PC1003K器件是一款單通道低端驅(qū)動器，專為高速應(yīng)用中的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）驅(qū)動而設(shè)計（包括激光雷達、飛行時間測距、面部識別以及任何涉及低側(cè)驅(qū)動器的電源轉(zhuǎn)換器
2025-12-30 17:12:19
0 ，并在 “GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices” 分會場首個亮相，標志著氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）技術(shù)在移動終端通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破。 ? 當前移動通信正
2025-12-18 10:08:20
1760 
雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無需工藝調(diào)整和 MASK 變動，通過合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽能系統(tǒng)的 性能 ，也能提升整個系統(tǒng)的 效率 ，此外， 在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本 。 比較 GaN、SiC 和 IGBT GaN 憑借其每個裸片區(qū)更優(yōu)的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss
2025-12-11 15:06:214308 
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個電阻器組成，一個是串聯(lián)基極電阻器，另一個是基極-發(fā)射極
2025-11-24 16:27:15579 
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
中的性能差異源于材料物理特性，具體優(yōu)劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優(yōu)勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573098 現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會（AEC）汽車應(yīng)用標準的氮化鎵（GaN）晶體管系列
2025-11-05 14:31:0559493 
列GaN氮化鎵晶體管現(xiàn)新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本，專為各種工業(yè)與消費類應(yīng)用中的最優(yōu)散熱性能而設(shè)計。產(chǎn)品型號：■IGD70R500D2■IGD7
2025-11-03 18:18:052815 
CoolGaN汽車晶體管和雙向開關(guān)。 ? 英飛凌氮化鎵業(yè)務(wù)線負責人Johannes Schoiswohl表示：“我們的100V氮化鎵汽車晶體管解決方案以及即將擴展到高壓范圍的產(chǎn)品組合是開發(fā)汽車應(yīng)用節(jié)能可靠功率
2025-10-24 09:12:119040 自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導體的多項關(guān)鍵優(yōu)勢，GaN 被廣泛認為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 14:56:442575 
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴謹?shù)臏y試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進制邏輯運算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜
2025-09-15 15:31:09
繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，在消費電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場地位與廣闊應(yīng)用前景。
2025-09-02 17:18:334522 
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化鎵高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT），選用陶瓷 BI 封裝，頻率范圍高達 12 GHz，適用于的L / S / C波段寬帶功率
2025-08-25 10:06:43
氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進一步改進電源轉(zhuǎn)換的機會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導體一直主導著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業(yè)
2025-08-21 06:40:348326 
——CMPA2738060F。 它具有優(yōu)于硅或砷化鎵的優(yōu)異特性，包括更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與硅和砷化鎵晶體管相比，GaN HEMT 還能提供更高的功
2025-08-12 11:02:45
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動交通應(yīng)用對高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級包含兩個GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22678 
GaN器件當前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標準，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導體器件，用于實現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導體
2025-06-20 15:15:49730 
。在這種結(jié)構(gòu)中，n型晶體管（nFET）和p型晶體管（pFET）被集成在同一結(jié)構(gòu)中，但由絕緣壁（如氧化物或氮化物）隔開。這種設(shè)計允許nFET和pFET之間的間距進一步縮小，從而減少標準單元的面積。
叉
2025-06-20 10:40:07
CMPA0527005F 是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）功率放大器，由CREE公司生產(chǎn)。這款功放器在50V電源下工作，適用于0.5到2.7GHz
2025-06-17 16:08:25
CGH40180PP是一款由Wolfspeed生產(chǎn)的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），它是一款28伏工作電壓、180瓦功率的射頻（RF）和微波應(yīng)用晶體管，具有高達2.5吉赫茲的操作頻率
2025-06-17 16:01:30
CGH40120P 是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計。這款晶體管適用于多種射頻和微波應(yīng)用，如雙向無線電、寬帶放大器、蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施和測試儀器等
2025-06-17 15:58:01
CGH40090PP 是一款由Wolfspeed 生產(chǎn)的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），它是一款90瓦的射頻功率放大器。這款晶體管在28伏操作電壓下，提供高達2.5 GHz的操作頻率
2025-06-17 15:53:52
CGH35060P1 是一款由Wolfspeed 生產(chǎn)的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計。這款晶體管非常適合3.3-3.6 GHz WiMAX
2025-06-17 15:50:48
CGH27060F是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計。這款晶體管適用于VHF、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器應(yīng)用，工作頻段為VHF至3.0 GHz，小信號增益為14 dB，平均功率下的誤差矢量幅度
2025-06-17 15:47:10
CGH27030F是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），它專為高效率而設(shè)計，提供高增益和寬帶能力。這款晶體管適用于VHF通訊、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX
2025-06-17 15:44:36
CGH21120F是一種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)，專為高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得CGH21120F非常適合1.8–2.3-GHz WCDMA和LTE放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
2025-06-17 15:34:20
CGH55030F1是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計。這款晶體管非常適合5.5-5.8GHz WiMAX和BWA放大器應(yīng)用，晶體管可在兩個
2025-06-17 15:29:17
CGH09120F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶能力而設(shè)計，這使得CGH09120F成為MC-GSM、WCDMA和LTE放大器應(yīng)用的理想選擇。該晶體管
2025-06-17 15:26:31
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181361 
尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團隊的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長重摻雜n型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管，可用于射頻和功率器件
2025-06-12 15:44:37800 
摘要
本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計。此外，本文還建議將
2025-06-11 10:07:24
自半導體晶體管問世以來，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而這一進步在過去幾十年里得到了充分驗證。
2025-06-03 18:24:131495 
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強勁增長態(tài)勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設(shè)計和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)了臺灣研究團隊在工程襯底上開發(fā)1500V擊穿
2025-05-28 11:38:15669 
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件，通過柵極電壓控制導通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合
2025-05-26 14:37:052284 充電器都能輕松應(yīng)對，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！
2025-05-23 14:21:36883 NPT2022 是一款由 MACOM 生產(chǎn)的寬帶 GaN（氮化鎵）HEMT（高電子遷移率晶體管），專為高頻、高功率射頻應(yīng)用而設(shè)計。以下是其主要特性、參數(shù)和應(yīng)用信息：### 主要特性- **工作頻率
2025-05-22 15:40:33
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設(shè)計，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804 從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
場效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個 PN結(jié)，金屬-半導體場效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個柵電極肖特基勢壘結(jié)。
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機到超級計算機）都依賴晶體管實現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183877 本文針對當前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯κ惺?b class="flag-6" style="color: red">GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓撲及關(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759 
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應(yīng)用場景，如充電器、LED驅(qū)動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS，不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性，同時也可以提高能源利用效率，使優(yōu)勢發(fā)揮到最大！
2025-05-07 17:58:32673 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設(shè)計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02942 功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780 
通過重新設(shè)計基于氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時實現(xiàn)了98.5%的效率。在DRS，我們
2025-04-22 11:35:39866 
。 ? 蘇州鎵創(chuàng)晶合科技是一家專注于大功率氮化鎵（GaN）器件制造、應(yīng)用方案設(shè)計的高科技企業(yè)，致力于通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，為全球客戶提供高性能、高可靠性的氮化鎵解決方案。 ? 鎵創(chuàng)晶合的氮化鎵功率器件主要聚焦在大功率領(lǐng)域。使用其母
2025-04-16 15:12:491442 多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進制邏輯運算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計，源極跟隨器電路設(shè)計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計，電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作，進晶體管
2025-04-14 17:24:55
單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者?；跈M向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨特優(yōu)勢，可有效應(yīng)用于BDS器件開發(fā)。本文將概述BDS的應(yīng)用場
2025-04-09 10:57:40895 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
使用寬帶隙半導體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復電荷，或氮化鎵HEMT的零反向恢復電荷，使設(shè)計師能夠制造比基于硅
2025-03-21 11:25:58836 
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
2025-03-13 18:06:0046942 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054784 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導體在線邀請，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高效率器件的需求不斷加大?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應(yīng)用，對比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量及結(jié)論。 *附件
2025-03-12 18:47:172082 
模型導入PSpice和LTspice的說明，最后比較一些測試和仿真結(jié)果。按照以下說明正確加載模型后，晶體管符號將如圖1所示出現(xiàn)。 深度詳細的PDF文檔免費下載： *附件：GaN HEMT的SPICE
2025-03-11 17:43:112141 
效氮化鎵功率器件、以創(chuàng)新技術(shù)簡化環(huán)保節(jié)能電子系統(tǒng)設(shè)計的無晶圓廠環(huán)保技術(shù)半導體企業(yè)。今日CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵
2025-03-11 10:57:26884 ）技術(shù)滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個模塊或集成功率管
2025-03-11 09:47:45733 
；內(nèi)置ESD保護功能，有助于實現(xiàn)高可靠性的設(shè)計。另外，通過采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。采用DFN8080K 封裝，屬于 650V 增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-03-07 15:46:54909 
本書主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計，源極跟隨電路的設(shè)計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計，電流反饋行型op放大器的設(shè)計與制作
2025-03-07 13:55:19
。 ? 目的 ?：本手冊詳細闡述了氮化鎵（GaN）晶體管并聯(lián)設(shè)計的具體細節(jié)，旨在幫助設(shè)計者優(yōu)化系統(tǒng)性能。 二、氮化鎵的關(guān)鍵特性及并聯(lián)好處 1. 關(guān)鍵特性 ? 正溫度系數(shù)的R DS(on) ?：有助于并聯(lián)器件的熱平衡。 ? 穩(wěn)定的門檻電壓V GS(th) ?：在工作
2025-02-27 18:26:311103 高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關(guān)速度，因此準確的測量技術(shù)對評估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411061 硅基半導體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48903 
器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:334534 這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計與制作， 雙管電路的設(shè)計與制作，3~5管電路的設(shè)計與制作，6管以上電路的設(shè)計與制作。書中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-26 04:26:491181 ?在科技飛速發(fā)展的當下，電子元件的創(chuàng)新成為推動各領(lǐng)域進步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET），以其卓越性能在功率半導體領(lǐng)域掀起波瀾
2025-02-18 16:47:25949 
全球知名半導體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:531191 德州儀器的 Eason Tian 和 Kyle Wolf 撰寫，主要探討了 GaN FET（氮化鎵場效應(yīng)晶體管）在人形機器人中的應(yīng)用優(yōu)勢，旨在說明其如何解決人形機器人伺服系統(tǒng)面臨的挑戰(zhàn)。 *附件
2025-02-14 14:33:331508 
這篇技術(shù)文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢和應(yīng)用情況，強調(diào)其對電子設(shè)計轉(zhuǎn)型的推動
2025-02-14 14:12:441222 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 16:10:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:24:192 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-12 08:30:510 隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，第三代半導體——氮化鎵（GaN）正迎來前所未有的發(fā)展機遇。聞泰科技已布局GaN領(lǐng)域多年，憑借卓越的創(chuàng)新能力不斷推動產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，創(chuàng)造新的價值增量。
2025-02-10 17:15:041127 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANB4R8-040CBA雙向氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-10 16:22:371 隨著半導體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514438 
近日，日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術(shù)突破：成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
2025-01-23 16:46:061301 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
制造工藝，RF3932D高性能放大器在單一放大器設(shè)計中實現(xiàn)在寬頻率范圍內(nèi)的高效化和平整增益值。RF3932D是款前所未有的GaN晶體管，選用法蘭盤陶瓷封裝，根據(jù)使用最先進的散熱器和功耗技術(shù)提供優(yōu)異的耐熱
2025-01-22 09:03:00
在當今高速發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 
相信最近關(guān)心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221357
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