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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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NP2302DHR(20 v n溝道增強型MOSFET)

NP2302DHR使用先進的海溝技術提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費超低密度細胞設計導通電阻。這設備適用于作為負荷開關或脈寬調(diào)制應用程序。

2022-07-15 標簽：MOSFET MOS 1.1k 0

NP2300VR-M(20 v n溝道增強型MOSFET)

NP2300VR-M使用先進的戰(zhàn)壕技術提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門電荷和高密度細胞設計超低導通電阻。本設備適用于作為負載在PWM開關或應用程序。

2022-07-14 標簽：MOSFET MOS 1.2k 0

NP2300MR（n溝道增強型MOSFET）

NP2300MR使用先進的海溝技術提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費超低密度細胞設計導通電阻。這設備適用于作為負荷開關或脈寬調(diào)制應用程序。

2022-07-14 標簽：MOSFET MOS 1.6k 0

NP2300BHR(20 v n溝道增強型MOSFET)

NP2300BHR使用先進的海溝技術提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費超低密度細胞設計導通電阻。這設備適用于作為負荷開關或脈寬調(diào)制應用程序。

2022-07-14 標簽：MOSFET MOS 1.1k 0

NP30P10G(100V P溝道增強模式MOSFE)

2022-07-14 標簽：MOSFET MOS 2.1k 0

NP2300HR(20v n溝道增強型MOSFET)

NP2300HR-G使用先進的海溝技術提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費超低密度細胞設計導通電阻。這個設備適合作為負荷開關或脈寬調(diào)制應用程序。

2022-07-14 標簽：電阻 MOS RDS 1.3k 0

效率高成本低的MOS管2N7002

在實際應用中如果要說哪款又便宜又可靠的MOS管當屬2N7002，2N7002屬于N溝道增強型場效應管。具有抗沖擊能力強，輸出效率高，成本低等特點。仁懋電...

2022-07-13 標簽：電子元器件 MOS 2N7002 1.1萬 0

NP2012(20 v n溝道增強型MOSFET)

NP2012使用先進的海溝技術提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門和收費操作門電壓2.5 v。這設備適用于作為負荷開關或脈寬調(diào)制應用程序。

2022-07-13 標簽：MOSFET MOS 1.2k 0

NP3P06MR(40V P溝道增強模式MOSFET)

2022-07-13 標簽：MOSFET MOS 2.8k 0

NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)

2022-07-13 標簽：MOSFET MOS 3.2k 0

NP2312AMR(20v n溝道增強型MOSFET)

NP2312A使用先進的海溝技術提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費操作門電壓2.5 v。這設備適用于作為負荷開關或脈寬調(diào)制應用程序。

2022-07-13 標簽：MOSFET MOS 1.3k 0

NP2018DR(20v n溝道增強型MOSFET)

NP2018DR使用先進的海溝技術提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費操作門電壓2.5 v。這設備適用于作為負荷開關或脈寬調(diào)制應用程序。

2022-07-12 標簽：MOSFET MOS 1k 0

外置MOS大電流Boost

根據(jù)Boost架構(gòu)類型不同，Boost可分為同步和異步兩個大類，實際應用的時候，會結(jié)合工作電壓和應用場景不同來選型，因此在此基礎上，微源Boost會有更...

2022-07-12 標簽：轉(zhuǎn)換器 Boost MOS 6.1k 0

基于EDA仿真驗證進行IGBT芯片研發(fā)的方法使用

IGBT是綜合MOS管和雙極型晶體管優(yōu)勢特征的一種半導體復合器件，作為功率半導體分離器件的代表，廣泛應用于新能源汽車、消費電子、工業(yè)控制領域，所涉及領域...

2022-07-10 標簽：IGBT eda MOS 2.9k 0

詳解功率半導體器件的常見分類

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2022-07-06 標簽：半導體 IGBT MOS 4k 0

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CRE6255ME 是一款內(nèi)置高壓 MOS 功率開關管的高性能多模式原邊控制的開關電源芯片。該產(chǎn)品方便用戶以較少的外圍元器件、較低的系統(tǒng)成本設計出高性能...

2022-07-03 標簽：電源 MOS 開關電源芯片 5.9k 0

濕法蝕刻與干法蝕刻有什么不同

在半導體芯片的物理和故障分析過程中(即驗證實際沉積的層，與導致電路故障的原因)，為了評估復雜的半導體結(jié)構(gòu)，擁有適當?shù)奶幚砉ぞ咧陵P重要。為制造的每件產(chǎn)品開...

2022-06-20 標簽：半導體 MOS 蝕刻 7.7k 0

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2022-06-10 標簽：led MOS 恒流驅(qū)動器 2.1k 0

HIOKI日置電壓偏置測試系統(tǒng)CN010

前言 HIOKI日置科技新品發(fā)布了電壓偏置測試系統(tǒng)CN010，通過我司LCR測試儀、電壓偏置單元搭配定制的測試軟件，幫助半導體行業(yè)的用戶快速完成SiC、...

2022-05-07 標簽：半導體 HIOKI 測試系統(tǒng) 5.1k 0

MOS逆變直流氬弧焊機的工作原理及特點

首先三相或單相50/60HZ電源通過整流橋整——電容濾波——MOS管組成的斬波電路——變成頻率在50K以上的交流電——通過變壓器降壓——通過二極管整流——輸出

2022-03-12 標簽：電源工作原理 MOS 3.7k 0

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