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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3326個 瀏覽：263413次 帖子：485個

      igbt資訊

      ROHM開發(fā)出內置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”

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      2021-07-08 標簽：IGBTRohmSiC二極管 2.1k 0

      .XT”是個啥以及.XT技術對器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(j-c)的提升及其影響

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      我國新能源汽車產銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，為寬禁帶半導體的技術驗證和更新迭代提供了大量應用數據樣本。 《中國電子報》記者在采訪時了解到，寬禁帶半導...

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      2021年6月，富士經濟對SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導體等下一代功率半導體的全球市場進行了調查。功率半導體市場預計到 2030 年將達到 404...

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      2021-06-17 標簽：IGBT晶體管SiC 7.1k 0

      如何提高IGBT模塊可靠性

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      2021-06-04 標簽：芯片模塊IGBT 2.7k 0

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