5月17日，臺(tái)積電應(yīng)邀出席本周的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)并展出了兩款HBM4基礎(chǔ)Dies，其中一款基于12FFC+（12nm）工藝，另一款則利用N5（5nm）技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)，旨在提升HBM4的性能與能效。

臺(tái)積電設(shè)計(jì)與技術(shù)平臺(tái)高級(jí)總監(jiān)對(duì)此表示：

目前，我們正在攜手眾多HBM存儲(chǔ)伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推進(jìn)HBM4在先進(jìn)制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿(mǎn)足HBM性能需求的同時(shí)，具有顯著的成本優(yōu)勢(shì)；而N5基礎(chǔ)Dies則可在較低功耗條件下實(shí)現(xiàn)HBM4的預(yù)期速度。

借助臺(tái)積電12FFC+工藝（源于其成熟的16nmFinFET技術(shù)），我們將能夠制造出適用于12-Hi及16-HiHBM4存儲(chǔ)器堆棧的基礎(chǔ)芯片，其容量分別高達(dá)48GB和64GB。

通過(guò)運(yùn)用12FFC+工藝，我們有望打造出“高性?xún)r(jià)比”的基礎(chǔ)芯片，這些芯片將通過(guò)硅內(nèi)插件將內(nèi)存與主機(jī)處理器相連接。