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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在電動(dòng)車(chē)控制器中的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT產(chǎn)品,具有參數(shù)一致性高、抗沖擊能力強(qiáng)等特點(diǎn)為電動(dòng)車(chē)駕乘提供有力保障
2022-12-27 標(biāo)簽:電動(dòng)車(chē)MOS管MOS 2k 0
使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)的注意事項(xiàng)
場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,而晶體管是既利用多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,由于少數(shù)載流子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對(duì)于環(huán)境變化較大...
2022-12-09 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管MOS 2.7k 0
AP5174車(chē)燈IC內(nèi)置MOS_DCDC降壓恒流芯片帶過(guò)溫保護(hù)
產(chǎn)品描述 AP5174 是一款效率高,穩(wěn)定可靠的 LED 燈恒流驅(qū)動(dòng)控制芯片,內(nèi)置高精度比較器,固定關(guān)斷時(shí)間控制電路,恒流驅(qū)動(dòng)電路等,特別適合大功率 L...
AP5127平均電流型LED 降壓恒流驅(qū)動(dòng)器兩路切換內(nèi)置MOS
產(chǎn)品描述 AP5127 是一款 PWM 工作模式,高效率、外圍簡(jiǎn)單、內(nèi)置功率管,適用于 12-100V 輸入的高精度降壓 LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片。 輸出功...
DW03D 單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)IC 內(nèi)置MOS
概述 DW03D產(chǎn)品是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護(hù)的高集成度解決方案。DW03D包括了先進(jìn)的功率MOSFET,高精度的電壓檢測(cè)電路和延時(shí)電路。 ...
徳普低中壓MOS,高耐壓,地內(nèi)阻,打線好,無(wú)卡點(diǎn),客戶真實(shí)測(cè)試耐壓值遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)。
Rdson一致性好,可以有效控制損耗,降低溫升 ? EAS穩(wěn)定,滿足鋰電池短路和大電流沖擊 ? Vth一致性好,支持BMS應(yīng)用中多顆并聯(lián)使用 ? 廣泛應(yīng)...
歐姆龍MOS FET繼電器:歐姆龍MOS FET繼電器優(yōu)勢(shì)有那些
歐姆龍MOS FET繼電器優(yōu)勢(shì)有那些?MOS FET繼電器是一種集兩種產(chǎn)品特性為一體的電子元器件,包括機(jī)械繼電器(***繼電器)及半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置。與其他...
嵌入式源漏選擇性外延(Embedded Source and Drain Selective Epitaxy)
源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層,利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長(zhǎng),僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長(zhǎng)。
AP5103 內(nèi)置 MOS 降壓型大功率 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器
恒流IC,電源IC,電子IC,驅(qū)動(dòng)IC,MOS管和降壓IC,升壓IC產(chǎn)品
2022-11-25 標(biāo)簽:led驅(qū)動(dòng)器MOS 1.9k 0
①在MOS開(kāi)關(guān)過(guò)程中,如果柵極電阻較小,發(fā)生了柵極電壓震蕩,多半是因?yàn)镸OS源極寄生電感太大導(dǎo)致。根據(jù)U=L*di/dt,我們可以知道,柵極電阻小,開(kāi)通...
晶揚(yáng)電子順利通過(guò)IECQ QC080000體系認(rèn)證
2022年11月晶揚(yáng)電子順利通過(guò)IECQ QC080000:2017認(rèn)證,這不僅標(biāo)志著晶揚(yáng)電子的產(chǎn)品達(dá)到了認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)要求,更展現(xiàn)了公司在社會(huì)環(huán)境保護(hù)方面的...
第一個(gè)作用好理解,這里解釋一下第二個(gè)作用的原理。保護(hù)柵極G~源極S,場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效...
世微AP5125外置MOS管平均電流型LED降壓恒流驅(qū)動(dòng)
AP5125 是一款外圍電路簡(jiǎn)單的 Buck 型平均電流檢測(cè)模式的 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器,適用于 8-100V 電壓范圍的非隔離式大功率恒流 LED 驅(qū)動(dòng)...
2022-11-16 標(biāo)簽:MOS恒流驅(qū)動(dòng) 1.9k 0
三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類(lèi)的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時(shí)常可歸結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜功能測(cè)試設(shè)備和測(cè)試程序的情況下,有...
為什么MOS管要并聯(lián)個(gè)二極管,有什么作用?
這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說(shuō)起,不管是MOS還是二極管,都是由半導(dǎo)體材料構(gòu)成,我們都知道二極管是由一對(duì)PN結(jié)構(gòu)成,見(jiàn)下圖,P型區(qū)對(duì)應(yīng)二極管的陽(yáng)極,N型區(qū)對(duì)...
寄生電感對(duì)Buck電路中開(kāi)關(guān)管的影響
LP6451內(nèi)部集成了兩個(gè)MOS管,構(gòu)成同步Buck電路中所必須的上管和下管,同樣由于PCB上的走線,Die與芯片引腳之間Bonding線都會(huì)帶來(lái)寄生電...
2022-11-15 標(biāo)簽:MOS開(kāi)關(guān)管微源半導(dǎo)體 2.9k 0
自舉電容,內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓,通過(guò)自舉電路升壓得到,比VCC高的電壓,否則,高端MOS無(wú)法驅(qū)動(dòng)。
2022-11-14 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS 3.5k 0
5-100V內(nèi)置MOS低成本汽車(chē)摩托車(chē)車(chē)燈的做法
提供DC/DC恒流調(diào)光IC:攝影補(bǔ)光燈IC,舞臺(tái)燈IC,帕燈IC,線條燈IC,汽車(chē)工作燈IC,電動(dòng)摩托車(chē)燈IC,汽車(chē)前大燈IC芯片,車(chē)燈IC芯片,剎車(chē)燈...
3種MOS管的基本電路及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的放大特性
MOS管有三個(gè)端子,確切的說(shuō),有四個(gè)端子,分別是源極,漏極,柵極還有襯底極。
高邊MOS和低邊MOS由驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),當(dāng)驅(qū)動(dòng)器的輸出HO為高時(shí),高邊MOS導(dǎo)通,OUT電壓幾乎等于HV。其電流路徑為,從HV流經(jīng)高邊MOS,最后流向外部負(fù)...
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