未來已來,氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。
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本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合,隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護,完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進應(yīng)用中高效率低損耗的核心價值,讓工程師放心無憂采用氮化鎵。
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普通消費者了解并接受氮化鎵,是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關(guān)特性,可以高頻工作,實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,氮化鎵PD快充成功實現(xiàn)了小型化和輕量化,消費者易于攜帶,用戶體驗大幅度提升。在過去幾年內(nèi),氮化鎵在PD快充中的滲透率逐步提升,消費者對氮化鎵的認(rèn)知是“氮化鎵=黑科技”,采用氮化鎵的PD快充可以賣到小幾百元,普通的采用硅器件的PD快充售價往往在一百元以內(nèi)。氮化鎵的應(yīng)用,很快從PD快充拓展到其它消費類產(chǎn)品中,輸出功率從30W、65W逐步提升到120W甚至更大功率。
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普通消費者,甚至對氮化鎵了解不多的工程師,普遍認(rèn)為氮化鎵只能實現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實,因為增強型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式,在中大功率應(yīng)用場景的散熱問題難以解決。但是,鎵未來氮化鎵采用獨特的緊湊級聯(lián)型技術(shù),封裝形式涵蓋QFN/DFN、TOLL、TO-220和TO-247等多種形式,滿足小功率(30W~300W)、中功率(300W~1kW)和大功率(1kW~6kW)等各種豐富的應(yīng)用場景。
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鎵未來在成立之初,聚焦中小功率的應(yīng)用和市場拓展,但是從2022年開始,公司發(fā)力中大功率的應(yīng)用市場,在便攜式儲能雙向逆變器、服務(wù)器電源、算力電源和植物照明電源等應(yīng)用領(lǐng)域取得不少突破。市場對氮化鎵接受程度的穩(wěn)步提升,主要得益于社會對節(jié)能減排和高效率電能轉(zhuǎn)換的普遍共識。

80+能效標(biāo)準(zhǔn)
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EU lot9存儲電源效率要求
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實現(xiàn)80+ 96%鈦金效率,或者CQC嵌入式電源輸出40V以內(nèi)能效VI級96%峰值效率和VII級97%峰值效率,最具性價比的解決方案是氮化鎵圖騰柱無橋PFC拓?fù)浼又C振軟開關(guān)LLC拓?fù)涞姆桨浮?br /> ?
第一部分:氮化鎵實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,賦能節(jié)能減排
氮化鎵憑借卓越的開關(guān)特性,具有“零”反向恢復(fù)電荷Qrr,特別適用于CCM BTP PFC (Continuous Current Mode Bridgeless Totem-Pole Power Factor Correction) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),相較于其它普遍采用的傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其主要優(yōu)點包括:

基于GaN的CCM BTP PFC拓?fù)?/div> ?
第二部分:氮化鎵在中大功率應(yīng)用中的挑戰(zhàn)及應(yīng)對措施
鎵未來作為緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件國內(nèi)領(lǐng)先的供應(yīng)商,其氮化鎵晶圓良率超過95%,結(jié)合本地化供應(yīng)鏈和資源整合優(yōu)勢,性價比突出。相對于增強型氮化鎵來說,鎵未來緊湊級聯(lián)型氮化鎵的主要優(yōu)勢包括:

但是,氮化鎵普遍存在一些局限,包括雪崩能力偏弱,漏源需要提升過電壓能力;還有電流抗沖擊能力有待提升,在半橋電路中要預(yù)防上下管直通。針對前者,鎵未來氮化鎵過壓能力突出,比如標(biāo)定耐壓650V器件,其Vds在800V下非可重復(fù)和750V下可重復(fù)的尖峰電壓持續(xù)時間高達30us。針對后者,驅(qū)動器需要具備Interlock功能,即當(dāng)DSP數(shù)字控制器或者模擬控制器給出的上下管驅(qū)動電壓同時為高時,驅(qū)動器通過自身邏輯控制,將上下管驅(qū)動電壓鎖定為低,確保氮化鎵器件不會直通并安全工作。在AC輸入動態(tài)、DC輸出動態(tài)、雷擊浪涌等情況下,DSP數(shù)字控制器或模擬控制器可能因為外部干擾,輸出誤動作信號,具有Interlock功能的驅(qū)動器可以有效的保護氮化鎵器件。
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鎵未來應(yīng)用開發(fā)團隊具有豐富的數(shù)字控制和模擬控制經(jīng)驗,已經(jīng)將半橋氮化鎵驅(qū)動電路歸一化,即統(tǒng)一采用納芯微NSi6602隔離驅(qū)動器。

NSi6602隔離驅(qū)動器系統(tǒng)框圖
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根據(jù)NSi6602的邏輯表,DT腳實現(xiàn)輸出Interlock功能或者死區(qū)調(diào)節(jié)功能。同時,NSi6602輸入信號和輸出信號隔離,這樣便于PCB板布線,進一步提升抗干擾性能。NSi6602抗共模干擾能力CMTI高達150V/ns,這個在大功率短路和過流保護的時候很重要。另外其上下驅(qū)動的差模電壓可達1500V,也適用于900V氮化鎵器件以及三相系統(tǒng)的應(yīng)用。

NSi6602邏輯表
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好馬配好鞍,鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動器比翼雙飛,成雙成對出現(xiàn),隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護,完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進應(yīng)用中高效率低損耗的核心價值,讓工程師放心無憂采用氮化鎵。
在實際應(yīng)用中,BTP PFC采用兩顆NSi6602,分別驅(qū)動兩顆氮化鎵快管和兩顆Si MOSFET慢管。在LLC部分,如果是半橋LLC,采用一顆NSi6602,如果是全橋LLC,采用兩顆NSi6602。
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NSi6602典型應(yīng)用圖
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針對不用的應(yīng)用要求,NSi6602提供了不同隔離電壓等級和封裝類型的系列產(chǎn)品,具體參考下表。

NSi6602隔離驅(qū)動器產(chǎn)品選型表
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第三部分:豐富的應(yīng)用案例
便攜式儲能用GaN雙向逆變器:

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2.5kW高效率高功率密度全數(shù)字控制導(dǎo)冷服務(wù)器電源

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3.6kW高效率算力電源

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大功率高效率LED驅(qū)動電源

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本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合,隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護,完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進應(yīng)用中高效率低損耗的核心價值,讓工程師放心無憂采用氮化鎵。
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普通消費者了解并接受氮化鎵,是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關(guān)特性,可以高頻工作,實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,氮化鎵PD快充成功實現(xiàn)了小型化和輕量化,消費者易于攜帶,用戶體驗大幅度提升。在過去幾年內(nèi),氮化鎵在PD快充中的滲透率逐步提升,消費者對氮化鎵的認(rèn)知是“氮化鎵=黑科技”,采用氮化鎵的PD快充可以賣到小幾百元,普通的采用硅器件的PD快充售價往往在一百元以內(nèi)。氮化鎵的應(yīng)用,很快從PD快充拓展到其它消費類產(chǎn)品中,輸出功率從30W、65W逐步提升到120W甚至更大功率。
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普通消費者,甚至對氮化鎵了解不多的工程師,普遍認(rèn)為氮化鎵只能實現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實,因為增強型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式,在中大功率應(yīng)用場景的散熱問題難以解決。但是,鎵未來氮化鎵采用獨特的緊湊級聯(lián)型技術(shù),封裝形式涵蓋QFN/DFN、TOLL、TO-220和TO-247等多種形式,滿足小功率(30W~300W)、中功率(300W~1kW)和大功率(1kW~6kW)等各種豐富的應(yīng)用場景。
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鎵未來在成立之初,聚焦中小功率的應(yīng)用和市場拓展,但是從2022年開始,公司發(fā)力中大功率的應(yīng)用市場,在便攜式儲能雙向逆變器、服務(wù)器電源、算力電源和植物照明電源等應(yīng)用領(lǐng)域取得不少突破。市場對氮化鎵接受程度的穩(wěn)步提升,主要得益于社會對節(jié)能減排和高效率電能轉(zhuǎn)換的普遍共識。

80+能效標(biāo)準(zhǔn)

EU lot9存儲電源效率要求
實現(xiàn)80+ 96%鈦金效率,或者CQC嵌入式電源輸出40V以內(nèi)能效VI級96%峰值效率和VII級97%峰值效率,最具性價比的解決方案是氮化鎵圖騰柱無橋PFC拓?fù)浼又C振軟開關(guān)LLC拓?fù)涞姆桨浮?br /> ?
第一部分:氮化鎵實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,賦能節(jié)能減排
氮化鎵憑借卓越的開關(guān)特性,具有“零”反向恢復(fù)電荷Qrr,特別適用于CCM BTP PFC (Continuous Current Mode Bridgeless Totem-Pole Power Factor Correction) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),相較于其它普遍采用的傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其主要優(yōu)點包括:
- 元器件最少,成本最低,性價比最高
- 效率最高,損耗大幅度下降,熱管理簡單,可以實現(xiàn)自然散熱
- 單機功率大,功率密度高,重量輕
- 控制簡單,能量可雙向流動,整流和逆變一機兩用

基于GaN的CCM BTP PFC拓?fù)?/div> ?
第二部分:氮化鎵在中大功率應(yīng)用中的挑戰(zhàn)及應(yīng)對措施
鎵未來作為緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件國內(nèi)領(lǐng)先的供應(yīng)商,其氮化鎵晶圓良率超過95%,結(jié)合本地化供應(yīng)鏈和資源整合優(yōu)勢,性價比突出。相對于增強型氮化鎵來說,鎵未來緊湊級聯(lián)型氮化鎵的主要優(yōu)勢包括:
- Vgs閾值電壓下限高達3.5V,抗干擾性能強,特別適用于高頻、硬開關(guān)和大功率應(yīng)用
- Vgs閾值電壓上限高達20V(靜態(tài)),30V(動態(tài)),驅(qū)動兼容Si MOSFET驅(qū)動器
- 不需要負(fù)壓關(guān)斷,外圍電路簡單
- 有半個體二極管,不需要反并聯(lián)SBD以降低續(xù)流損耗并提升效率
- 封裝種類齊全,包括貼片QFN/DFN/TOLL和插件TO-220/TO-247等封裝形式,覆蓋全功率范圍應(yīng)用場景
- 有直接替代料,持續(xù)大批量供貨無憂

但是,氮化鎵普遍存在一些局限,包括雪崩能力偏弱,漏源需要提升過電壓能力;還有電流抗沖擊能力有待提升,在半橋電路中要預(yù)防上下管直通。針對前者,鎵未來氮化鎵過壓能力突出,比如標(biāo)定耐壓650V器件,其Vds在800V下非可重復(fù)和750V下可重復(fù)的尖峰電壓持續(xù)時間高達30us。針對后者,驅(qū)動器需要具備Interlock功能,即當(dāng)DSP數(shù)字控制器或者模擬控制器給出的上下管驅(qū)動電壓同時為高時,驅(qū)動器通過自身邏輯控制,將上下管驅(qū)動電壓鎖定為低,確保氮化鎵器件不會直通并安全工作。在AC輸入動態(tài)、DC輸出動態(tài)、雷擊浪涌等情況下,DSP數(shù)字控制器或模擬控制器可能因為外部干擾,輸出誤動作信號,具有Interlock功能的驅(qū)動器可以有效的保護氮化鎵器件。
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鎵未來應(yīng)用開發(fā)團隊具有豐富的數(shù)字控制和模擬控制經(jīng)驗,已經(jīng)將半橋氮化鎵驅(qū)動電路歸一化,即統(tǒng)一采用納芯微NSi6602隔離驅(qū)動器。

NSi6602隔離驅(qū)動器系統(tǒng)框圖
根據(jù)NSi6602的邏輯表,DT腳實現(xiàn)輸出Interlock功能或者死區(qū)調(diào)節(jié)功能。同時,NSi6602輸入信號和輸出信號隔離,這樣便于PCB板布線,進一步提升抗干擾性能。NSi6602抗共模干擾能力CMTI高達150V/ns,這個在大功率短路和過流保護的時候很重要。另外其上下驅(qū)動的差模電壓可達1500V,也適用于900V氮化鎵器件以及三相系統(tǒng)的應(yīng)用。

NSi6602邏輯表
好馬配好鞍,鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動器比翼雙飛,成雙成對出現(xiàn),隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護,完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進應(yīng)用中高效率低損耗的核心價值,讓工程師放心無憂采用氮化鎵。
在實際應(yīng)用中,BTP PFC采用兩顆NSi6602,分別驅(qū)動兩顆氮化鎵快管和兩顆Si MOSFET慢管。在LLC部分,如果是半橋LLC,采用一顆NSi6602,如果是全橋LLC,采用兩顆NSi6602。
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NSi6602典型應(yīng)用圖
針對不用的應(yīng)用要求,NSi6602提供了不同隔離電壓等級和封裝類型的系列產(chǎn)品,具體參考下表。

NSi6602隔離驅(qū)動器產(chǎn)品選型表
第三部分:豐富的應(yīng)用案例
便攜式儲能用GaN雙向逆變器:
- AC側(cè)支持全球電壓范圍,包括中歐規(guī)和美日規(guī)
- DC側(cè)典型電壓為48V,可定制
- 功率為2kW,支持各種過載工作
- BTP PFC采用兩顆G1N65R035TB-N (35m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為65kHz
- 全橋LLC采用四顆G1N65R070TA-H (70m?/650V, TO-220)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為120kHz
- 支持多機并聯(lián),提升輸出功率
- 峰值效率96% @ 220Vac

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2.5kW高效率高功率密度全數(shù)字控制導(dǎo)冷服務(wù)器電源
- AC輸入電壓:90Vac~264Vac,低壓降額
- DC輸出:12.2V/205A,Vsb/2.5A
- 輸出功率為2.5kW,支持多機并聯(lián)
- BTP PFC采用兩顆G1N65R035TB-N (35m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為65kHz
- 半橋LLC采用一顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為125kHz
- 峰值效率96.2%,滿足80+鈦金效率認(rèn)證

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3.6kW高效率算力電源
- AC輸入電壓:180Vac~300Vac
- DC輸出電壓:11.5V-15.5V/240A, 3.6kW
- BTP PFC采用兩顆G1N65R035TB-N (35m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為65kHz
- LLC采用兩顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為100kHz
- 滿載效率96.2% @ 220Vac

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大功率高效率LED驅(qū)動電源
- AC輸入電壓:90Vac~264Vac
- DC輸出電壓:56V/12.5A, 700W
- BTP PFC采用兩顆G1N65R050TB-N (50m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為55kHz
- LLC采用兩顆G1N65R150TA-N (150m?/650V, TO-220)氮化鎵和一顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為70kHz
- 滿載效率96.5% @ 230Vac

- 氮化鎵(119343)
- 隔離驅(qū)動(6057)
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2023-06-15 15:50:54
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;這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍;隨著小米65W的充電器的發(fā)布,快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
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2018-11-20 10:56:25
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2022-06-14 11:11:16
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點,應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別?
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵(GaN)被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅,有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積,同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
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2023-06-15 15:35:02
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更?。篏aNFast? 功率芯片,可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
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2023-06-15 15:32:41
氮化鎵發(fā)展評估
對這一曾經(jīng)的新興技術(shù)及其供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的大規(guī)模資金投入已經(jīng)為氮化鎵的主流商業(yè)應(yīng)用奠定了堅實的基礎(chǔ),這將在未來幾十年對我們的行業(yè)及其它行業(yè)帶來革命性的影響。`
2017-08-15 17:47:34
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本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
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2018-08-17 09:49:42
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2021-06-17 10:56:45
氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎?
2000 年代初就已開始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問,它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處?
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IFWS 2018:氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會在深圳召開
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動器IC的精彩報告,并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動集成電路,該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應(yīng)用
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
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2017-09-04 15:02:41
Micsig光隔離探頭實測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試
系列光隔離探頭現(xiàn)場條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)?,F(xiàn)場連接圖如下:▲圖1:接線
2023-01-12 09:54:23
SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
【技術(shù)干貨】氮化鎵IC如何改變電動汽車市場
驅(qū)動器的CMTI規(guī)格最低為200 kV/μs,這是隔離驅(qū)動器的最高CMTI規(guī)格。氮化鎵確保適應(yīng)未來變化氮化鎵材料的能特性和無損耗處理高電壓操作的能力,為設(shè)計人員在將來設(shè)計電動汽車時提供了決定性優(yōu)勢,這
2018-07-19 16:30:38
為什么氮化鎵(GaN)很重要?
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好?
的電壓,其漏極漂移區(qū)為10-20μm,或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而,氮化鎵器件目前仍然遠遠低于約300V/μm的禁帶寬度極限,這為未來的優(yōu)化和改進,留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
什么是氮化鎵功率芯片?
電源和信號,一直是業(yè)界無法實現(xiàn)的。因為硅器件的開關(guān)速度太慢,而且存在驅(qū)動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器,導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片?
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵技術(shù)
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵(GaN)?
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵(GaN)?
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展
,其中第一梯隊有納微、EPC等代表企業(yè)。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而,現(xiàn)在還有什么是阻礙氮化鎵器件發(fā)展的不利因素呢?[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導(dǎo)的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性,能為高頻電源設(shè)計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢,因此在服務(wù)器、通訊電源及便攜設(shè)備充電器等領(lǐng)域
2021-09-23 15:02:11
光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化鎵(GaN)原廠FAE解決客戶問題
客戶測試后再進行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對測試過程提供了技術(shù)支持。測試背景:3C消費類產(chǎn)品,其電源采用氮化鎵(GaN)半橋方案。測試目的:氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化鎵性能
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
實現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機驅(qū)動器的氮化鎵器件
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器,可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機驅(qū)動器在減小尺寸和重量的同時,可以實現(xiàn)更平穩(wěn)的運行。這些優(yōu)勢對于倉儲和物流機器人、伺服驅(qū)動器、電動自行車和電動滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
將低壓氮化鎵應(yīng)用在了手機內(nèi)部電路
一顆頂兩顆,SMT貼片費用對應(yīng)降低,取代多顆時,成本下降更加明顯,并且PCB面積也得到減小。從這些方面,又?jǐn)偙×藨?yīng)用成本壓力。充電頭網(wǎng)總結(jié)氮化鎵在PD快充上的應(yīng)用,通過高頻開關(guān),減小了變壓器的尺寸,再
2023-02-21 16:13:41
有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯誤觀念
沖。
由于氮化鎵器件具備優(yōu)越的性能優(yōu)勢,支持基于氮化鎵器件的設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)不斷在發(fā)展,從而有越來越多供應(yīng)商提供新型元件,例如柵極驅(qū)動器、控制器和無源元件,可進一步增強基于氮化鎵器件的系統(tǒng)的性能。
此外
2023-06-25 14:17:47
硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
?是提高性能和降低價值。硅襯底倒裝波LED芯片,效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā),有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進工藝技術(shù),光效
2014-01-24 16:08:55
請問candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎?
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
誰發(fā)明了氮化鎵功率芯片?
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
高壓氮化鎵的未來分析
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵(GaN)襯底晶片實現(xiàn)國產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一
氮化鎵單晶材料生長難度非常大,蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非???,同樣也是氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:01
8710
8710福布斯專訪納微半導(dǎo)體:談氮化鎵在電動汽車領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用
納微半導(dǎo)體向福布斯詳細介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息,并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:21
2059
2059
小米納微三度攜手,小米 65W 1A1C氮化鎵充電器發(fā)布!
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器,采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝,并且采用高頻軟開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵開關(guān)管、獨立驅(qū)動器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:10
2573
2573
納微半導(dǎo)體宣布全球首個氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù),集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管(GaN Power[FET])、驅(qū)動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:13
2198
2198鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案
普通消費者,甚至對氮化鎵了解不多的工程師,普遍認(rèn)為氮化鎵只能實現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實,因為增強型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式,在中大功率應(yīng)用場景的散熱問題難以解決。
2022-11-25 15:41:28
2258
2258氮化鎵的優(yōu)勢特點!
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因為它豐富且價格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)和氮化鎵
2022-12-13 10:00:08
3917
3917氮化鎵前景怎么樣
氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產(chǎn)業(yè)概述 1、產(chǎn)業(yè)地位 隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展,相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC
2023-02-03 14:31:18
1407
1407氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應(yīng)用
氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜,多采用兩步生長法,需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度,以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲,為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:00
7537
7537氮化鎵是什么晶體,氮化鎵(GaN)的重要性分析
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵,該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:18
10906
10906
什么是硅基氮化鎵 氮化鎵和碳化硅的區(qū)別
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:33
7265
7265
硅基氮化鎵技術(shù)成熟嗎 硅基氮化鎵用途及優(yōu)缺點
硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù),硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:26
4967
4967
硅基氮化鎵介紹
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:34
2742
2742
氮化鎵外延片是什么 氮化鎵有哪些分類
氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和組件,如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:41
5425
5425硅基氮化鎵芯片 具有哪些特點
硅基氮化鎵和藍寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料,但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能,可以用于制造電子元件,而藍寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性,可以用于制造熱敏元件。此外,硅基氮化鎵的成本更低,而藍寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:15
2750
2750半導(dǎo)體“黑科技”:氮化鎵
來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破,在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中,氮化鎵憑借著在消費產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:20
4099
4099氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點分析
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:14
29357
29357氮化鎵為何這么強 從氮化鎵適配器原理中剖析
?這兩款適配器,看似體積以及外形都差別不大,但是從原理出發(fā)確是天壤之別。今天,我們從原理出發(fā)剖析市面上氮化鎵的功能以及參數(shù)。 右側(cè)為氮化鎵脫掉外衣的樣子,那么!氮化鎵氮化鎵!到底是哪個電子元器件添加
2023-02-21 15:04:24
6
6雙碳時代的芯片可以在氮化鎵上造
納微半導(dǎo)體如何在氮化鎵上造芯片? 作者丨 周雅 剛剛過去的10月底,納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成功在納斯達克上市,上市當(dāng)天企業(yè)價值10億美元。1個月后,納微半導(dǎo)體再進
2023-02-21 14:57:11
0
0氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關(guān)系
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì),也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:15
1497
1497納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片
在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計,加強器件可靠性,降低系統(tǒng)成本,納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術(shù),推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片,進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:02
1876
1876
氮化鎵用途有哪些?氮化鎵用途和性質(zhì)是什么解讀
、顯示等領(lǐng)域。 2. 激光器:氮化鎵可制成激光器器件,用于通信、材料加工等領(lǐng)域。 3. 太陽能電池:氮化鎵可用于制造高效率的太陽能電池。 4. 無線通訊:氮化鎵的高頻特性使其成為高速無線通訊的理想材料。 5. 集成電路:氮化鎵可制成高性能的微波射頻
2023-06-02 15:34:46
13931
13931氮化鎵電源發(fā)熱嚴(yán)重嗎 氮化鎵電源優(yōu)缺點
相對于傳統(tǒng)的硅材料,氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少,因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下,氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:23
10672
10672GaNFast氮化鎵功率芯片有何優(yōu)勢?
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件(PDK),以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器,邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低
2023-09-01 14:46:04
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氮化鎵充電頭的原理
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進步,充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革,而隨著其中,氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點。那么,氮化鎵充電頭的原理是什么呢?KeepTops將為您詳細闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應(yīng)用。
2023-10-20 16:04:06
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氮化鎵芯片如何選擇?
氮化鎵芯片的選用要從實際應(yīng)用出發(fā),結(jié)合實際使用場景,選擇最合適的氮化鎵芯片,以達到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場景。首先要明確使用的具體場景,如音頻、視頻、計算還是其他應(yīng)用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同,因此在選擇氮化鎵芯片時,要充分考慮應(yīng)用的場景。
2023-10-26 17:02:18
1575
1575氮化鎵充電器傷電池嗎?氮化鎵充電器怎么選?
氮化鎵充電器傷電池嗎?氮化鎵充電器怎么選? 氮化鎵(GaN)充電器被廣泛認(rèn)為是下一代充電器技術(shù)的關(guān)鍵。與傳統(tǒng)充電器相比,氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢,比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而,有些人擔(dān)心
2023-11-21 16:15:27
12193
12193氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別
氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片,它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域,如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:30
11007
11007氮化鎵充電器原理 氮化鎵充電器原理圖
隨著科技的發(fā)展,電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運行,需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半導(dǎo)體材料的先進充電技術(shù)。下面我們將詳細介紹氮化
2023-11-24 10:57:46
10254
10254
什么是氮化鎵 氮化鎵電源優(yōu)缺點
的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為17
2023-11-24 11:05:11
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7180氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是什么晶體類型
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料,需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取,具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:20
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6428什么是氮化鎵合封芯片科普,氮化鎵合封芯片的應(yīng)用范圍和優(yōu)點
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性,適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件,將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22
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1796氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41
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6131氮化鎵mos管驅(qū)動方法
氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點,逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢,合理的驅(qū)動方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化鎵
2024-01-10 09:29:02
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5949氮化鎵mos管型號有哪些
應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化鎵MOS管型號: EPC2001:EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉(zhuǎn)換器、鋰電池充電器和無線充電應(yīng)用等領(lǐng)域。 EPC601:EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:15
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4274氮化鎵是什么晶體類型
氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里,氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料,受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先,我們來介紹
2024-01-10 10:03:21
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6727氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料
氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu): 氮化鎵是由鎵(Ga)和氮(N)元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:33
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6028氮化鎵是什么充電器類型
、氮化鎵充電器的優(yōu)勢以及其在未來的應(yīng)用前景等方面進行詳細介紹。 首先,我們先來了解一下氮化鎵的基本特性。氮化鎵是一種寬能隙半導(dǎo)體材料,具有高電子遷移率、高電學(xué)飽和速度和高電熱導(dǎo)率的特點。這些特性使得氮化鎵在高頻
2024-01-10 10:20:29
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2310納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵
納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵,不僅有效確保糧食安全,同時讓印度農(nóng)民無需再使用遠距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機。
2024-04-22 14:07:26
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954納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:44
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2670氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進展
寬禁帶半導(dǎo)體,徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動器應(yīng)用氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電
2024-07-06 08:13:18
1988
1988
氮化鎵和砷化鎵哪個先進
氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個更先進,并不是一個簡單的二元對立問題,因為它們的先進性取決于具體的應(yīng)用場
2024-09-02 11:37:16
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7231納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒,成功地將氮化鎵功率器件帶入消費電子市場,幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品,也推動了“氮化鎵”的認(rèn)知普及,當(dāng)然也成就了納微
2024-10-23 09:43:59
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