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      igbt

      igbt

      +關(guān)注1257人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

      文章：3325個(gè) 瀏覽：263390次 帖子：485個(gè)

      igbt資訊

      PI子公司成立設(shè)計(jì)中心將提供定制IGBT驅(qū)動(dòng)器解決方案

      Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動(dòng)器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國(guó)Ense開(kāi)設(shè)一家新的設(shè)計(jì)中心...

      2013-01-17 標(biāo)簽：IGBTPI公司 1.6k 0

      東芝新穎IGBT/MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器

      東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動(dòng)中等容量的IGBT或功率...

      2013-01-11 標(biāo)簽：MOSFET東芝IGBT 1.6k 0

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      茂矽電子與富鼎先進(jìn)將合作開(kāi)發(fā)電動(dòng)車(chē)（EV）高功率絕緣閘雙極型電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT）元件...

      2013-01-10 標(biāo)簽：IGBT電源公司茂矽 2.4k 0

      如何實(shí)現(xiàn)IR2110驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)

      驅(qū)動(dòng)IGBT電壓型功率器件有多種具有保護(hù)及隔離功能的集成驅(qū)動(dòng)模塊。這些模塊具有多種保護(hù)功能、隔離驅(qū)動(dòng)、電路參數(shù)一致性好、運(yùn)行穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)，但其相對(duì)價(jià)格...

      2012-12-27 標(biāo)簽：IGBTIR2110功率器件 1.1萬(wàn) 1

      IGBT在應(yīng)用中碰到的常見(jiàn)問(wèn)題解決方法

      隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高頻大功率化的發(fā)展，開(kāi)關(guān)器件在應(yīng)用中潛在的問(wèn)題越來(lái)越凸出，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓、電流過(guò)沖，影響到了逆變器的工作效率和工作可 靠性。為...

      2012-12-24 標(biāo)簽：IGBT功率器件 1.4萬(wàn) 0

      開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十大關(guān)注點(diǎn)

      開(kāi)關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門(mén)的技術(shù)，而它的發(fā)展趨勢(shì)又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題，不然一不留神就會(huì)跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)網(wǎng)做了項(xiàng)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)...

      2012-12-20 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源IGBT功率半導(dǎo)體 4.9k 3

      國(guó)際整流器公司IGBT技術(shù)平臺(tái)強(qiáng)攻工業(yè)市場(chǎng)

      　國(guó)際整流器（IR）推出新一代絕緣閘雙極電晶體（IGBT）技術(shù)平臺(tái)。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技術(shù)平臺(tái)利用IR新一代溝道閘極場(chǎng)截...

      2012-11-27 標(biāo)簽：IGBT工業(yè)國(guó)際整流器 1.4k 0

      隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

      功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...

      2012-11-26 標(biāo)簽：IGBT功率器件Power MOSFET 1.4萬(wàn) 0

      如何準(zhǔn)確選擇功率器件

      所謂功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流...

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      IR 推出第八代 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)

      　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （I...

      2012-11-17 標(biāo)簽：IRIGBT電源芯片 2k 0

      英飛凌650V TRENCHSTOP 5重新界定IGBT同級(jí)最佳效能　

      　英飛凌科技發(fā)表新一代薄晶圓技術(shù)IGBT TRENCHSTOP 5 系列產(chǎn)品，其導(dǎo)通損失和切換損失均遠(yuǎn)低于目前的領(lǐng)導(dǎo)解決方案。透過(guò)這項(xiàng)突破性的產(chǎn)品，英飛...

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      安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）持續(xù)推動(dòng)高性能工業(yè)積體電路（IC）方案的電源管理。最新元件提供高度強(qiáng)固性，應(yīng)用于寬工作溫度範(fàn)圍，性能突出...

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      IGBT的一種驅(qū)動(dòng)和過(guò)流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

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      IGBT模塊應(yīng)用指南

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      2012-11-06 標(biāo)簽：IGBT 1.5k 0

      IGBT的基礎(chǔ)與運(yùn)用

      IGBT的基礎(chǔ)與運(yùn)用

      　IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速...

      2012-10-30 標(biāo)簽：IGBT 2.9k 0

      對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)的理解

      對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)的理解

      本文是對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)的一些概念的理解

      2012-10-24 標(biāo)簽：IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 5.7k 0

      安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT陣容

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      2012-10-24 標(biāo)簽：太陽(yáng)能安森美IGBT 1.1k 0

      英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合

      英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第叁代逆導(dǎo) （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型...

      2012-10-24 標(biāo)簽：英飛凌IGBT電源芯片 1.5k 0

      IR 針對(duì)家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用推出新型 IGBT

      全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱 IR） 推出 IRGR4045DPbF 和...

      2012-10-17 標(biāo)簽：IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片 1.3k 0

      快捷半導(dǎo)體蟬聯(lián)伊頓亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)

      快捷半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）宣佈獲頒伊頓亞太區(qū)2012年最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)，連續(xù)兩年蟬聯(lián)該獎(jiǎng)項(xiàng)。 伊頓（Eaton）公司總...

      2012-10-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT快捷半導(dǎo)體 1.2k 0

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        聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        +關(guān)注
      • 四軸飛行器
        四軸飛行器
        +關(guān)注
        四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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      追求巔峰 efans_b69f6b afeng20200928 jf_99582534 jf_35291062 jf_50507575 jf_81865677 jf_69253771 jf_48124471 jf_10001769 jf_42784404 jf_99190008

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