公正地反映AGC的輝煌。由于摩爾定律,你可以選擇任何計(jì)算機(jī)器,也可以說50年后,將會有一臺機(jī)器能夠比它的運(yùn)行速度快22?倍。

2019-08-02 標(biāo)簽:GaN深度學(xué)習(xí) 4k 0

意法半導(dǎo)體推出了新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產(chǎn)品

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滿足“電老虎”移動計(jì)算的需求

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能生成Deepfake也能診斷癌癥,GAN與惡的距離

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2018年下半年機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域被密切關(guān)注的成果

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2018-12-18 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí)NLP 4k 0

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1.前言 深度學(xué)習(xí)在計(jì)算機(jī)視覺主流領(lǐng)域已經(jīng)應(yīng)用的很成熟,但是在工業(yè)領(lǐng)域,比如產(chǎn)品表面缺陷檢測,總感覺沒有發(fā)揮深度學(xué)習(xí)的強(qiáng)大能力,近幾年表面缺陷的 相關(guān)研...

2021-01-03 標(biāo)簽:GaN表面缺陷檢測 4k 0

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2020-08-24 標(biāo)簽:晶體管GaN集成器件 4k 0

采用GaN和SiC先進(jìn)開關(guān)技術(shù)的逆變器

新一代逆變器采用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關(guān)頻率來實(shí)現(xiàn)。

2019-06-21 標(biāo)簽:開關(guān)逆變器gan 4k 0

基于GaN的耐輻射DC/DC轉(zhuǎn)換器可提高關(guān)鍵應(yīng)用的效率

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除了顯著提高各種拓?fù)浜凸β始墑e的商用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率外,基于 GaN 的 FET 還表現(xiàn)出對伽馬輻射和單事件效應(yīng) (SEE) 的非凡彈性。所有...

2022-07-25 標(biāo)簽:DC-DC轉(zhuǎn)換器GaN隔離轉(zhuǎn)換器 3.9k 0

EPC車規(guī)級eGaN FET增強(qiáng)激光雷達(dá)“視覺性能”

EPC為汽車激光雷達(dá)(LiDAR)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新款80 V EPC2214獲得了美國汽車電子協(xié)會AEC Q101認(rèn)證。

2019-04-23 標(biāo)簽:GaN激光雷達(dá) 3.9k 0

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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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