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5G冰山之下 潛藏著你未意識到的GaN應(yīng)用巨大機(jī)遇
“如果2019年5G的預(yù)商用布站可以開始,一切比較順利。那么在接下來的2020、2021、2022年將會是5G器件急劇爆發(fā)的一個年份。那么我們可以預(yù)計(jì),...
2019-06-04 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)GaN射頻微波器件 3.5k 0
回顧2021年國內(nèi)外氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限,成為了市場的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類電子市場快速起量的同時,還在...
NVIDIA研究利用生成式對抗網(wǎng)絡(luò)創(chuàng)建高度逼真的場景。
GauGAN為各行各業(yè)的專業(yè)人士提供了一個能夠創(chuàng)建虛擬世界的強(qiáng)大工具——從建筑師、城市規(guī)劃者、到景觀設(shè)計(jì)師和游戲開發(fā)者。借助知曉現(xiàn)實(shí)世界的真實(shí)樣貌的AI...
2019-04-03 標(biāo)簽:NVIDIAGaN深度學(xué)習(xí) 3.5k 0
日前,《麻省理工科技評論》刊文評出了2018年十大突破性技術(shù),“對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”( GAN )赫然在列。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 ...
基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計(jì)
該參考設(shè)計(jì)采用具有電流倍增整流器(current-doubler rectifier)的單級硬開關(guān)半橋,這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有效地支持高降壓比,同時提供可觀的輸...
2022-04-26 標(biāo)簽:電源GaN參考設(shè)計(jì) 3.5k 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)從消費(fèi)電子電源類產(chǎn)品開始,GaN拉開了巨大市場發(fā)展空間的序幕,并逐漸往數(shù)據(jù)中心、汽車OBC甚至主驅(qū)逆變器等領(lǐng)域滲透。主流應(yīng)...
2022-12-13 標(biāo)簽:GaN 3.5k 0
隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
群雄逐鹿!2021 GaN產(chǎn)業(yè)熱門事件盤點(diǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限,成為了市場的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類電子市場快速起量的同時,還在...
對于智能手機(jī)而言,GaN的高性能和小尺寸等優(yōu)點(diǎn)吸引著OEM廠商。GaN功率放大器(PA)是否被采用,將取決于未來五年GaN技術(shù)成熟度、供應(yīng)鏈、成本以及O...
到2025年,整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元
報(bào)告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來,GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...
化合物半導(dǎo)體GaN在8寸晶圓的發(fā)展備受矚目
在新型冠狀病毒疫情的影響下,已有部份晶圓代工廠調(diào)降對2020年市場成長性的預(yù)估,不過為把握5G、AI、車用與物聯(lián)網(wǎng)帶來的新興需求,晶圓代工廠仍持續(xù)進(jìn)行必...
該款新器件具有極高的象征意義,因?yàn)榧啥雀撸O(shè)計(jì)應(yīng)用更為簡便。目前業(yè)界使用此類電源器件時,主要將其用于電信設(shè)備或數(shù)據(jù)中心的電源中。如今,借助MASTE...
65W快充是目前快充市場出貨的主流規(guī)格;氮化鎵具有高可靠性,能夠承受短時間過壓;將GaN用于充電器的整流管后,能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗,提升開關(guān)頻率,附...
答:作為第三代半導(dǎo)體材料的代表之一,GaN本身在性能特性上是一種部分替代性及革命性的材料和器件,該業(yè)務(wù)最早發(fā)端于航空電子業(yè)務(wù)的需求但目前已遠(yuǎn)不止于該領(lǐng)域...
2020-06-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料GaN5G通訊 3.4k 0
GaN HEMT氮化鎵晶體管的應(yīng)用優(yōu)勢
IR-HiRel氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比,GaN-H...
科學(xué)家認(rèn)為機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能所運(yùn)用的前沿技術(shù),是一種研究科學(xué)的全新方法。
2019-08-15 標(biāo)簽:GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 3.4k 0
科研人員研制紫外LED器件發(fā)光效率比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)提高了101.6%
全球128個國家簽署的《聯(lián)合國水俁公約》已于2017年8月在中國正式生效,條約明令各國從2020年起禁止生產(chǎn)及進(jìn)出口各種含有汞的制品,傳統(tǒng)汞燈將被禁止生...
2021-06-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN藍(lán)光LED 3.4k 0
如何使用合成數(shù)據(jù)測試機(jī)器學(xué)習(xí)
當(dāng)數(shù)據(jù)點(diǎn)之間存在依賴關(guān)系時,例如時間序列數(shù)據(jù)和文本分析,數(shù)據(jù)科學(xué)家會使用RNN(循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)) 。LSTM(長期短期記憶)通過一系列重復(fù)模塊創(chuàng)建一種形式...
2022-04-25 標(biāo)簽:GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 3.4k 0
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