TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)和Richardson RFPD今天宣布，Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術(shù)中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的廣泛氮化鎵 (GaN) 產(chǎn)品系列——包括放大器、晶體管和
2012-10-23 16:48:57
1341 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）氮化鎵是最新的第三代半導(dǎo)體材料，最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成，2019年開(kāi)啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。經(jīng)過(guò)五六年的培育，氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域已不再局限于
2024-03-28 09:06:554232 
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨暋⑹謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
、ZENDURE 45W氮化鎵充電器+移動(dòng)電源66、ZENDURE氮化鎵拓展塢+充電器從以上已有30多家廠商推出了超達(dá)66款氮化鎵快充產(chǎn)品來(lái)看，其中，60W及以上占比達(dá)到了五分之三之多；而30W規(guī)格的只占了五分之一
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵充電器從最開(kāi)始量產(chǎn)至今，已過(guò)去了四年多，售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民，近日發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一元
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來(lái)越多充電器開(kāi)始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來(lái)很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開(kāi)始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
容易使用。通過(guò)簡(jiǎn)單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡(jiǎn)單。dV/dt 回轉(zhuǎn)率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，從而極為有效地縮短了產(chǎn)品上市
2023-06-15 15:32:41
。——————封裝和生產(chǎn)效率——————對(duì)氮化鎵封裝的選擇是其價(jià)值定位的一個(gè)重要組成部分，這也對(duì)產(chǎn)品的性能、成本和生產(chǎn)效率都產(chǎn)生了影響。鑒于氮化鎵器件必須嚴(yán)密封裝，因此，陶瓷仍然是氮化鎵器件的封裝首選
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通，這個(gè)系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門(mén)到精通的蛻變。前期回顧（點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
V典型功率（PSAT）30瓦工作電壓50 V直流頻率-6.0 GHz包裝類型法蘭/藥丸在1.2 GHz時(shí)增益16 dBSiC技術(shù)GaN應(yīng)用通信相關(guān)產(chǎn)品CG2H40010F，CGH27015F
2020-02-25 09:37:45
寬帶，50 V典型功率（PSAT）30瓦工作電壓50 V直流頻率-6.0 GHz包裝類型法蘭/藥丸在1.2 GHz時(shí)增益16 dBSiC技術(shù)GaN應(yīng)用通信相關(guān)產(chǎn)品CG2H40010F
2020-02-24 10:48:00
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
電子、汽車和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
在射頻領(lǐng)域采用硅基氮化鎵（GaN on Si）技術(shù)的供應(yīng)商。我們采用硅基氮化鎵（GaN Si）技術(shù)以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的連續(xù)波（CW）射頻功率晶體管產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術(shù)。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)演示在2017年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)上，MACOM上海無(wú)線產(chǎn)品中心設(shè)計(jì)經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢(shì)，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管QPD1004產(chǎn)品特性頻率范圍：30 - 1200 MHz輸出功率（p3db）：40 W在1 GHz線性增益：20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db：73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
HEMT運(yùn)行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝，非常適合于軍用雷達(dá)。?產(chǎn)品型號(hào): QPD1018產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管QPD1018產(chǎn)品特性頻率范圍
2018-07-27 09:06:34
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
、測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào): TGF2977-SM產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍：直流- 12 GHz輸出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
速度。這些功能對(duì)于牽引逆變器來(lái)說(shuō)是最佳的，因?yàn)樗鼈冃枰g歇地將大量能量傳輸回電池。與此同時(shí)，硅上氮化鎵開(kāi)關(guān)為從低kW到10kW寬范圍的供電系統(tǒng)帶來(lái)了益處，即交流到直流板載充電器（OBC）、直流到直流輔助
2018-07-19 16:30:38
極限。而上限更高的氮化鎵，可以將充電效率、開(kāi)關(guān)速度、產(chǎn)品尺寸和耐熱性的優(yōu)勢(shì)有機(jī)統(tǒng)一，自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加，采用氮化鎵技術(shù)除了能滿足能量需求，還可以有效降低碳排放。事實(shí)上，氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級(jí)別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來(lái)經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，您必須至少對(duì)其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，但德州儀器正通過(guò)所有這些優(yōu)勢(shì)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動(dòng)車的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車廠商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原廠來(lái)說(shuō)尤為常見(jiàn)，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能所引起的測(cè)試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無(wú)策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過(guò)程中的諸多細(xì)節(jié)問(wèn)題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到
2020-11-18 06:30:50
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)，使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管的保護(hù)板，具有更高的耐壓，可為保護(hù)板提供更高的過(guò)電壓保護(hù)能力。期待配套的保護(hù)芯片早日成熟，助推氮化鎵鋰電池保護(hù)應(yīng)用，推出更輕、更高效的電池產(chǎn)品。原作者：充電頭網(wǎng)編輯部充電頭網(wǎng)
2023-02-21 16:13:41
已經(jīng)非常明朗。而除了熟知的手機(jī)廠商之外，各大電商品牌推出的氮化鎵快充產(chǎn)品更是琳瑯滿目，極大豐富了產(chǎn)品的品類，為消費(fèi)者帶來(lái)更多選擇，同時(shí)也對(duì)推動(dòng)氮化鎵快充的發(fā)展，起到了重要的作用。今天這篇文章就為大家盤(pán)點(diǎn)
2021-04-16 09:33:21
。LMG3410和LMG3411系列
產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。通過(guò)導(dǎo)通電阻
選擇器件內(nèi)部
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>
2022-11-10 06:36:09
開(kāi)發(fā)基于物理的模型，從而可用準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)到氮化鎵產(chǎn)品在通用操作條件下的安全使用壽命，讓設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)其設(shè)計(jì)要求，對(duì)氮化鎵器件進(jìn)行評(píng)估。
“測(cè)試器件至失效”的測(cè)試報(bào)告結(jié)果可瀏覽GaN 可靠性。
誤解3
2023-06-25 14:17:47
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵充電器從最開(kāi)始量產(chǎn)至今，已過(guò)去了四年多，售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民，近日充電頭網(wǎng)發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵。
2022-06-14 10:13:494379 “全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個(gè)新產(chǎn)品，包括四個(gè)充電器、兩個(gè)移動(dòng)電源和一個(gè)插座，屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列，進(jìn)一步滿足消費(fèi)者多樣化的充電需求。
2022-07-27 16:21:041774 的有效保護(hù)，完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價(jià)值，讓工程師放心無(wú)憂采用氮化鎵。 ? 普通消費(fèi)者了解并接受氮化鎵，是從2018年氮化鎵PD快充開(kāi)始的。憑借氮化鎵卓越的開(kāi)關(guān)特性，可以高頻工作，實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率，氮
2022-11-30 14:52:251383 
氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產(chǎn)業(yè)概述 1、產(chǎn)業(yè)地位 隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。以SiC
2023-02-03 14:31:181408 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
從消費(fèi)類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況，重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域，消費(fèi)類快充以及汽車領(lǐng)域的OBC。
2023-02-06 15:19:358506 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337276 
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355313 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍(lán)寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來(lái)，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204105 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 ?這兩款適配器，看似體積以及外形都差別不大，但是從原理出發(fā)確是天壤之別。今天，我們從原理出發(fā)剖析市面上氮化鎵的功能以及參數(shù)。 右側(cè)為氮化鎵脫掉外衣的樣子，那么！氮化鎵氮化鎵！到底是哪個(gè)電子元器件添加
2023-02-21 15:04:24
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從產(chǎn)品概念和設(shè)計(jì)到制造和銷售，把握好最小的細(xì)節(jié)才能助力全球最嚴(yán)苛的行業(yè)實(shí)現(xiàn)質(zhì)量和效率雙贏。Nexperia（安世半導(dǎo)
體）成功的關(guān)鍵是，我們始終致力于滿足甚至超越客戶所期望的嚴(yán)格質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，這種要求嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)同樣會(huì)應(yīng)用到我們功
率氮化鎵場(chǎng)效
2023-02-22 15:40:430 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來(lái)源。
2023-02-25 17:25:151497 氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍(lán)、綠、白光LED，廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:4613933 相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革，而隨著其中，氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點(diǎn)。那么，氮化鎵充電頭的原理是什么呢？KeepTops將為您詳細(xì)闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應(yīng)用。
2023-10-20 16:04:064631 
隨著氮化鎵充電頭的出現(xiàn)，越來(lái)越多的人開(kāi)始關(guān)注并選擇使用這種新型的充電設(shè)備。那么，氮化鎵充電頭好在哪，為什么這么多人選擇呢？
2023-10-26 15:33:551598 氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景，如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場(chǎng)景。不同的場(chǎng)景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時(shí)，要充分考慮應(yīng)用的場(chǎng)景。
2023-10-26 17:02:181576 氮化鎵充電器可能會(huì)對(duì)電池造成損害。在本文中，我們將探討氮化鎵充電器是否會(huì)傷害電池，并提供如何選擇氮化鎵充電器的一些建議。 首先，讓我們了解一下為什么有人擔(dān)心氮化鎵充電器對(duì)電池造成傷害。氮化鎵充電器通常具有較高的輸
2023-11-21 16:15:2712198 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011011 隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運(yùn)行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半導(dǎo)體材料的先進(jìn)充電技術(shù)。下面我們將詳細(xì)介紹氮化
2023-11-24 10:57:4610257 
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵
2023-11-24 11:05:117183 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所
2023-11-24 11:15:206432 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開(kāi)關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:221796 氮化鎵充電寶和普通充電寶是兩種不同類型的便攜式電池充電設(shè)備。它們之間的主要區(qū)別在于材料和性能，對(duì)比這兩種充電寶可以幫助用戶選擇適合自己需求的產(chǎn)品。 首先，氮化鎵充電寶采用的是氮化鎵材料作為陽(yáng)極材料
2024-01-09 17:21:3216997 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416141 MOS管的驅(qū)動(dòng)原理、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)方式選擇等方面的內(nèi)容。 驅(qū)動(dòng)原理 氮化鎵MOS管的驅(qū)動(dòng)原理主要包括充電過(guò)程、放電過(guò)程和電流平衡過(guò)程三個(gè)階段。 在充電過(guò)程中，通過(guò)控制輸入信號(hào)使得氮化鎵MOS管的柵極電壓逐漸上升，從而開(kāi)啟MOS管。
2024-01-10 09:29:025958 氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬于六方晶系晶體。在過(guò)去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料，受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會(huì)詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先，我們來(lái)介紹
2024-01-10 10:03:216728 氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片，它們?cè)谛阅?、?yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點(diǎn)和差異。 首先，從材料屬性上來(lái)看，氮化鎵芯片采用
2024-01-10 10:08:143855 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用的潛力。以下是幾個(gè)氮化鎵芯片的應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-10 10:13:193278 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336032 氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來(lái)，氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:292311 成為市場(chǎng)上的新勢(shì)力。通常，氮化鎵充電器具有高效率、高功率密度、節(jié)能環(huán)保、熱量控制優(yōu)秀、便攜性強(qiáng)、體積小、重量輕、充滿電時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)，很多高端電子產(chǎn)品配置了氮化鎵快充。本期，合科泰從氮化鎵快充產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理，給大家講解分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用。
2024-09-12 11:21:261398 
EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。
2025-04-28 16:07:21720 
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02956 
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