SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片，引領AI存儲新變革

在人工智能（AI）技術迅猛發(fā)展的當下，數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關鍵因素。2025 年 9 月 12 日，韓國半導體巨頭 SK 海力士宣布...

2025-09-16 標簽：芯片AISK海力士 1.9k 0

臺積電攜手創(chuàng)意電子斬獲HBM4關鍵界面芯片大單

在科技浪潮的涌動下，臺積電再次展現(xiàn)其行業(yè)領導者的地位。據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》6月24日報道，繼獨家代工英偉達、AMD等科技巨頭AI芯片之后，臺積電近日攜手旗...

2024-06-24 標簽：芯片臺積電AI 1.9k 0

HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術革新

隨著生成式AI技術的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加，對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切，這直接推動了高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的快速增長，并對HBM的性...

2024-11-05 標簽：內(nèi)存英偉達SK海力士 1.9k 0

英偉達、臺積電與SK海力士攜手，2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存，能效顯著提升

科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中，英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作，旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）技術...

2024-07-15 標簽：臺積電英偉達SK海力士 1.8k 0

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道，三星電子與SK海力士預計今年內(nèi)實現(xiàn)1c...

2024-05-14 標簽：DRAMSK海力士HBM 1.8k 0

美光12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存已向主要客戶出貨

隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓練與推理工作負載需求的持續(xù)增長，高性能內(nèi)存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，...

2025-06-18 標簽：內(nèi)存美光HBM4 1.8k 0

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領軍企業(yè)，SK海力士已在...

2024-05-30 標簽：芯片SK海力士HBM 1.7k 0

特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片

近日，SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉，特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后，選擇其中一家作為其HB...

2024-11-21 標簽：芯片特斯拉SK海力士 1.7k 0

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從...

2024-05-15 標簽：存儲器SK海力士HBM 1.7k 0

三星電子加速推進HBM4研發(fā)，預計明年底量產(chǎn)

三星電子在半導體技術的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器（HBM4）的流片工作。這一舉措標志著三星電...

2024-08-22 標簽：半導體三星電子存儲器 1.7k 0

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4，預計2026年投產(chǎn)

自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將...

2024-04-19 標簽：臺積電SK海力士HBM 1.6k 0

臺積電在歐洲技術研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前，我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎Dies在滿足HBM性能需求的...

2024-05-17 標簽：臺積電先進制程HBM 1.6k 0

美光發(fā)布HBM4與HBM4E項目新進展

近日，據(jù)報道，全球知名半導體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4，第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項目的最新研發(fā)進...

2024-12-23 標簽：接口內(nèi)存美光 1.6k 0

臺積電準備生產(chǎn)HBM4基礎芯片

在近日舉行的2024年歐洲技術研討會上，臺積電透露了關于HBM4基礎芯片制造的新進展。據(jù)悉，未來HBM4將采用邏輯制程進行生產(chǎn)，臺積電計劃使用其N12和...

2024-05-21 標簽：臺積電HBMHBM4 1.6k 0

Cadence推出HBM4 12.8Gbps IP內(nèi)存系統(tǒng)解決方案

近日，Cadence（NASDAQ：CDNS）近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案，以滿足新一代 AI 訓練和 ...

2025-05-26 標簽：控制器Cadence內(nèi)存 1.6k 0

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。

2024-04-23 標簽：DRAMSK海力士HBM 1.6k 0

三星與臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片

在科技日新月異的今天，三星電子與臺積電兩大半導體巨頭的強強聯(lián)合再次引發(fā)業(yè)界矚目。據(jù)最新報道，雙方正攜手并進，共同開發(fā)下一代高帶寬存儲器（HBM4）人工智...

2024-09-09 標簽：三星電子臺積電AI芯片 1.6k 0

Rambus推出業(yè)界首款HBM4控制器IP

Rambus Inc.，業(yè)界知名的芯片和半導體IP供應商，近日宣布了一項重大突破：推出業(yè)界首款HBM4（High Bandwidth Memory 4，...

2024-11-14 標簽：IP內(nèi)存Rambus 1.6k 0