2025年行至尾聲，智融科技憑借領(lǐng)先的數(shù)?；旌显O(shè)計實力、卓越的消費級電源管理方案，以及在第三代半導(dǎo)體驅(qū)動技術(shù)的前瞻布局，一舉攬獲多項行業(yè)大獎，成為國產(chǎn)數(shù)?；旌螴C與GaN/SiC第三代半導(dǎo)體驅(qū)動賽道的“雙料”先鋒！
2025-12-11 15:20:51
377 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表；而半導(dǎo)體這個行業(yè)又過于學(xué)術(shù)，為方便閱讀，以下這篇文章的部分章節(jié)會以要點列示為主，如果遺漏
2025-12-03 08:33:44351 
在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評估中，對半橋電路上管進行精確的電壓與電流參數(shù)測試，是優(yōu)化電路設(shè)計、驗證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測試方案可為技術(shù)開發(fā)提供堅實的數(shù)據(jù)支撐，加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
2025-11-19 11:01:05129 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
2025-11-11 08:13:37874 
能效成為下一
代汽車、工業(yè)及 AI 平臺的關(guān)鍵要求，我們正持續(xù)
擴展產(chǎn)品組合，提供系統(tǒng)級價值，助力客戶以更低能耗實現(xiàn)更優(yōu)性能?！?/div>
2025-11-06 10:49:02406 
第三季度公司總體產(chǎn)品組合新增 585,000 多種產(chǎn)品和近 100 家供應(yīng)商 美國, 明尼蘇達, 錫夫里弗福爾斯市 - 2025 年 10 月 28 日；全球領(lǐng)先的電子元器件和自動化產(chǎn)品分銷商
2025-10-31 11:49:31368 
適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心400V與800V電源架構(gòu)的熱插拔控制器參考板，使開發(fā)者能夠設(shè)計出可靠、穩(wěn)健且可擴展的電力監(jiān)測和保護解決方案。 ? ? 英飛凌eFuse專為過流及其他電源故障防護設(shè)計，確?？煽亢透咝У碾娏?? 英飛凌通過擴展其電源保護產(chǎn)品組合，滿足了當(dāng)前及未來高功率AI服務(wù)
2025-10-30 15:25:0364017 
NIST在2012年評選出了最終的算法并確定了新的哈希函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。Keccak算法由于其較強的安全性和優(yōu)秀的軟硬件實現(xiàn)性能，最終成為最新一代的哈希函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。2015年8月NIST發(fā)布了最終的SHA-3
2025-10-28 07:13:32
10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
2025-10-27 18:05:001276 在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動下，功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性，對封裝基板提出了更嚴苛的要求——既要承受超高功率密度，又要確保信號
2025-10-22 18:13:11243 
是德科技（NYSE: KEYS ）近日宣布推出EV2020B電動汽車制造功能測試平臺以及EV2020BE電動汽車供電設(shè)備（EVSE）制造功能測試平臺，進一步擴展其終端測試（EOL）產(chǎn)品組合。這兩款
2025-10-16 09:13:202051 10月14日，一加攜手京東方正式發(fā)布第三代東方屏。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕，第三代東方屏以8項技術(shù)突破刷新9項世界紀(jì)錄，在流暢度、顯示素質(zhì)、暗光顯示、護眼能力四大維度帶來引領(lǐng)行業(yè)
2025-10-15 09:15:02691 
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設(shè)備的核心
2025-10-13 18:29:43402 10月11日，一加宣布將與京東方聯(lián)合推出「第三代東方屏」。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕，第三代東方屏將為用戶帶來更流暢絲滑的游戲體驗，并在顯示素質(zhì)、暗光顯示及護眼方面實現(xiàn)突破。第三代東方
2025-10-11 15:56:32740 
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認證
2025-10-09 15:57:3042382 基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認知
2025-10-08 13:12:22499 
型柵極驅(qū)動器（BTD系列）和配套的電源管理芯片（BTP系列），明確圍繞第三代半導(dǎo)體——碳化硅（SiC）MOSFET驅(qū)動的 高頻、高壓、高可靠性 核心需求進行構(gòu)建 。這些產(chǎn)品在設(shè)計上高度契合SiC器件的低閾值電壓、極高開關(guān)速度和高 ?dV/dt等特性帶來的挑戰(zhàn)。 該公司的策
2025-09-30 17:53:142833 
近日，先臨三維作為三維掃描行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)軍企業(yè)，憑借深厚的技術(shù)積累與持續(xù)的創(chuàng)新精神，成功推出了具有劃時代意義的FreeScan Omni無線一體式手持三維掃描測量儀，引領(lǐng)了第三代無線掃描技術(shù)的新高度
2025-09-26 11:26:46407 
傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-21 16:12:351740 
天線測量解決方案領(lǐng)導(dǎo)者Microwave Vision Group（MVG）宣布其憑借20 余年的實操經(jīng)驗以及從數(shù)百次部署中獲得的深刻見解，正式推出全新 StarLab產(chǎn)品組合，包括六款專用
2025-09-18 11:57:15764 
?）陶瓷基板和銅基板，提升熱導(dǎo)率和機械強度。第三代 SiC MOSFET 技術(shù):XM3 系列采用 Wolfspeed 優(yōu)化的第三代 SiC MOSFET，實現(xiàn)低開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的平衡。集成保護功能
2025-09-11 09:48:08
英飛凌的全球授權(quán)代理商，供應(yīng)各種英飛凌解決方案。貿(mào)澤供應(yīng)近20,000種英飛凌元器件，其中超過10,000種有庫存且可立即發(fā)貨，通過豐富的英飛凌新品，幫助工程師將產(chǎn)品推向市場。 ? 英飛凌XENSIV
2025-09-08 15:21:00595 
的導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)頻率，能夠有效提高功率密度、減小系統(tǒng)體積提升整體效率，并有助于降低系統(tǒng)散熱與成本。
2025-09-03 11:29:401034 蘿麗三代12通遙控器原理圖
2025-08-25 15:45:17
0 AEM作為第三代電解水制氫技術(shù)的核心組件，正成為全球綠氫產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。
2025-08-08 14:36:10792 這張 IGBT 逆變控制板原理圖，把復(fù)雜變簡單： 高頻逆變回路明明白白，IGBT 驅(qū)動時序精準(zhǔn)標(biāo)注，電容儲能閉環(huán)控制鏈路清晰可見。從此，研發(fā)不用 “盲試”，維修告別 “猜故障”，生產(chǎn)少走技術(shù)彎路
2025-08-07 14:35:493 基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
近日，在第五屆全國新型儲能技術(shù)及工程應(yīng)用大會現(xiàn)場，廣州智光儲能科技有限公司（簡稱 “智光儲能”）與海辰儲能聯(lián)合發(fā)布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級聯(lián)型高壓大容量儲能系統(tǒng)。這一突破性成果標(biāo)志著全球首個大容量儲能電池從技術(shù)發(fā)布到閉環(huán)應(yīng)用的完整落地，為儲能產(chǎn)業(yè)安全與高效發(fā)展注入新動能。
2025-07-30 16:56:141230 標(biāo)準(zhǔn)等方面進行升級。 ? 下一代物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的新需求 ? 芯科科技無線產(chǎn)品營銷高級總監(jiān)Dhiraj Sogani在接受采訪時表示，我們的第一代、第二代和第三代無線開發(fā)平臺將繼續(xù)在市場上相輔相成。第二代無線開發(fā)平臺功能強大且高效，是各種主流物聯(lián)網(wǎng)
2025-07-23 09:23:006096 近日，索尼(中國)有限公司發(fā)布備受期待的黑卡系列全畫幅旗艦RX1R 系列第三代產(chǎn)品 —— RX1R III (型號名：DSC-RX1RM3)
2025-07-21 14:26:211082 本文推薦一款新潔能生產(chǎn)的逆導(dǎo)型IGBT：NCE15ER135LP。這是一款1350V、TO-3P封裝、100℃下額定電流15A的產(chǎn)品。
2025-07-17 09:20:291680 
西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計自動化 (EDA) 產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計團隊攻克 2.5D/3D 集成電路 (IC) 設(shè)計與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。
2025-07-14 16:43:073059 BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
2025-07-10 17:48:14954 
今日，在2025高通汽車技術(shù)與合作峰會上，高通技術(shù)公司攜手中國先進車企和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，展示其驍龍數(shù)字底盤產(chǎn)品組合的發(fā)展勢頭和最新成果。驍龍數(shù)字底盤解決方案包括驍龍汽車平臺至尊版、面向駕駛輔助
2025-07-03 12:55:181237 愛立信近日推出革命性O(shè)SS/BSS產(chǎn)品組合，賦能運營商在AI意圖驅(qū)動及自智網(wǎng)絡(luò)時代實現(xiàn)全方位創(chuàng)新突破！告別傳統(tǒng)模式，擁抱敏捷、智能服務(wù)的新時代。
2025-06-24 15:13:3715704 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，消息人士稱，英偉達計劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片，試圖重新奪回市場份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:003666 第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農(nóng)業(yè)運輸設(shè)備專用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領(lǐng)先高性能解決方案， 功率轉(zhuǎn)換效率超過98%，功率密度高達35kW
2025-06-16 10:01:2346470 
發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè)，萬眾矚目。陶瓷方面，
2025-06-15 07:30:57968 
尋跡智行第三代自研移動機器人控制器BR-300G獲歐盟CE認證
2025-06-12 13:47:53497 
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，這兩款產(chǎn)品是對 Versal 產(chǎn)品組合的擴展，可為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能。
2025-06-11 09:59:401648 作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團隊持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592500 
繼X60和X100之后，進迭時空正在基于開源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進迭時空的第二代高性能核X100相比，X200的單位性能提升75%以上，達到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:071230 
Silicon Labs（芯科科技）第三代無線開發(fā)平臺SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無線產(chǎn)品開發(fā)趨勢，該系列產(chǎn)品升級了三大功能特性：可擴展性、輕松升級、頂尖性能，因而得以全面滿足未來物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷擴增
2025-06-04 10:07:39926 的設(shè)計中，最常見的集成方式是將 IGBT、MOSFET 與驅(qū)動、保護電路整合，這一設(shè)計能顯著提升系統(tǒng)效率并降低損耗。隨著第三代半導(dǎo)體材料（SiC、GaN）的技術(shù)突破，在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、光伏逆變器、數(shù)據(jù)中心等高壓高頻應(yīng)用場景中，集成第三代
2025-05-29 01:01:009042 
MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降，形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)（PNPN排列），支持600V以上高壓場景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開關(guān)與高電流承載能力，導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表： ? 材料優(yōu)勢 ?：禁帶寬度達3.3eV（硅的3倍）
2025-05-26 14:37:052284 隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運而生。
2025-05-22 10:33:421346 
，這一革新使電池儲電能力顯著增強，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲存更多電能，為手機制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極電池的推出，
2025-05-19 03:02:002928 與數(shù)據(jù)檢索的先進技術(shù)，以滿足不斷演進的市場需求。Microchip的數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)包含工作負載加速、電源管理、設(shè)備性能優(yōu)化與控制等全方位賦能技術(shù)組合，助力數(shù)據(jù)中心應(yīng)對當(dāng)今技術(shù)需求日益多變所帶來的可擴展性、安全性與性能等方面的挑戰(zhàn)。
2025-05-17 11:24:081078 恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一代S32R47成像雷達處理器，進一步鞏固公司在成像雷達領(lǐng)域的專業(yè)實力。S32R47系列是第三代成像雷達處理器，性能比前代產(chǎn)品提升高達兩倍，同時改進
2025-05-12 15:06:4353537 制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會以\"新能源芯時代\"為主題，匯集了來自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。
作為專注電子測試測量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，麥科
2025-05-09 16:10:01
為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiCJFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有
2025-05-07 17:03:14629 
（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時，其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)
2025-05-07 10:56:10728 
近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進的共封裝設(shè)計，具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于
2025-04-25 11:39:28987 
第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而，SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn)：開關(guān)速度可達納
2025-04-22 18:25:42683 
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
2025-04-22 14:32:21
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，其動力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求，金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26985 
做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個
2025-03-19 17:16:291165 。 ??本季度開始，AYANEO、壹號方糖和Retroid Pocket等OEM廠商將陸續(xù)推出搭載全新驍龍G系列平臺的手持游戲設(shè)備。 今日，高通技術(shù)公司宣布推出其2025年的全新驍龍G系列游戲平臺組合，專為各類玩家的手持游戲設(shè)備而打造。全新產(chǎn)品組合包括第三代驍龍G3、第二代驍
2025-03-18 09:15:202366 
? 日前，廣東領(lǐng)益智造股份有限公司（簡稱“領(lǐng)益智造”）2025年供應(yīng)商大會于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達斯（無錫）半導(dǎo)體有限公司（簡稱“納微半導(dǎo)體”）憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:043894 在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。
2025-03-12 10:35:582463 
產(chǎn)品組合中的第一款設(shè)備，它將與Nordic現(xiàn)有的超低功耗技術(shù)無縫結(jié)合。Nordic 將其數(shù)十年的超低功耗無線物聯(lián)網(wǎng)和硅設(shè)計專業(yè)知識帶到 Wi-Fi 中。借助 Wi-Fi 6，我們?yōu)槲锫?lián)網(wǎng)應(yīng)用帶來了更多優(yōu)勢
2025-03-10 15:42:21
一談起低軌衛(wèi)星，大家勢必會說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線，大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個樣，一眾企業(yè)在模仿，試圖實現(xiàn)超越和跟隨。最近，拆了一臺第三代星鏈終端。但是，看不懂，完全
2025-03-05 17:34:166275 
是德科技（Keysight Technologies, Inc.）推出六款新型模擬信號發(fā)生器、兩款矢量信號發(fā)生器、八款射頻合成器和三款信號源分析儀，進一步擴展了其射頻（RF）和微波儀器產(chǎn)品組合。這些
2025-03-04 14:45:29995 SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實現(xiàn)突破性升級，芯片面積縮小20%，開關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:431484 
安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟擴展了其工業(yè)和維護、維修和運營 (MRO)?產(chǎn)品范圍，以確?？蛻裟軌驈男袠I(yè)領(lǐng)先的供應(yīng)商處獲得各種產(chǎn)品和解決方案。
2025-02-20 14:47:25794 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）融合其近20年來在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗，推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合?；诖司媒?jīng)考驗的封裝技術(shù)，CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
2025-02-19 13:45:011011 新思科技近日宣布，推出基于全新AMD Versal Premium VP1902自適應(yīng)系統(tǒng)級芯片（SoC）的HAPS原型驗證系統(tǒng)，全新升級其業(yè)界領(lǐng)先的硬件輔助驗證（HAV）產(chǎn)品組合。
2025-02-18 17:30:481088 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟大幅擴充了 PUI Audio產(chǎn)品種類。作為音頻、觸覺反饋及傳感器解決方案領(lǐng)域的全球創(chuàng)新者和供應(yīng)商，PUI Audio產(chǎn)品的加入進一步豐富e絡(luò)盟的產(chǎn)品組合。新擴展的產(chǎn)品線使客戶能夠獲得更廣泛的專業(yè)音頻組件。
2025-02-18 16:29:39870 
和ZeBu?仿真系統(tǒng)，全新升級其業(yè)界領(lǐng)先的硬件輔助驗證（HAV）產(chǎn)品組合。全新一代HAPS-200原型驗證系統(tǒng)和ZeBu仿真系統(tǒng)提供了改善的運行性能、更快的編譯時間和更高的調(diào)試效率。兩者均基于全新的新思科
2025-02-18 16:00:32496 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司英飛凌宣布了一項重要戰(zhàn)略舉措，即成立一個新的業(yè)務(wù)部門——傳感器單元和射頻（SURF）業(yè)務(wù)部門。該部門將整合英飛凌當(dāng)前的傳感器和射頻（RF）業(yè)務(wù)，旨在進一步推動公司在傳感器領(lǐng)域的發(fā)展。
2025-02-18 15:02:111154 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
近日，在深圳舉辦的行家說第三代半導(dǎo)體年會——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎」。這一榮譽不僅是對聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)創(chuàng)新的認可，更是對其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:301020 近日，中國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代，為中國航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級注入強大動力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061341 近日，全球知名的電子元器件分銷商DigiKey宣布了一項重大戰(zhàn)略決策，計劃在2025年大幅擴展其產(chǎn)品組合，以滿足日益增長的市場需求。據(jù)悉，DigiKey將增加110萬個新零件，并引入455家
2025-02-08 14:33:02877 在 ISE 2025 上，AMD 將展示其多樣化產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品組合支持多種 AV-over-IP、連接和視頻處理應(yīng)用，同時還支持基于 AI 的創(chuàng)新，以增強用戶體驗。我們將與主要合作伙伴一道，在巴塞羅那 Fira Gran Via 的 5 號廳 B510 展臺展示我們的解決方案。
2025-02-06 11:13:131412 -ThinkCyte擴展產(chǎn)品組合，推動藥物發(fā)現(xiàn)和疾病研究創(chuàng)新。 東京2025年1月28日?/美通社/ -- 作為一家在新型人工智能（AI）細胞分析和分選儀器領(lǐng)域處于先鋒地位的生物技術(shù)公司
2025-02-05 15:44:44591 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）正在通過全新NEH71x0電源管理IC（PMIC）系列擴展能源采集產(chǎn)品組合。新發(fā)布的先進PMIC系列結(jié)合了卓越的性能、高性價比和多功能性，為低功耗應(yīng)用的可持續(xù)設(shè)計建立了新的標(biāo)準(zhǔn)。
2025-01-22 11:31:151073 上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212260 本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動汽車的核心部件中，車用功率模塊（當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵性能，還占據(jù)了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150 
IGBT高速雙包：IGBT 溝槽和場效應(yīng)管技術(shù)采用軟、快速恢復(fù)的反并聯(lián)二極管IKW50N60H3600V 第三代高速開關(guān)系列 特點TRENCHSTOPTM 技術(shù)提供-極低振動
2025-01-11 15:07:17
的產(chǎn)品設(shè)計，戴爾科技不僅提升了產(chǎn)品的性能表現(xiàn)，還實現(xiàn)了更長效的電池續(xù)航，確保用戶能夠隨時隨地高效工作。 此外，戴爾科技還積極引入了最新的芯片創(chuàng)新應(yīng)用，進一步擴展了其產(chǎn)品組合的多樣性和功能性。在軟件、管理和可持續(xù)發(fā)展方面，
2025-01-10 14:41:131032 外置天線YECT004W1A以及無源L波段、GNSS和銥星天線YFTA009E3AM，進一步豐富了移遠通信的模組天線產(chǎn)品組合。移遠通信COO張棟表示：“隨著此次三
2025-01-09 17:34:441436 
全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競爭的焦點。在新能源汽車等應(yīng)用市場快速發(fā)展的推動下，國內(nèi)外廠商正在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)，發(fā)展前景究竟如何？ 隨著全球科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體
2025-01-08 17:23:51801 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
2025-01-08 14:43:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費下載
2025-01-06 16:12:110 
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