氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況氮化鎵襯底技術(shù)是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料

?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料

編輯：黃飛

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半導(dǎo)體材料(30735) 半導(dǎo)體材料(30735)
氮化鎵(119343) 氮化鎵(119343)
GaN(79580) GaN(79580)
射頻器(8107) 射頻器(8107)
寬禁帶半導(dǎo)體(8610) 寬禁帶半導(dǎo)體(8610)

評(píng)論

氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用

本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì)在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和更高的結(jié)溫操作

2011-12-12 15:19:28

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什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系分解

材料，它具備與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢(shì)，氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，GaN材料是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿?zé)狳c(diǎn)；這里我們著重解釋什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系。氮化鎵

2023-02-16 16:07:44

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英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems)，成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)

10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案

2023-10-25 11:38:30

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氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

2025-03-13 16:33:05

4790

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)

2023-06-19 09:28:46

氮化鎵(GaN)功率集成電路集成和應(yīng)用

氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用

2023-06-19 12:05:19

氮化鎵: 歷史與未來(lái)

(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。又過(guò)了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃，比硅高

2023-06-15 15:50:54

氮化鎵GaN 來(lái)到我們身邊竟如此的快

被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快

2020-03-18 22:34:23

氮化鎵GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展

的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上

2020-11-03 08:59:19

氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新

能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30

2018-11-20 10:56:25

氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案

在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。

2020-10-28 06:01:23

氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

的數(shù)十億次的查詢(xún)，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年

2019-03-14 06:45:11

氮化鎵一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵？聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化鎵價(jià)格戰(zhàn)伊始。

。聯(lián)想此舉直接將氮化鎵快充拉到普通充電器一樣的售價(jià)，如果以往是因?yàn)椤百F”不買(mǎi)氮化鎵而選擇普通充電器，那么這次聯(lián)想 59.9 元售價(jià)可謂是不給你任何拒絕它的理由。氮化鎵快充價(jià)格走勢(shì)氮化鎵（GaN）具有禁帶寬

2022-06-14 11:11:16

是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化

2021-09-14 08:35:58

氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別？

直接導(dǎo)致了消費(fèi)級(jí)GaN充電器價(jià)格偏高，目前市面上的氮化鎵充電器基本上是一百多塊。不過(guò)隨著越來(lái)越多廠(chǎng)商參與進(jìn)來(lái)，相信技術(shù)會(huì)越來(lái)越成熟，成本下降只是時(shí)間問(wèn)題。在充電協(xié)議上，GaN 充電頭目前以PD協(xié)議

2025-01-15 16:41:14

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊

2021-03-09 06:33:26

氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢(shì)

更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常

2023-06-15 15:32:41

氮化鎵發(fā)展評(píng)估

`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)

2017-08-15 17:47:34

氮化鎵激光器的技術(shù)難點(diǎn)和發(fā)展過(guò)程

波段，隨著襯底、外延、芯片和封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，藍(lán)光激光器的性能在不斷提升?！　　　D3、（a）氮化鎵/藍(lán)寶石模板和（b）GaN自支撐襯底的位錯(cuò)缺陷對(duì)比（圖中暗斑為位錯(cuò)缺陷）　　在襯底方面，早期的氮化鎵

2020-11-27 16:32:53

氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN

2018-08-17 09:49:42

氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？

GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？

2021-06-17 10:56:45

氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎？

氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小

2023-08-21 17:06:18

CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。氮化鎵與硅或砷化

2020-12-03 11:49:15

IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開(kāi)

，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開(kāi)關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報(bào)告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成

2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

趕上甚至超過(guò)了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶(hù)和應(yīng)用?！币夥ò雽?dǎo)體汽車(chē)與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示

2018-02-12 15:11:38

MACOM：硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢(shì)

，尤其是2010年以后，MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線(xiàn)與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線(xiàn)

2017-09-04 15:02:41

MACOM：適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵（GaN）

是硅基氮化鎵技術(shù)。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)演示在2017年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)上，MACOM上海無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品中心設(shè)計(jì)經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢(shì)，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域

2017-07-18 16:38:20

SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管

）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管

2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管

）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管

2021-03-30 11:24:16

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)

書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)

2021-07-06 09:38:20

【技術(shù)干貨】氮化鎵IC如何改變電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)

碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開(kāi)關(guān)

2018-07-19 16:30:38

為什么氮化鎵(GaN)很重要？

氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理

2023-06-15 15:47:44

為什么氮化鎵比硅更好？

氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。硅的禁帶寬

2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢？

目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡(jiǎn)稱(chēng)為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快

2023-02-23 15:46:22

什么是氮化鎵技術(shù)

兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)

2020-10-27 09:28:22

什么是氮化鎵功率芯片？

氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到

2023-06-15 14:17:56

什么是氮化鎵功率芯片？

通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out

2023-06-15 16:03:16

什么是氮化鎵（GaN）？

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅

2023-06-15 15:41:16

什么是氮化鎵（GaN）？

、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專(zhuān)家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？

2019-07-31 06:53:03

什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展

=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color

2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅

2021-09-23 15:02:11

光隔離探頭應(yīng)用場(chǎng)景之—— 助力氮化鎵（GaN）原廠(chǎng)FAE解決客戶(hù)問(wèn)題

客戶(hù)測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對(duì)測(cè)試過(guò)程提供了技術(shù)支持。測(cè)試背景：3C消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測(cè)試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析

2023-02-01 14:52:03

如何實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行

我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿(mǎn)意。但通過(guò)共同努力，我們就能

2022-11-16 06:43:23

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能

導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)

2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？

如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？

2021-06-15 06:30:55

對(duì)于手機(jī)來(lái)說(shuō)射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題？

氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。那對(duì)于手機(jī)來(lái)說(shuō)射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？

2019-07-31 06:53:15

射頻GaN技術(shù)正在走向主流應(yīng)用

?！盚igham說(shuō)，“這意味著覆蓋系統(tǒng)的全部波段和頻道只需要更少的放大器。”氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的三五價(jià)半導(dǎo)體材料，LDMOS（橫向擴(kuò)散MOS技術(shù)）是基于硅

2016-08-30 16:39:28

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)介紹

2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀(guān)念

氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？關(guān)于氮化鎵技術(shù)

2023-06-25 14:17:47

硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優(yōu)勢(shì)？

2019-09-02 07:16:34

硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專(zhuān)場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底

2014-01-24 16:08:55

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除

2019-04-13 22:28:48

請(qǐng)問(wèn)氮化鎵GaN是什么？

氮化鎵GaN是什么？

2021-06-16 08:03:56

請(qǐng)問(wèn)芯源的MOS管也是用的氮化鎵技術(shù)嘛？

現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？

2025-11-14 07:25:48

誰(shuí)發(fā)明了氮化鎵功率芯片？

，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面

2023-06-15 15:28:08

高壓氮化鎵的未來(lái)分析

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳

2022-11-16 07:42:26

高壓氮化鎵的未來(lái)是怎么樣的

2018-08-30 15:05:50

氮化鎵測(cè)試

氮化鎵

jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

如何選擇從直流到18 GHz氮化鎵的產(chǎn)品？

技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商TriQuint半導(dǎo)體公司和Richardson RFPD今天宣布，Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術(shù)中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint

2019-03-20 10:56:09

849

氮化鎵(GaN)襯底晶片實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國(guó)造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非?？?，同樣也是氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。

2018-01-30 13:48:01

8710

氮化鎵發(fā)展深度評(píng)估

從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)級(jí)解決方案，其市場(chǎng)潛力剛剛開(kāi)始被關(guān)注。

2020-07-06 14:09:19

2074

6吋氮化鎵單晶背后關(guān)鍵核心技術(shù)解析

制造大直徑GaN襯底的要點(diǎn)（鈉熔劑法）豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。

2022-11-18 12:33:26

3242

氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)！

（GaN）。在這些潛在材料中，氮化鎵或氮化鎵正得到廣泛認(rèn)可和青睞。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN晶體管與材料晶體管相比具有幾個(gè)優(yōu)勢(shì)。

2022-12-13 10:00:08

3919

什么是氮化鎵技術(shù)

什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子

2023-02-03 14:14:45

4119

氮化鎵前景怎么樣

和GaN為代表物質(zhì)制作的器件具有更大的輸出功率和更好的頻率特性。 2、分類(lèi)狀況氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅

2023-02-03 14:31:18

1408

氮化鎵用途和性質(zhì)

第三代半導(dǎo)體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，下游應(yīng)用包括微波射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED照明等)。不過(guò)，第三代半導(dǎo)體材料中，受技術(shù)與工藝水平限制，氮化鎵材料作為襯底實(shí)現(xiàn)

2023-02-03 14:38:46

3001

氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及工作原理

　　氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。

2023-02-03 18:18:46

10814

氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思

氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度

2023-02-05 10:24:52

2352

氮化鎵是什么晶體，氮化鎵（GaN）的重要性分析

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。

2023-02-05 15:38:18

10907

氮化鎵技術(shù)是什么原理

氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。

2023-02-06 09:46:09

3643

什么是硅基氮化鎵氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

　硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。

2023-02-06 15:47:33

7273

硅基氮化鎵技術(shù)成熟嗎硅基氮化鎵用途及優(yōu)缺點(diǎn)

硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。

2023-02-06 16:44:26

4975

氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)制造

氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。

2023-02-07 09:36:56

2410

硅基氮化鎵介紹

2023-02-10 10:43:34

2743

氮化鎵行業(yè)發(fā)展前景如何？

氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然

2023-02-10 10:52:52

4734

氮化鎵技術(shù)是什么意思

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為

2023-02-12 17:32:16

4697

硅基氮化鎵襯底是什么襯底減薄的原因

　　硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。

2023-02-14 14:36:08

2354

氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體之預(yù)測(cè)

可以在各種襯底上生長(zhǎng)，包括藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長(zhǎng)氮化鎵（GaN）外延層可以使用現(xiàn)有的硅制造基礎(chǔ)設(shè)施，從而無(wú)需使用高成本的特定生產(chǎn)設(shè)施，而且以低成本采用大直徑的硅晶片。 GaN power semiconductor 2023 predictions一文有

2023-02-15 16:19:06

氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車(chē)等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù)？氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù)

2023-02-16 17:48:44

5868

氮化鎵(GaN)是什么

氮化鎵(GaN)是什么氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高

2023-02-17 14:18:24

12178

面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。

2023-08-04 11:47:57

2103

氮化鎵襯底和外延片哪個(gè)技術(shù)高襯底為什么要做外延層

氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。使用氮化鎵襯底可以在上面

2023-08-22 15:17:31

5816

論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù).zip

論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)

2023-01-13 09:07:47

氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn)，以及與硅芯片的區(qū)別。一、氮化鎵芯片的定義氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體

2023-11-21 16:15:30

11008

氮化鎵是什么材料提取的氮化鎵是什么晶體類(lèi)型

氮化鎵是什么材料提取的氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所

2023-11-24 11:15:20

6429

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理

晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成：襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長(zhǎng)一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于

2024-01-09 18:06:41

6137

氮化鎵技術(shù)的用處是什么

氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國(guó)防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢(shì)。一

2024-01-09 18:06:36

3961

氮化鎵芯片的應(yīng)用及比較分析

隨著信息技術(shù)和通信領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對(duì)高性能芯片的需求也越來(lái)越大。作為半導(dǎo)體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來(lái)受到了廣泛關(guān)注。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的基本原理及其應(yīng)用領(lǐng)域，并

2024-01-10 09:25:57

3841

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。結(jié)構(gòu)：氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它

2024-01-10 10:18:33

6032

氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種

2024-07-06 08:13:18

1988

氮化鎵和砷化鎵哪個(gè)先進(jìn)

景和技術(shù)需求。氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢(shì) 高頻與高效率：氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率，使得它在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如，在5G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信等需要高頻工作的領(lǐng)域，氮化鎵器件能夠提供更高的工作頻率和更大的

2024-09-02 11:37:16

7233

不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對(duì)測(cè)量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開(kāi)拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮

2025-01-17 09:27:36

420