的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至 150mm 以上，其 SmartSiC? 晶圓的研發(fā)水準(zhǔn)再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。 ? 首批200mm SmartSiC?襯底誕生于 Soitec與CEA-Leti
2022-05-06 13:48:42
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德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)（LIDAR）以及5G射頻
2018-03-12 10:44:0011332 整理了市面上發(fā)售的氮化鎵GaN 充電器產(chǎn)品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產(chǎn)品（QR／ACF＋NV功率器件＋同步整流）；在采用NV的GaN
2020-04-07 09:17:5213880 
大家清晰的了解GaN產(chǎn)品。 1．從氮化鎵GaN產(chǎn)品的名稱上對比 如下圖所示，產(chǎn)品GaN標(biāo)示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0027189 
10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案
2023-10-25 11:38:30794 
與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣，新器件采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造，提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合，可在高壓下運(yùn)行，255℃結(jié)溫下使用壽命超過100萬小時。
2021-12-02 14:09:211807 
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
`明佳達(dá)優(yōu)勢供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。?b class="flag-6" style="color: red">NV6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對
2021-01-08 17:02:10
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
，引入了“氮化鎵（GaN）”的充電器和傳統(tǒng)的普通充電器有什么不一樣呢？今天我們就來聊聊。材質(zhì)不一樣是所有不同的根本
傳統(tǒng)的普通充電器，它的基礎(chǔ)材料是硅，硅也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料。但隨著硅的極限逐步
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
解決方案組合。
請閱讀我們的新白皮書：GaN將能效提高到一個新的水平
閱讀我們關(guān)于GaN和SiC功率工藝的白皮書：GaN和SiC可以提高電源的功率效率
請閱讀：使用集成驅(qū)動器優(yōu)化GaN性能。
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2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該
2018-11-05 09:51:35
) 2017上展示其業(yè)界領(lǐng)先的硅基氮化鎵產(chǎn)品組合和其他高性能MMIC和二極管產(chǎn)品。 MACOM展位將展示專為商業(yè)、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療射頻應(yīng)用而優(yōu)化的全新產(chǎn)品解決方案。敬請蒞臨1312＃展位，與MACOM
2017-05-18 18:12:54
用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術(shù)。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場演示在2017年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會上，MACOM上海無線產(chǎn)品中心設(shè)計(jì)經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
電源開關(guān)的能力是 GaN 電源 IC 的一大優(yōu)勢，例如圖 1(a) 。由于GaN層可以在不同的襯底上生長，早期的工作中采用了一些絕緣材料，如藍(lán)寶石和碳化硅。然而，從早期的努力中可以明顯看出
2021-07-06 09:38:20
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會這樣
2019-07-31 07:54:41
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優(yōu)勢，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關(guān)性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
解決方案來簡化您的設(shè)計(jì)，提高功率密度和可靠性了。在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合。 更多電源類博文更多充電類產(chǎn)品TI更多視頻培訓(xùn)原文鏈接：https
2019-07-29 04:45:02
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步：元器件選型對于工程師來說，GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢，但在設(shè)計(jì)上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動器集成在一個封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開關(guān)性能。集成驅(qū)動器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能簡介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
開發(fā)基于物理的模型，從而可用準(zhǔn)確地預(yù)測到氮化鎵產(chǎn)品在通用操作條件下的安全使用壽命，讓設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)其設(shè)計(jì)要求，對氮化鎵器件進(jìn)行評估。
“測試器件至失效”的測試報告結(jié)果可瀏覽GaN 可靠性。
誤解3
2023-06-25 14:17:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底，因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫，能在高溫環(huán)境下工作。不同材料體系射頻器件功率-頻率工作區(qū)間GaN將在高功率，高頻率射頻市場優(yōu)勢明顯相比于4G，5G的通信頻段往高頻波段
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
我們?nèi)碌陌灼骸坝靡粋€集成驅(qū)動器優(yōu)化GaN性能?！? 通過閱讀博文“我們一起來實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行”，進(jìn)一步了解TI如何使GaN更加可靠。? 加入TI E2E? 社區(qū)氮化鎵 (GaN) 解決方案論壇，尋找解決方案、獲得幫助、與同行工程師和TI專家們一起分享知識，解決難題。
2018-08-30 15:05:50
SOITEC與重慶四聯(lián)光電就共同使用HVPE制造氮化鎵（GaN）達(dá)成了協(xié)議。GaN晶體模板在LED的生產(chǎn)中能大大降低成本。
2012-07-10 15:36:061162 氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非?？欤瑯右彩?b class="flag-6" style="color: red">氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵（簡稱GaN）外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3,000萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司。
2019-05-18 11:18:514420 是Soitec一年前收購的氮化鎵（GaN）外延硅片材料供應(yīng)商。加入Soitec后，EpiGaN 成為旗下氮化鎵業(yè)務(wù)部門，進(jìn)一步加強(qiáng)了公司針對射頻和功率器件市場的優(yōu)化襯底的產(chǎn)品組合。 氮化鎵拓展了
2020-07-14 14:19:341496 最近，整理了市面上發(fā)售的氮化鎵 GaN 充電器產(chǎn)品。一波是采用PI 的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產(chǎn)品（QR／ACF＋NV功率器件＋同步整流）；在采用NV
2020-07-16 09:24:093692 
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些
2022-03-23 14:15:082074 
（GaN）。在這些潛在材料中，氮化鎵或氮化鎵正得到廣泛認(rèn)可和青睞。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN晶體管與材料晶體管相比具有幾個優(yōu)勢。
2022-12-13 10:00:083919 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）襯底是具有特定晶面和適當(dāng)電學(xué)，光學(xué)和機(jī)械特性的用于生長外延層的潔凈單晶薄片。法國Soitec公司就是設(shè)計(jì)和生產(chǎn)優(yōu)化襯底的半導(dǎo)體硅片廠商。其FD-SOI、RF-SOI以及
2022-12-28 15:49:593995 
氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的市場和發(fā)展空間最大。 氮化鎵作為
2023-02-03 14:38:463001 氮化鎵工藝優(yōu)點(diǎn)是什么呢？ AlGaN / GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）是開關(guān)功率晶體管的有希望的候選者，因?yàn)樗鼈兙哂懈叩臄鄳B(tài)擊穿強(qiáng)度以及導(dǎo)通狀態(tài)下的優(yōu)異溝道導(dǎo)電性。這些特征是GaN的特殊物理特性與其異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料AlGaN的組合。最重要的
2023-02-05 11:43:472725 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:562410 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然
2023-02-10 10:52:524734 
氮化鎵（氮化鎵）是一種半導(dǎo)體材料，是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點(diǎn)是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比，GaN晶體管和集成電路提供了高的電子遷移率
2023-02-13 16:28:176711 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:082354 氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高
2023-02-17 14:18:2412177 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以
及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵
2023-02-21 14:57:374 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:151497 生長中主要以藍(lán)寶石、Si、砷化鎵、氧化鎂等的立方相結(jié)構(gòu)作為襯底，以（011）面為基面有可能得到比較穩(wěn)定的閃鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化鎵納米材料。
2023-04-29 16:41:0033369 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:572103 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:315815 氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料
?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:401519 
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用，以及氮化鎵解決方案如何實(shí)現(xiàn)更高的能效。
2023-10-13 16:02:051619 
渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術(shù)專家和超過 350 個氮化鎵技術(shù)專利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:521116 GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)
2023-11-09 11:43:532424 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢，同時也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn)，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:206429 GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮螅贿M(jìn)一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
2023-12-09 10:24:572079 氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。GaN MOS管驅(qū)動芯片廣泛應(yīng)用于功率電子
2023-12-27 14:43:233430 晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416137 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336032 美國領(lǐng)先的純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)于本周一宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措，成功收購了Tagore公司專有的、經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)及IP產(chǎn)品組合。
2024-07-03 11:42:561823 
本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角，成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 
在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準(zhǔn)度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491184 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534
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