微半導(dǎo)體于2014年成立，并憑借其面向消費(fèi)級市場的高集成度的GaN功率芯片產(chǎn)品在市場上快速建立起知名度。由于基于GaN功率器件的前景可期，此前已吸引許多公司進(jìn)入這個市場，EPC、GaN系統(tǒng)、英飛凌、松下和Transphorm，（包括中國的英諾賽科）已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，Dialog、恩智浦、安
2019-03-01 17:43:53
6574 100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動態(tài)表征這些功率器件帶來了多重挑戰(zhàn)。本文回顧了GaN半導(dǎo)體制造商在表征這些器件方面面臨的挑戰(zhàn)，以及一些有助于應(yīng)對這些挑戰(zhàn)的新技術(shù)。
2022-10-19 17:50:341924 
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 09:18:47923 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:011090 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28987 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:213627 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）從消費(fèi)電子電源類產(chǎn)品開始，GaN拉開了巨大市場發(fā)展空間的序幕，并逐漸往數(shù)據(jù)中心、汽車OBC甚至主驅(qū)逆變器等領(lǐng)域滲透。主流應(yīng)用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 09:21:003265 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）GaN功率器件的價(jià)格在近年持續(xù)下跌，部分650V、150V規(guī)格的GaN器件價(jià)格已經(jīng)與同規(guī)格的硅基器件相近，并且高頻性能更強(qiáng)，效率更高。在GaN的成本優(yōu)勢之下，帶動
2023-10-14 00:07:003420 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022年
2024-02-26 06:30:003364 
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產(chǎn)品，這個新的產(chǎn)品家族的額定參數(shù)高于市場上的所有其他產(chǎn)品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
集成電路故障機(jī)制的指南。盡管AEC為汽車，國防和航空航天應(yīng)用提供了指南，但它未能解決正在逐漸轉(zhuǎn)向GaN功率器件（例如通信基站）的開發(fā)技術(shù)。什么是GaN HEMT？GaN HEMT是場效應(yīng)晶體管（FET），其
2020-09-23 10:46:20
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
地被開發(fā)出來。GaN器件的低導(dǎo)通內(nèi)阻、低寄生電容和高開關(guān)速度等特性，使得對應(yīng)的Class D功放系統(tǒng)能夠具有更高的效率，更高的功率密度，同時因?yàn)楦俚姆答佇枨笏鶐淼姆蔷€性失真度將更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
為什么
GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅
技術(shù)而言，
GaN這一材料
技術(shù)，大大提升了效率和
功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻
器件的材料適合性優(yōu)值， 硅
技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，
GaN是高頻
器件材料
技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
場景提供高性價(jià)比的全國產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對常規(guī)功率密度預(yù)期的限值?；跀?shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進(jìn)行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
模擬和 GaN 邏輯的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以單開關(guān) v 和半橋 vi 格式推出，如圖 2 所示。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch
2021-07-06 09:38:20
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
GaN 應(yīng)用到移動電話首款GaN 應(yīng)用是針對大功率軍事使用開發(fā)的，例如雷達(dá)或反IED 干擾機(jī)，然后逐漸擴(kuò)展至商用基站和有線電視轉(zhuǎn)播機(jī)。這些應(yīng)用的典型工作電壓范圍為28 至48 V。但是，手持式設(shè)備的平均
2017-07-28 19:38:38
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
作為一項(xiàng)相對較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
650V的MOSFET。根據(jù)應(yīng)用程序的要求，開發(fā)人員可以針對最高效率，最大功率密度或兩者之間的折衷?！ ∮捎谄洹?反向恢復(fù)”行為，GaN晶體管使得一些拓?fù)鋵?shí)際上可用，例如圖騰柱PFC，其需要比傳統(tǒng)
2023-02-27 15:53:50
請問一下GaN器件和AMO技術(shù)能實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和松下電器公司（TSE代碼：6752）宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式（增強(qiáng)型）硅基板氮化鎵（GaN）晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。
2015-03-20 14:08:392841 Infineon（英飛凌）V2X技術(shù)開發(fā)平臺
2017-03-10 14:23:01
56 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場、產(chǎn)品應(yīng)用和技術(shù)特性方面的信息，以及英飛凌相關(guān)業(yè)務(wù)和此次量產(chǎn)產(chǎn)品的細(xì)節(jié)。
2018-12-06 18:06:215266 “GaN功率器件正在迅速確立其在電力電子領(lǐng)域的地位。從我們的合作可以看出GaN在電力電子產(chǎn)品領(lǐng)域是多么重要。此次能夠與業(yè)界知名的技術(shù)開發(fā)領(lǐng)軍企業(yè)羅姆共筑合作體制，我感到非常高興。通過兩家公司專業(yè)知識
2019-08-22 08:49:473976 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進(jìn)的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:3510 意法半導(dǎo)體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術(shù)及其自身獨(dú)特的設(shè)計(jì)和封裝專業(yè)知識
2022-08-03 10:44:571285 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）從消費(fèi)電子電源類產(chǎn)品開始，GaN拉開了巨大市場發(fā)展空間的序幕，并逐漸往數(shù)據(jù)中心、汽車OBC甚至主驅(qū)逆變器等領(lǐng)域滲透。主流應(yīng)用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 07:10:041773 電動汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經(jīng)開發(fā)并通過汽車認(rèn)證 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC/DC 轉(zhuǎn)換，并且已經(jīng)與汽車企業(yè)建立了無數(shù)合作伙伴關(guān)系。
2023-01-06 11:11:34948 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:496 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:002554 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這
2023-05-18 16:34:231263 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:341314 
非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT *1
2023-05-25 00:25:011084 
功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 低開關(guān)損耗：采用先進(jìn)的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:342033 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:181078 
650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:512182 
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:174139 
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:252393 
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國內(nèi)市場中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開發(fā)出650V、900V、以及1200V HEMT產(chǎn)品，推動氮化鎵向更高壓、更高功率應(yīng)用領(lǐng)域邁進(jìn)。
2023-11-16 11:56:224043 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:541870 
近期，英飛凌科技公司宣布與安克創(chuàng)新和盛弘電氣兩大知名廠商達(dá)成合作，共同推動SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術(shù)在各領(lǐng)域的應(yīng)用。這些合作將進(jìn)一步提升功率半導(dǎo)體器件的效率和性能，為行業(yè)帶來更多
2024-02-02 15:06:341360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:19:400 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:40:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50m?具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3522R050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:41:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50m? 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:40:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-25 09:50:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 30m?具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-25 11:31:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成650V GaN 半橋LMG2610數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-25 14:46:400 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 10:40:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-29 09:18:530 德州儀器 (TI) 推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)
2024-06-18 14:24:101634 德州儀器（TI）近日推出了一款具有劃時代意義的650V三相氮化鎵（GaN）集成電源模塊（IPM）——DRV7308，專為250W電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用量身打造。這款全新的GaN IPM憑借其卓越的性能，為大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)的工程師們帶來了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:011457 在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中，韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體（SK keyfoundry）近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）的關(guān)鍵器件特性。這一里程碑式的進(jìn)展不僅彰顯了公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力，也預(yù)示著GaN技術(shù)的廣闊應(yīng)用前景。
2024-06-25 10:38:551076 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-24 11:27:100 垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
~同時加快車載GaN器件的開發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1
2025-02-13 14:29:18779 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531194 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36831 
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57883 LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23728 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
GaN元器件開發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.聯(lián)合開發(fā)而成的，在650V GaNHEMT的器件性能指數(shù)方面，達(dá)到了業(yè)界超高水平
2025-03-07 16:45:55748 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器，從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計(jì)。可編程的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護(hù)，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成驅(qū)動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動器
2025-08-13 15:13:49777 
CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的單片雙向開關(guān)，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113434 云鎵半導(dǎo)體世界第一！云鎵發(fā)布650V/150A增強(qiáng)型GaN芯片，向汽車電子進(jìn)發(fā)1.GaN—引領(lǐng)新能源汽車領(lǐng)域的未來隨著GaN器件在數(shù)據(jù)中心及光伏逆變等領(lǐng)域的滲透，其在工業(yè)級的應(yīng)用已日趨成熟。而在全球
2025-11-11 11:46:57624 
探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天，功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
2025-12-29 10:05:1576 探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對于各種電子設(shè)備的運(yùn)行
2025-12-29 10:05:2292 TP65H070G4PS 650 V SuperGaN? GaN FET.pdf 一、產(chǎn)品概述 TP65H070G4PS 是一款 650V、70mΩ 的氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET），屬于常關(guān)型器件。它巧妙地將先進(jìn)的高壓 GaN HEM
2025-12-29 14:45:1077 
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