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mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

DCM將影響反激電源哪些技術(shù)參數(shù)?

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反激開(kāi)關(guān)電源的連續(xù)模式CCM和不連續(xù)模式DCM的差異,主要體現(xiàn)在變壓器設(shè)計(jì)上。這篇文章展開(kāi)說(shuō)明DCM將影響反激電源哪些技術(shù)參數(shù)。

2023-06-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOS管DCM 4.9k 0

mos管柵極電壓控制多少最好

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個(gè)關(guān)鍵參...

2024-09-18 標(biāo)簽:電流MOS管參數(shù) 4.9k 0

詳解MOS管的應(yīng)用電路

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接前一篇文章,可知道MOS管最常見(jiàn)的電路可能就是開(kāi)關(guān)和放大器。

2023-03-14 標(biāo)簽:放大器開(kāi)關(guān)電路放大電路 4.9k 0

MOS管的電路分析和應(yīng)用案例

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放大器:MOS管可以用作放大器,通過(guò)調(diào)節(jié)柵極電壓來(lái)控制電流增益。這在放大音頻信號(hào)、射頻信號(hào)等方面非常有用。

2023-10-01 標(biāo)簽:放大器電路分析MOSFET 4.9k 0

光伏儲(chǔ)能電池管理系統(tǒng)BMS充放電回路設(shè)計(jì)圖

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完整的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)主要由電池組、電池管理系統(tǒng)(BMS)、能量管理系統(tǒng)(EMS)、儲(chǔ)能變流器(PCS)以及其他電氣設(shè)備構(gòu)成。BMS(Battery Ma...

2024-04-05 標(biāo)簽:過(guò)壓保護(hù)MOS管bms 4.8k 0

MOSFET在BMS的應(yīng)用案例

電池管理系統(tǒng)是一種能夠?qū)﹄姵剡M(jìn)行監(jiān)控和管理的電子裝備,是電池與用戶(hù)之間的紐帶。通過(guò)對(duì)電壓、電流、溫度以及SOC等數(shù)據(jù)采集,計(jì)算進(jìn)而控制電池的充放電過(guò)程,...

2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET充電器MOS管 4.8k 0

關(guān)于MOS管開(kāi)關(guān)時(shí)電壓電流波形問(wèn)題

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如圖,為什么在Vce下降前ic就開(kāi)始上升了呢?

2023-03-30 標(biāo)簽:MOS管波形ZVS 4.8k 0

占空比對(duì)電源效率的影響

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占空比(Duty Ratio或Duty Cycle)是指在一個(gè)脈沖循環(huán)內(nèi),通電時(shí)間(或有效時(shí)間)相對(duì)于總時(shí)間所占的比例。在電子學(xué)和通信領(lǐng)域,占空比是一個(gè)...

2024-08-07 標(biāo)簽:MOS管占空比電源效率 4.8k 0

IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)

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當(dāng)前的新能源車(chē)的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需...

2023-10-19 標(biāo)簽:芯片MOS管IGBT 4.8k 0

BUCK開(kāi)關(guān)電源PCB布局實(shí)例

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最近有粉絲在看過(guò)太陽(yáng)能充電寶項(xiàng)目后,根據(jù)小編分享的原理圖,自己設(shè)計(jì)了PCB,并進(jìn)行了打樣焊接,經(jīng)過(guò)調(diào)試后發(fā)現(xiàn)效果并不是很好,在分析了粉絲的PCB后,認(rèn)為...

2023-03-16 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源BUCKMOS管 4.8k 0

經(jīng)典MOS管電平轉(zhuǎn)換電路原理分析

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電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見(jiàn),因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木,這個(gè)電路模塊,加上那個(gè)電路模塊,拼拼湊湊連起來(lái)就是一個(gè)電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會(huì)...

2023-05-05 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管I2C 4.8k 0

詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

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寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。

2024-02-21 標(biāo)簽:MOS管寄生電容寄生電感 4.8k 0

STA分析—延遲計(jì)算

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從上篇文章,我們可以很明顯的看出STA的兩大因素,一個(gè)是延遲計(jì)算,一個(gè)是約束檢查。

2023-07-05 標(biāo)簽:MOS管反相器PMOS 4.8k 0

怎么判斷MOS管的工作狀態(tài)

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子...

2024-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管晶體管 4.8k 0

使用功率mos管設(shè)計(jì)的100W直流伺服放大電路方案

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給大家分享的是使用功率 mos 管的 100W 直流伺服放大電路。如果你正好需要直流放大器電路,就可以直接參考了。

2022-10-13 標(biāo)簽:放大電路運(yùn)算放大器MOS管 4.8k 0

柵極浮空的定義 MOS管的柵極為什么不能浮空呢?

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柵極浮空,顧名思義,就是 MOS 管的柵極不與任何電極相連,處于懸浮狀態(tài)。

2024-02-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路上拉電阻MOS管 4.8k 1

三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理

三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理

  場(chǎng)效應(yīng)管柵極的最小寬度(柵長(zhǎng)),就是XX nm工藝中的數(shù)值。柵極的寬度則決定了電流通過(guò)時(shí)的損耗,表現(xiàn)出來(lái)就是手機(jī)常見(jiàn)的發(fā)熱和功耗,寬度越窄,功耗越低。

2023-02-07 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路放大電路 4.8k 0

常見(jiàn)保護(hù)電路原理詳解(附電路圖)

在現(xiàn)實(shí)世界中,電子電路所處的周?chē)h(huán)境總是變幻莫測(cè)的。人體靜電、雷擊浪涌、誤操作等諸多不可預(yù)料的因素時(shí)刻威脅著電子設(shè)備的正常工作。因此保護(hù)電路的作用與意義...

2023-04-12 標(biāo)簽:電路圖保護(hù)電路過(guò)壓保護(hù) 4.8k 0

四種晶體管開(kāi)關(guān)電路詳解

四種晶體管開(kāi)關(guān)電路詳解

“晶體管開(kāi)關(guān)”,是使用晶體管控制電路通斷的開(kāi)關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景,也稱(chēng)“模擬開(kāi)關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開(kāi)關(guān)(Logic Switch)...

2023-06-12 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管NMOS 4.8k 0

云途和智芯車(chē)規(guī)功能安全MCU分析

云途和智芯車(chē)規(guī)功能安全MCU分析

基于Cortex-M0+內(nèi)核的YTM32Z1L,集成LIN/CAN PHY及HV Driver,對(duì)標(biāo)NXP S12系列

2023-06-12 標(biāo)簽:armMOS管Cortex-M0 4.7k 0

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    倒相電路
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    A類(lèi)放大器
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