91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

GaN加速商業(yè)化進程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析

jf_52490301 ? 2023-09-07 17:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、氮化鎵的特性

氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍色發(fā)光器件中具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。。GaN材料的研究和應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點,是發(fā)展微電子器件和光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。

二、氮化鎵行業(yè)市場現(xiàn)狀分析

據(jù)統(tǒng)計,在GaN電力電子方面,到2020年,轉(zhuǎn)換為6英寸的GaN-on-Si外延晶圓的生產(chǎn)能力約為每年28萬件,轉(zhuǎn)換為6英寸的GaN-on-Si器件/模塊的生產(chǎn)能力約為每年22萬件。在GaN微波射頻方面,碳化硅半絕緣襯底(相當(dāng)于4英寸)的生產(chǎn)能力為18萬件/年,碳化鎵外延(相當(dāng)于4英寸)的生產(chǎn)能力為20萬件/年。SiC上的GaN器件/模塊(相當(dāng)于4英寸)產(chǎn)能160,000片/年。

氮化鎵下游應(yīng)用領(lǐng)域主要包括光電子領(lǐng)域、射頻領(lǐng)域和電子電力領(lǐng)域,其中廣播電視領(lǐng)域占68%,射頻領(lǐng)域占20%,電子電力領(lǐng)域占10%,其他領(lǐng)域占2%。

wKgZomT5krmAA_uMAAE-Yb54jC0207.png

氮化鎵


三、氮化鎵產(chǎn)業(yè)競爭格局分析。

雖然碳化硅更多地被用作襯底材料(相比氮化鎵),但國內(nèi)仍有企業(yè)從事氮化鎵單晶的生長,主要包括蘇州納威、東莞中鎵、上海蓋特和新元基等。國內(nèi)從事氮化鎵外延片的廠商主要有凱泰電子、賽維電子、三安光電、晶展半導(dǎo)體、江蘇能化、英諾賽等。從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、Keep Tops、賽微電子、巨燦光電、千兆光電等。

四、氮化鎵材料的應(yīng)用前景。

從2020年開始,氮化鎵(GaN)快充成為“網(wǎng)紅”產(chǎn)品,被小米、OPPO、魅族等手機廠商“爆紅”。氮化鎵在消費電子領(lǐng)域快速增加的同時,其應(yīng)用范圍也在不斷擴大,正在向5G、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等涉及新基礎(chǔ)設(shè)施的領(lǐng)域滲透。

(1)5G可以率先打開商業(yè)空間

5G對氮化物的需求增長非常明顯,5G基站所需的功率放大器為氮化物帶來了極好的市場機會。由于氮化鎵具有高頻率、高功率密度、低損耗等優(yōu)點,射頻器件已成為氮化鎵最有前途的應(yīng)用領(lǐng)域之一。在5G時代,氮化鎵將加速基站所需的射頻功率放大器(PA)的滲透。2020年3月,工信部在《關(guān)于推進5G加快發(fā)展的通知》中指出,將適時發(fā)布部分5G毫米波頻段和頻率使用計劃。任冕表示,毫米波基站對射頻功率器件的需求比目前的宏基站市場更為可觀,這將為氮化鎵帶來較大的市場增量。

(2)高效率的功能使數(shù)據(jù)中心

在數(shù)據(jù)中心等高能耗場景中,Keep Tops憑借其高效率將帶來顯著的節(jié)能效果。在電力電子領(lǐng)域,氮化鎵充電器的市場熱度不減。除了追求高頻、小尺寸的快充市場,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、高端工業(yè)配電系統(tǒng)電源等領(lǐng)域也有應(yīng)用潛力。

(3)新能源汽車應(yīng)用已進入研發(fā)期

目前,氮化鎵在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用尚處于起步階段,但在未來幾年內(nèi)將呈現(xiàn)漸進式增長。在汽車市場,同為第三代半導(dǎo)體的碳化硅得到了應(yīng)用,但氮化鎵仍處于研發(fā)階段。目前Keep Tops新能源的功率器件主要有三個領(lǐng)域:一是電機控制器,用于驅(qū)動和控制系統(tǒng)。第二種是OBC(車載充電器),將交流電源轉(zhuǎn)換為新能源汽車動力電池可以使用的直流電源。第三種是直流轉(zhuǎn)換器,將動力電池的直流電轉(zhuǎn)換為低壓直流電,給儀表盤、顯示屏、監(jiān)控系統(tǒng)等車載設(shè)備供電。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1895

    瀏覽量

    119819
  • 氮化鎵電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    27

    瀏覽量

    8975
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    2370

    瀏覽量

    82631
  • 寬禁帶半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    105

    瀏覽量

    8669
  • 第三代半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    180

    瀏覽量

    7860
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    衛(wèi)星通信商業(yè)化拐點:T/R芯片集成化+GaN賦能,邁入小型

    ? ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)近年來,隨著全球新一輪科技革命和空間技術(shù)加速演進,衛(wèi)星通信特別是低軌衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)已成為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的重要方向。今年以來,國內(nèi)衛(wèi)星通信產(chǎn)業(yè)迎來前所
    的頭像 發(fā)表于 09-10 11:03 ?9650次閱讀
    衛(wèi)星通信<b class='flag-5'>商業(yè)化</b>拐點:T/R芯片集成化+<b class='flag-5'>GaN</b>賦能,邁入小型<b class='flag-5'>化</b>

    衛(wèi)星通信商業(yè)化拐點:T/R芯片集成化+GaN賦能,邁入小型

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)近年來,隨著全球新一輪科技革命和空間技術(shù)加速演進,衛(wèi)星通信特別是低軌衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)已成為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的重要方向。今年以來,國內(nèi)衛(wèi)星通信產(chǎn)業(yè)迎來前所未有的發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 09-10 09:12 ?8246次閱讀
    衛(wèi)星通信<b class='flag-5'>商業(yè)化</b>拐點:T/R芯片集成化+<b class='flag-5'>GaN</b>賦能,邁入小型<b class='flag-5'>化</b>

    2026年GaN行業(yè)八大預(yù)測:市場規(guī)模暴增50%;襯底和封裝是投資熱點

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 英飛凌近期發(fā)布白皮書《2026年GaN技術(shù)展望》,從市場走勢、產(chǎn)品創(chuàng)新到應(yīng)用場景,全面剖析氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)的未來潛力。白皮書強調(diào),GaN
    的頭像 發(fā)表于 03-01 06:48 ?7775次閱讀

    【「芯片設(shè)計基石——EDA產(chǎn)業(yè)全景與未來展望」閱讀體驗】+ 芯片“卡脖子”引發(fā)對EDA的重視

    鏈的絕對優(yōu)勢地位,把中國鎖死在產(chǎn)業(yè)鏈中低端。美國的限制政策在帶來挑戰(zhàn)的同時,也為中國本土EDA企業(yè)創(chuàng)造了發(fā)展機遇。隨著國產(chǎn)替代進程加速,中國本土EDA企業(yè)不僅在國內(nèi)市場份額逐步擴大,
    發(fā)表于 01-20 20:09

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模降本并存”的特征。一、
    發(fā)表于 12-25 09:12

    Leadway GaN系列模塊的工作溫度范圍

    Leadway GaN系列模塊通過材料創(chuàng)新、工藝優(yōu)化和嚴(yán)格測試,實現(xiàn)了-40℃至+85℃(部分+93℃)的寬溫工作范圍,同時兼顧高功率密度(120W/in3)和高效率(≥92%),為工業(yè)自動
    發(fā)表于 11-12 09:19

    樂高組裝,一鍵式測試 | 云鎵GaN自動雙脈沖測試平臺

    云鎵半導(dǎo)體樂高組裝,一鍵式測試|云鎵GaN自動雙脈沖測試平臺作為一種新型開關(guān)器件,GaN功率器件擁有開關(guān)速度快、開關(guān)損耗低等優(yōu)點。當(dāng)前不同GaN
    的頭像 發(fā)表于 11-11 11:47 ?808次閱讀
    樂高<b class='flag-5'>化</b>組裝,一鍵式測試 | 云鎵<b class='flag-5'>GaN</b>自動<b class='flag-5'>化</b>雙脈沖測試平臺

    安森美入局垂直GaNGaN進入高壓時代

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日,安森美發(fā)布器垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù),憑借 GaN-on-GaN 專屬架構(gòu)與多項性能突破,為全球高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來革命性解決方案,重新定義了行業(yè)在能效、緊湊性與耐用性上
    的頭像 發(fā)表于 11-10 03:12 ?7539次閱讀

    Leadway GaN系列模塊的功率密度

    Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心,通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計,實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動、機器人、電動汽車等空間受限
    發(fā)表于 10-22 09:09

    GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

    繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡介后,我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體,在消費電子領(lǐng)域,特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用,昭示了其成熟的市場地位與廣闊應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 09-02 17:18 ?4795次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

    增強AlN/GaN HEMT

    尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團隊的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長重摻雜n型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管,可用于射頻和功率器件
    的頭像 發(fā)表于 06-12 15:44 ?1012次閱讀
    增強AlN/<b class='flag-5'>GaN</b> HEMT

    GaN LLC電源EMC優(yōu)化技巧

    目錄 1,整機線路架構(gòu) 2,初次極安規(guī)Y電容接法 3,PFC校正電路參數(shù)選取及PCB布具注意事項 4,LLC環(huán)路設(shè)計注意事項 5,GaN驅(qū)動電路設(shè)計走線參考 6,變壓器輸出整流注意事項 一,整體線路圖 獲取完整文檔資料可下載附件哦!?。?!如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點贊、評論支持一下哦~
    發(fā)表于 05-28 16:15

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯κ惺?b class='flag-5'>GaN與SiC功率晶體管的分析
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:28 ?2131次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>與SiC功率器件深度解析

    功率GaN的新趨勢:GaN BDS

    電子發(fā)燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關(guān),即GaN BDS(Bidirectional Switch,雙向開關(guān))。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品,顧名思義,雙
    發(fā)表于 04-20 09:15 ?1608次閱讀

    工業(yè)電機行業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析

    引言:工業(yè)電機行業(yè)作為現(xiàn)代制造業(yè)的核心動力設(shè)備之一,具有廣闊的發(fā)展前景和巨大的市場潛力。隨著技術(shù)的不斷進步和市場需求的持續(xù)增長,工業(yè)電機行業(yè)將迎來更多的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn)。以下是中研網(wǎng)通過大數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 03-31 14:35