GaN（氮化鎵）與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢解析及常見型號(hào)

一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢對(duì)比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)...

2025-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功放芯片 4.7k 0

納米線傳感器“長”出來了,傳感芯片即將到來

該技術(shù)首次實(shí)現(xiàn)了“無漏電流”GaN橋接納米線，研制出的GaN納米線氣體傳感器將推動(dòng)傳感芯片的發(fā)展。

2019-06-03 標(biāo)簽：傳感器芯片GaN 4.7k 0

谷歌大腦打造“以一當(dāng)十”的GAN：僅用10%標(biāo)記數(shù)據(jù)，生成圖像卻更逼真

Google AI新研究，使用標(biāo)記數(shù)據(jù)量大降90%，生成圖像效果更好

2019-03-22 標(biāo)簽：谷歌GaN 4.6k 0

理論性能遠(yuǎn)超SiC？GaN功率二極管的發(fā)展歷程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用，是從2018年開始的。自手機(jī)快充功能在市場上迅速普及，經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展，氮化鎵HEMT器件早已被...

2024-01-24 標(biāo)簽：功率二極管功率器件SiC 4.6k 0

Micro LED | 全球首款GaN-on-Silicon 0.7吋單片全高清顯示屏推出

Plessey是一家面向增強(qiáng)和混合現(xiàn)實(shí)（AR / MR）顯示應(yīng)用且擁有最前沿Micro-LED技術(shù)的嵌入式技術(shù)開發(fā)商。

2019-05-17 標(biāo)簽：GaNMicro LED 4.6k 0

華為或?qū)⑷孢M(jìn)軍功率器件？

近日，據(jù)知情人士透露，華為正在為公司的功率器件研發(fā)大肆招兵買馬，其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件，據(jù)說隊(duì)伍目前已有數(shù)百人。...

2021-04-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體華為GaN 4.6k 0

詞庫添新詞： GaN在手機(jī)中使用只是時(shí)間問題

隨著成本下降，氮化鎵在功率大小和效率方面明顯優(yōu)于現(xiàn)今的技術(shù)。在最早刊登在《網(wǎng)絡(luò)世界》“科技解讀”的博客中，Brent Dietz 介紹了 GaN 在各種...

2018-04-03 標(biāo)簽：GaN5G 4.6k 0

GaN-SiC混合材料更薄和更高功率

瑞典的研究人員在碳化硅（SiC）上生長出更薄的IIIA族氮化物結(jié)構(gòu)，以期實(shí)現(xiàn)高功率和高頻薄層高電子遷移率晶體管（T-HEMT）和其他器件。

2019-02-02 標(biāo)簽：sicgan 4.6k 0

GaN占據(jù)手機(jī)快充市場半壁江山，SiC該如何加入其中？

氮化鎵快充技術(shù)已非常成熟，快充市場被徹底激活，消費(fèi)電子配件市場不斷迭代更新。GaN是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有高功率密度、高頻率、低能耗、寬禁帶等特點(diǎn)，被廣...

2021-09-16 標(biāo)簽：SiCGaNGaN快充 4.5k 0

應(yīng)用于工程系統(tǒng)控制的GaN磁性高電子遷移率晶體管

英國斯旺西大學(xué)和塞爾維亞尼斯大學(xué)的研究人員聲稱他們首次制造出氮化鎵（GaN）磁性高電子遷移率晶體管（MagHEMT）。

2018-09-23 標(biāo)簽：傳感器晶體管gan 4.5k 0

GaN這種新型的半導(dǎo)體材料徹底引爆了全球功率器件的革新

GaN為何這么火？究其原因還是在于功率密度的提升，在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能。提升功率密度的四個(gè)重要方面包括：降低損...

2020-11-02 標(biāo)簽：GaN工業(yè)4.0工業(yè)互聯(lián)網(wǎng) 4.5k 0

北京MEMS產(chǎn)線啟動(dòng)量產(chǎn)，提供高標(biāo)準(zhǔn)MEMS制造服務(wù)

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，北京賽微電子股份有限公司（簡稱：賽微電子）舉行投資者關(guān)系活動(dòng)，賽萊克斯北京首席科學(xué)家：陸原博士，公司董事、副總經(jīng)理、董事會(huì)秘書：...

2021-06-21 標(biāo)簽：mems晶圓ISP 4.5k 0

GaN射頻技術(shù)將如何發(fā)展

以5G為代表的Sub 6G通信射頻系統(tǒng)非常復(fù)雜，尤其是那些需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術(shù)，包括載波聚合、Massive MIMO等。為此，很多半導(dǎo)體...

2020-10-26 標(biāo)簽：射頻SiCGaN 4.5k 0

賽微電子北京MEMS產(chǎn)線或于2021年第二季度正式生產(chǎn)

2月2日，北京賽微電子股份有限公司（以下簡稱“賽微電子”）在其公布的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表中介紹了北京MEMS產(chǎn)線最新進(jìn)展和未來產(chǎn)能規(guī)劃情況。

2021-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體mems晶圓 4.5k 0

國內(nèi)三代半導(dǎo)體氮化鎵團(tuán)隊(duì)獲得“全國創(chuàng)新爭先獎(jiǎng)牌”

美國伯克F3驅(qū)逐艦，它的雷達(dá)同樣用了GAN技術(shù)GAN器件帶寬更大，增益也更高，對(duì)于雷達(dá)來說，更大帶寬意味著更好的分辨率，能夠探測更小的目標(biāo)，國內(nèi)外雷達(dá)工...

2020-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN手機(jī)充電 4.5k 0