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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1所示。
電平設(shè)計(jì)基礎(chǔ)：電平匹配設(shè)計(jì)
單端邏輯電平的匹配是我們平時(shí)在硬件設(shè)計(jì)中最經(jīng)常碰到的，我們?cè)凇禩TL&CMOS電平》章節(jié)中已經(jīng)對(duì)TTL和COMS電平的匹配設(shè)計(jì)做了一些分析，一般...
2023-06-25 標(biāo)簽：二極管FPGA設(shè)計(jì)MOS管 4.7k 0
在電路設(shè)計(jì)上，我們見到最多的是使用MOS管最為開關(guān)控制器件，但是MOS管除了具有開關(guān)的功能之外，還有隔離作用，下面就和大家一起看一下吧。
2023-11-30 標(biāo)簽：保護(hù)電路MOS管開關(guān)控制 4.7k 0
自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高，有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
2023-06-01 標(biāo)簽：二極管升壓電路場效應(yīng)管 4.7k 0
BUCK與BOOST電路設(shè)計(jì)與器件選型基礎(chǔ)
基于TPS61099設(shè)計(jì)升壓電路，TPS61099外圍需要電感和電容來儲(chǔ)能和放能，需要兩個(gè)電阻來設(shè)定輸出電壓，需要一個(gè)邏輯信號(hào)來使能或關(guān)斷。
2023-10-16 標(biāo)簽：升壓電路電路設(shè)計(jì)MOS管 4.7k 0
介紹一種BL714X系列隔離芯片驅(qū)動(dòng)電路方案
這個(gè)電路要求輸入控制信號(hào)與電機(jī)反饋到控制板的信號(hào)之間實(shí)現(xiàn)電氣隔離，從而達(dá)到以控制信號(hào)控制功率元件（或組件），以實(shí)現(xiàn)對(duì)控制端（或人體）的保護(hù)功能。
2022-07-18 標(biāo)簽：CMOSMOS管驅(qū)動(dòng)電路 4.7k 0
MOS管開關(guān)電路圖 MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)
在設(shè)計(jì)MOS管開關(guān)電路時(shí)，就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱們來詳細(xì)說明。
2023-07-20 標(biāo)簽：開關(guān)電路半導(dǎo)體MOS管 4.7k 0
Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？
關(guān)于MOS管的文章，例如MOS管的參數(shù)解析等，網(wǎng)上很多，這里就不寫了，我們還是針對(duì)具體問題具體分析。在問題求證過程中，查漏補(bǔ)缺。
淺談從直流有刷電機(jī)到直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)
童年的四驅(qū)車幾乎是我們第一次近距離接觸馬達(dá)。想必有動(dòng)手能力強(qiáng)一些的小伙伴還拆過，改裝過馬達(dá)吧。其實(shí)它就是一種結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)的直流有刷電機(jī)（BDC）。
基于MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
在一些IO電平不匹配的情況，需要用到電平轉(zhuǎn)換電路。 特別如I2C總線上，主芯片和多個(gè)外設(shè)直接，較常遇到電源域電壓不一致的情況。
2023-03-16 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管總線 4.6k 0
通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。一般的電源開關(guān)電路，控制電源的目的是省電...
2023-07-31 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管NMOS 4.6k 0
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)
高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)開關(guān)。
前面我們?cè)敿?xì)的介紹了共射放大電路的設(shè)計(jì)步驟，對(duì)于低頻信號(hào)，可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號(hào)頻率的增加，MOS管的寄生電容就不得不考慮。MOS...
控制電路的調(diào)制輸出：模擬信號(hào)，不要在開關(guān)管下走長線，遠(yuǎn)離大電流的電源和地等區(qū)域。
一、經(jīng)典防反接電路1、二極管防反接這種電路使用一個(gè)二極管將電源的正極與負(fù)極相連，當(dāng)電源的極性正確時(shí)，二極管處于正向?qū)顟B(tài)，電流可以正常流過；而當(dāng)電源的...
本期的講的是 另一種形式的推挽電路 。實(shí)現(xiàn)功能為，當(dāng)PWM為高電平時(shí)，VOUT輸出電平為低電平，關(guān)斷MOS管Q3;當(dāng)PWM為低電平時(shí)，VOUT輸出高電平...
光電三極管是一種半導(dǎo)體器件，能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來改變?cè)诎l(fā)射極和集電極之間流動(dòng)的電流。顧名思義，光電三極管是一種晶體管，可以感應(yīng)光并改變晶...
2024-04-10 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管晶體管 4.5k 0
MOS管和插件MOS管的另一個(gè)區(qū)別在于它們的封裝形式不同。MOS管的封裝形式一般是直接焊接在電路板上，而插件MOS管的封裝形式則是安裝在插座上，然后將插...
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