明星企業(yè)齊聚PEC電力電子，共討行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)

由愛戴愛集團(tuán)主辦，《Bodo’s功率系統(tǒng)》協(xié)辦的PEC中國(guó)國(guó)際電力電子峰會(huì)暨產(chǎn)品展示會(huì)—蘇州站將于10月25日在蘇州會(huì)議中心隆重開幕。截止日前，英飛凌科...

2013-10-15 標(biāo)簽：IGBTSiCGaN 1.4k 0

PEC-電力電子帶你看SiC和GaN技術(shù)與發(fā)展展望

據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來電力電子元器件市場(chǎng)...

2013-09-18 標(biāo)簽：電力電子SiCGaN 3.3k 0

富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

今天，富士通半導(dǎo)體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵（GaN）功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150V。用戶可設(shè)計(jì)出體積更小、效率更高電源組件，可廣...

2013-07-23 標(biāo)簽：功率器件GaN 1.4k 0

功率半導(dǎo)體觀察：SiC和GaN飛速發(fā)展的時(shí)代

　“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會(huì)。在市場(chǎng)要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下，該展會(huì)的規(guī)模逐年擴(kuò)大，2013年共...

2013-07-09 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 4.2k 0

飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵（GaN）晶體管，所有...

2013-06-09 標(biāo)簽：飛思卡爾GaNLDMOS 2.3k 0

未來十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，將以18%速度增長(zhǎng)

在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有...

2013-04-26 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 2k 0

日企聚焦GaN功率元件，耐壓600V產(chǎn)品成主流

Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進(jìn)入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功...

2013-04-19 標(biāo)簽：GaN功率元件 2.3k 0

首爾半導(dǎo)體推出利用GaN晶體非極性面的白色LED

　韓國(guó)首爾半導(dǎo)體開發(fā)出了在1mm見方藍(lán)色LED芯片上組合熒光材料，實(shí)現(xiàn)了光通量為500lm左右的白色LED，并在“日本第5屆新一代照明技術(shù)展”上展出。該...

2013-01-23 標(biāo)簽：LED首爾半導(dǎo)體GaN 2.4k 0

新一代功率器件將在2013年迎來技術(shù)大挑戰(zhàn)

SiC和GaN作為新一代的半導(dǎo)體功率器件，由于其開關(guān)高速、高頻工作和高溫工作燈特點(diǎn)，受到了廣大關(guān)注。隨著鐵路和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用增加，在2013年，這兩款器件...

2013-01-21 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 890 0

GaN襯底 中國(guó)LED企業(yè)與國(guó)外廠家同時(shí)起跑

　目前市場(chǎng)上LED用到的襯底材料有藍(lán)寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國(guó)市場(chǎng)上99%的襯底材料是藍(lán)寶石，而就全球範(fàn)圍來看...

2012-11-28 標(biāo)簽：LED歐司朗GaN 3.8k 0

功放如何為智能手機(jī)提供最佳效率

隨著許多大城市相繼推出LTE和TD-LTE以及智能手機(jī)輕薄化要求不斷提升，集成度和性能的重要性前所未有。因此，功放必須在這兩方面進(jìn)一步提高，以幫助移動(dòng)設(shè)...

2012-10-08 標(biāo)簽：td-lte功放GaN 3.8k 0

SOITEC與四聯(lián)合作開發(fā)GaN晶片 大大降低LED成本

SOITEC與重慶四聯(lián)光電就共同使用HVPE制造氮化鎵（GaN）達(dá)成了協(xié)議。GaN晶體模板在LED的生產(chǎn)中能大大降低成本。

2012-07-10 標(biāo)簽：LEDGaNSOITEC 1.2k 0

SiC上沉積的GaN最新技術(shù)

為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。

2011-12-01 標(biāo)簽：SiCGaN 1.9k 0

硅上GaN LED分析

硅上GaN LED 不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延...

2011-11-02 標(biāo)簽：LEDGaN 2.4k 0

瑞薩電子發(fā)表適用于CATV的GaN功率放大器模組MC-7802

先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(Renesas Electronics)日前發(fā)表適用于1GHz有線電視(CATV)系統(tǒng)的氮化鎵(GaN)功率放大器模組...

2011-07-11 標(biāo)簽：功率放大器CATVGaN 2.6k 0

首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)

科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國(guó)際微波研討會(huì)上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)

2011-06-23 標(biāo)簽：功率放大器衛(wèi)星通信GaN 2.7k 0

IMEC開發(fā)出最新的硅襯底芯片

IMEC與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長(zhǎng)GaN/AlGaN的技術(shù),IMEC介紹了該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)大尺寸生產(chǎn)和兼容性好的優(yōu)勢(shì)

2011-06-08 標(biāo)簽：IMECGaN襯底芯片 1.8k 0

田村制作所攜手光波開發(fā)出氧化鎵基板GaN類LED元

日本田村制作所與光波公司宣布，開發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，預(yù)計(jì)可在2011年度末上市該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板

2011-03-29 標(biāo)簽：光波GaN田村制作所 1.4k 0

RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3

　　日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932，這種無與倫...

2010-12-01 標(biāo)簽：功率氮化鎵GaN 1.7k 0