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標(biāo)簽 > igbt模塊
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? ? ? 日前,華潤(rùn)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,由潤(rùn)安科技負(fù)責(zé)實(shí)施的IGBT模塊封裝產(chǎn)線將于今年年底前通線,產(chǎn)能將隨項(xiàng)目建設(shè)的推進(jìn)逐步提升。 華潤(rùn)微IGB...
翠展微電子榮獲“第八屆清華校友三創(chuàng)大賽新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車專題賽”三等獎(jiǎng)
10月19日,蘇州市智能車聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群推進(jìn)會(huì)暨第五屆全球智能駕駛大會(huì)在蘇州市相城區(qū)隆重舉行。
2023-10-24 標(biāo)簽:智能駕駛IGBT模塊智能車聯(lián)網(wǎng) 1.6k 0
傾佳電子行業(yè)洞察:碳化硅(SiC)模塊加速全面取代IGBT模塊的深度剖析
傾佳電子行業(yè)洞察電力電子技術(shù)演進(jìn)的必然:碳化硅(SiC)模塊加速取代絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊的深度剖析,SiC模塊正在加速革掉IGBT模塊的命!...
傾佳電子SiC模塊BMF540R12KA3替代富士電機(jī) IGBT模塊 2MBI800XNE120 的綜合技術(shù)與應(yīng)用分析
傾佳電子電力電子應(yīng)用深度研究報(bào)告:基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET功率模塊 BMF540R12KA3 替代富士電機(jī) IGBT模塊 2MBI800XNE1...
2025-11-20 標(biāo)簽:IGBT模塊 1.4k 0
全新4.5kV XHP? 3 IGBT模塊讓驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)尺寸小型化和效率最大化
許多應(yīng)用都出現(xiàn)了采用更小IGBT模塊,將復(fù)雜設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移給產(chǎn)業(yè)鏈上游的明顯趨勢(shì)。為了順應(yīng)小型化和集成化的全球趨勢(shì),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/O...
2024-01-05 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器變頻器IGBT模塊 1.2k 0
賽晶攜最新自主研發(fā)IGBT模塊亮相2022年汽車電子創(chuàng)新技術(shù)研討會(huì)
8月10日,有全球知名電子科技媒體電子發(fā)燒友主辦的2022年汽車電子創(chuàng)新技術(shù)研討會(huì)在中國(guó)深圳成功舉辦。共有近200名來自各汽車電子相關(guān)企業(yè)的技術(shù)專家們蒞...
金菱通達(dá)導(dǎo)熱絕緣材料一貼降溫—IGBT模塊散熱不再難
IGBT模塊散熱用導(dǎo)熱絕緣材料,選型需慎重,找一個(gè)靠譜的供應(yīng)商,能省很多事。也建議客戶在選型導(dǎo)熱絕緣材料的時(shí)候一定要看看供應(yīng)商的資質(zhì)和客戶見證,有必要還...
雙脈沖測(cè)試技術(shù)解析報(bào)告:國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗(yàn)證與性能評(píng)估
雙脈沖測(cè)試技術(shù)解析報(bào)告:國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗(yàn)證與性能評(píng)估 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...
揚(yáng)杰電子MG600HF065TLC2 IGBT模塊:大功率應(yīng)用的卓越解決方案
在當(dāng)今新能源和工業(yè)電力電子領(lǐng)域,高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)設(shè)備高性能運(yùn)行的核心。揚(yáng)杰推出的MG600HF065TLC2 IGBT模塊,以其卓越的性...
構(gòu)網(wǎng)型(Grid-Forming)控制架構(gòu)與SiC碳化硅功率電子技術(shù)的深度協(xié)同
全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...
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